公开(公告)号：CN101604674B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910031886.5

申请日：2009-06-26

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  曹凯

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装结构，包括薄膜介质层I(101)，薄膜介质层I(101)上形成有光刻图形开口I(1011)，在光刻图形开口以及薄膜介质层I表面设置有与基板端连接之金属电极(102)和再布线金属走线(103)，在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层I表面覆盖有薄膜介质层II(104)，在薄膜介质层II上形成有光刻图形开口II(1041)，在光刻图形开口II设置有与芯片端连接之金属电极(105)，将带有IC芯片(106)、金属柱/金属凸点(107)和焊料(108)的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极上，形成芯片倒装的圆片，在圆片表面注塑封料(109)，在所述与基板端连接之金属电极(102)上设置有焊球凸点(110)。本发明封装成本低，具备载带功能，且能很好解决工艺过程芯片移位问题。

公开(公告)号：CN101694006A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910184877.X

申请日：2009-10-19

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 何明 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  章力 ,  龙欣江

IPC分类号： C25D17/10

摘要： 本发明涉及一种电镀阳极装置，用于晶圆的电镀。所述装置包括一盒体(5)，该盒体(5)中心竖直设置有一立柱(51)，立柱(51)上端制有外螺纹(511)；该盒体(5)底部开设有液体存储槽(52)和液体交流通孔(53)；该盒体(5)内放置有钛板(6)，钛板(6)和一导线(8)由钛螺丝(7)固定在盒体(5)底部，钛板(6)上端面上设置触点(61)，钛板(6)上放置一阳极(2)，该阳极(2)上覆盖一阳极布(4)，所述钛板(6)、阳极(2)和阳极布(4)均套装在所述盒体(5)中心的立柱(51)上，并用紧固螺母(3)旋紧；在盒体(5)顶部安装一上盖(1)，形成封闭结构。本发明电镀阳极装置具有能将阳极泥封闭其中、阳极导电结构可靠，阳极利用效率高以及阳极放置空间不受限制等特点。

公开(公告)号：CN101661917A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910027451.3

申请日：2009-05-11

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  陈栋 ,  曹凯 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明涉及一种树脂核心柱芯片封装结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、第一层再布线金属层(104)、树脂核心(105)、第二层再布线金属层(106)、再布线金属表面保护层(107)和焊球凸点(108)，芯片电极(102)设置在芯片本体上，芯片表面钝化层(103)复合在芯片本体表面以及芯片电极外缘和表面外周边，所述第一层再布线金属层(104)覆盖在芯片表面钝化层(103)以及露出芯片表面钝化层(103)的芯片电极(102)表面中间部分，所述树脂核心(105)设置在第一层再布线金属层(104)上，所述第二层再布线金属层(106)包覆在树脂核心(105)的外围，所述焊球凸点(108)凸出设置在所述凸点下金属层(106A)上。本发明芯片封装结构可以解决焊球凸点的低应力问题。

公开(公告)号：CN101604674A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910031886.5

申请日：2009-06-26

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  曹凯

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装结构，包括薄膜介质层I(101)，薄膜介质层I(101)上形成有光刻图形开口I(1011)，在光刻图形开口以及薄膜介质层I表面设置有与基板端连接之金属电极(102)和再布线金属走线(103)，在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层I表面覆盖有薄膜介质层II(104)，在薄膜介质层II上形成有光刻图形开口II(1041)，在光刻图形开口II设置有与芯片端连接之金属电极(105)，将带有IC芯片(106)、金属柱/金属凸点(107)和焊料(108)的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极上，形成芯片倒装的圆片，在圆片表面注塑封料(109)，在所述与基板端连接之金属电极(102)上设置有焊球凸点(110)。本发明封装成本低，具备载带功能，且能很好解决工艺过程芯片移位问题。

公开(公告)号：CN100403527C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510095349.9

申请日：2005-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 王新潮 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/367

CPC分类号： H01L2224/13

摘要： 本发明涉及一种微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面植上金属层(4)；于硅基材背面金属层(4)上制作金属凸块(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。

