一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片

    公开(公告)号:CN111834388A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010535463.3

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片,其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构,具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时,其μLED是发光单元;多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元,它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成,从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合,规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度,提高了集成度、良率、可靠性。

    一种微纳复合结构光提取膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111146367A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010062209.6

    申请日:2020-01-20

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种微纳复合结构光提取膜的制备方法,包括步骤:步骤S1:采用软印刷方法制备具有有序微米结构的PDMS模板;步骤S2:将有序微米结构的PDMS模板进行拉伸,并进行等离子处理,在微米结构的PDMS模板上获得不同形状和尺寸的纳米图案,形成具有与所需微纳米复合结构相反的PDMS微纳米复合图案;步骤S3:将PDMS微纳米复合图案转移到所需聚合物上,得到光提取膜。本发明制作效率高,成本低,同时制备的光提取膜在有序微米结构图案嵌套无序纳米结构,可以避免器件衬底与空气界面的光损失,在不改变OLED器件的视角特性的同时,具有较强的光提取效果。

    一种高度集成半导体显示系统

    公开(公告)号:CN107895543B

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201711207548.3

    申请日:2017-11-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于新型半导体显示领域,尤其涉及一种高度集成半导体显示系统,将显示系统分为M×N个显示单元(M、N为自然数),每个显示单元包括显示模块、图像获取与处理模块、传感器模块、光学模块、交互控制模块、监控模块和驱动模块等模块中的一个或多个的集合。结合芯片工艺、MEMS工艺和其他微纳米加工工艺,将Micro‑LED器件与集成电路芯片、光电传感器等器件有机结合在一起,提高器件的集成度和新型化程度。同时,本发明提出将超高密度显示的Micro‑LED器件与高精度三维图像采集技术、触觉感知和输入技术、光学技术、信号集成技术等结合起来,实现一种具有真三维空间显示、增强现实和虚拟现实的高度集成半导体显示系统。

    一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN109256456A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811093873.6

    申请日:2018-09-19

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法,包括衬底、透明基板、LED芯片阵列、微透镜阵列、倒梯形微结构阵列、以及封框体;其中倒梯形微结构与LED芯片一一对准并封装在一起;倒梯形微结构的顶部为分布式布拉格反射层,外周侧为反射层,内部填充有量子点发光层;微透镜与倒梯形微结构一一对应,并与微结构粘在一起成为一个整体。本发明不仅可利用蓝色LED芯片激发红色/绿色量子点层而转换为红光/绿光,实现Micro-LED显示的色彩转换;同时,利用微结构中的分布式布拉格反射层,提高Micro-LED显示的出光效率,还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率,防止相邻像素的出光干扰,实现光效提取和窜扰降低的Micro-LED显示。

    一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN109256455A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811093385.5

    申请日:2018-09-19

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法,包括设置于一衬底表面且呈阵列排布的LED芯片阵列,设置于一透明基板上下表面的微透镜阵列以及与其一一对应的倒梯形微结构阵列,以及连接衬底和透明基板的封框体,倒梯形微结构阵列沿LED芯片的横向方向依次构成用于显示红光的R单元、用于显示绿光的G单元以及用于显示蓝光B单元。本发明利用蓝色LED芯片激发R单元内的红色/G单元内的绿色量子点层而转换为红光/绿光;同时,利用微结构中的分布式布拉格反射层,提高Micro-LED显示出光效率,还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率和防止相邻像素色彩干扰,从而实现一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示。

    一种基于发光材料的QDEF显示装置

    公开(公告)号:CN108807619A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810566416.8

    申请日:2018-06-05

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于发光材料的QDEF显示装置,该显示装置包括上下设置的第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板,所述第一超薄玻璃基板的下表面涂覆有设定质量配比的红绿发光材料,所述第二超薄玻璃基板的上表面涂覆有PS小球层,利用发光材料的光致发光原理,通过蓝光激发该QDEF显示装置中的红绿发光材料,实现白光显示。与现有技术相比,本发明具有大面积白光显示、提高显示装置的色域、亮度、背光效率、以及发光效率等优点。

    一种Micro-LED键合、全彩化方法及系统

    公开(公告)号:CN118867086A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411333248.X

    申请日:2024-09-24

    Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统,其中键合方法包括以下步骤:对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜;对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜;并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列;对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理;将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中,进行流体磁性动态自组装;将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中,使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联,直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附,并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。

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