公开(公告)号：CN1794446A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510095350.1

申请日：2005-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 王新潮 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/367

CPC分类号： H01L2224/13 ,  H01L2924/10158

摘要： 本发明涉及一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面制作凹坑(4)，形成阵列或非阵列；于凹坑(4)表面及凹坑外的芯片本体硅基材背面植上金属层(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。

公开(公告)号：CN118737842A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410761346.7

申请日：2024-06-13

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  刘昊宇 ,  卞梓垚

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

摘要： 一种封装结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供转接板，所述转接板的上表面具有沿第一方向从转接板的一侧向转接板的另一侧延伸的开窗区；提供多个半导体芯片，每一个所述半导体芯片均包括相对的第一表面和第二表面，将所述多个半导体芯片的第一表面朝下贴装在所述转接板的上表面，且所述多个半导体芯片分布在所述开窗区的两侧；去除位于所述开窗区两侧的相邻的至少两个所述半导体芯片的第二表面，形成横跨所述开窗区的凹槽；提供加强块，将所述加强块贴装在所述凹槽中，且所述加强块横跨在所述开窗区上；在所述转接板的上表面形成塑封所述半导体芯片并填充剩余的所述凹槽的塑封层。本申请方法能防止封装结构在开窗区和开窗区附近失效。

公开(公告)号：CN117832186A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311727010.0

申请日：2023-12-14

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 徐虹 ,  谢皆雷 ,  徐霞 ,  张嘉驿

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：基底，所述基底的顶面上具有第一导电层；介质层，沿第一方向位于所述基底的顶面上，且所述介质层至少覆盖所述第一导电层，所述第一方向与所述基底的顶面垂直；导电连接结构，包括至少部分位于所述介质层内且与所述第一导电层电连接的第二导电层，所述第二导电层中包括沿第二方向排布的多个沟槽，所述沟槽位于所述第二导电层的表面且沿所述第一方向延伸，所述介质层嵌入所述沟槽内，所述第二方向与所述基底的顶面平行。本发明能够减小导电连接结构施加至介质层上的应力，减少了介质层发生开裂的概率，从而改善了封装结构的性能，提高了封装结构的可靠性。

公开(公告)号：CN107946251B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201711461458.7

申请日：2017-12-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 柳国恒 ,  陈超 ,  孙超 ,  陈栋 ,  张黎 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L25/07 ,  H01L21/56

摘要： 本发明是一种半导体产品的封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括柔性半导体产品和芯片，所述柔性半导体产品的一面为覆晶面、另一面为非覆晶面，所述芯片通过焊球倒装于柔性半导体产品的覆晶面，芯片和柔性半导体产品中间填充底部填充料，所述芯片周围覆盖包覆材料形成保护层。所述承载载具包括承载环和承载膜，所述承载环呈方形环或者圆形环，其上设有承载环定位凹口，所述承载膜的粘附面为单面具有粘性的膜，承载膜的粘附面面向承载环。本实用提供了一种柔性半导体产品的封装结构及其承载载具。以实现柔性半导体产品在现有设备上完成封装的方法，满足后续焊接到电路板上的应用需求。

公开(公告)号：CN117080197A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310646203.7

申请日：2023-06-01

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  胡震 ,  刘昊宇

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 本发明提供一种重布线层结构、半导体封装结构及其制作方法，重布线层结构包括第一连接垫、第一介电层、第一导电插塞、第一金属布线层、第二介电层、第二导电插塞以及第二金属布线层；所述第一金属布线层与所述第一导电插塞电连接，所述第二金属布线层与所述第二导电插塞电连接；第一金属布线层在第一连接垫上的正投影面积为第一投影面积，所述第一投影面积不小于第一连接垫表面积的80％，第二金属布线层在第一连接垫上的正投影面积为第二投影面积，第二投影面积不小于第一连接垫表面积的50％。本发明可使得重布线层结构稳定、健壮，提高产品可靠性及生产良率。