公开(公告)号：CN103730303A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210381735.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 郭彩林 ,  唐洁 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列，包括多个场发射电子源并排设置，其中，每一场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环同轴设置，所述绝缘层贴附于所述碳纳米管线状结构的表面，所述至少一导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述多个场发射电子源的所述导电环彼此电连接。

公开(公告)号：CN103730302A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210380870.7

申请日：2012-10-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 郭彩林 ,  唐洁 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0212 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/4608

Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，所述场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环，其中，所述碳纳米管线状结构及绝缘层同轴设置，所述绝缘层设置于所述碳纳米管线状结构的表面，所述导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述导电环靠近碳纳米管线状结构端部的一环面与该碳纳米管线状结构的该端部平齐。

公开(公告)号：CN102184820B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201110097647.7

申请日：2011-04-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 蔡琪 ,  周段亮 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/34 ,  H01B1/24 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/789 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/901

Abstract: 本发明涉及提供一种碳纳米管浆料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长于一基底；采用激光扫描该碳纳米管阵列使碳纳米管阵列中碳纳米管被截短并具有均匀的高度；将激光截短后的碳纳米管阵列从基底上剥离得到长度均匀的碳纳米管；将所述长度均匀的碳纳米管、无机粘结剂以及有机载体混合形成碳纳米管浆料。本发明提供的碳纳米管浆料的制备方法简单且获得的碳纳米管浆料具有较好的场发射性能。

公开(公告)号：CN101425435B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200710124240.2

申请日：2007-11-02

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  陈卓 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管长线。该碳纳米管长线具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管长线的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管长线的第二端从导电基体向外延伸。本发明还涉及一种场发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；熔断该碳纳米管长线；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。

公开(公告)号：CN103107054A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310031010.7

申请日：2010-05-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  周段亮 ,  陈丕瑾 ,  胡昭复 ,  郭彩林 ,  杜秉初 ,  范守善

IPC: H01J3/02

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0204 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/46

Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一阳极电极，该阳极电极与阴极电极间隔设置，且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。

公开(公告)号：CN102024636B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010564701.X

申请日：2010-11-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。所述电子发射体可以应用到场发射电子器件、扫描电子显微镜以及透射电子显微镜中。本发明还涉及一种电子发射元件。

公开(公告)号：CN101360681B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200680051158.5

申请日：2006-11-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 安藤寿浩 ,  中川清晴 ,  蒲生美香 ,  蒲生秀典

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B01J23/75 ,  B01J35/002 ,  B01J35/0033 ,  B01J37/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/30

Abstract: 碳纳米管(64)在其拉曼光谱中在1580cm-1附近的拉曼散射强度最大。能够在由导电性基板(62)和形成于导电性基板的表面上的催化剂微粒(63)构成的基板的催化剂微粒(63)上使碳纳米管生长。催化剂微粒(63)由氧化钴催化剂超微粒构成。在对该碳纳米管(64)的顶端(64a)外加电压而发射电子的电子发射元件(60)中，能够降低驱动电压，并能够得到使市售的低速电子射线用荧光体发光的程度的电流值。由于电子发射元件(60)不需要栅极，因此能够简化采用其的面发光元件的结构，进而能够实现低成本化。由于碳材料即使在低真空区域也不被氧化，因此与采用以往的电子发射元件的发光元件相比，容易面板化，并且可谋求长寿命化。

公开(公告)号：CN101681751B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880017294.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明涉及在包括电子发射源和透镜的电子柱结构中使用附着有一个或多个碳纳米管(CNT)的电子发射源的电子柱。更具体地，本发明涉及容易地对准碳纳米管(CNT)针尖的方法以及能够使用该方法的电子柱。

公开(公告)号：CN101541894B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780043467.2

申请日：2007-11-27

Applicant: 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司

Inventor： 简·萨梅雷尔

IPC: C09D11/00

CPC classification number: B41J3/00 ,  B41M3/006 ,  B41M5/0023 ,  B82Y30/00 ,  C09D11/30 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明描述了碳纳米管喷墨溶液和喷射方法。

公开(公告)号：CN102024653B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010564683.5

申请日：2010-11-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J31/10 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射单元及场发射像素管，所述场发射像素管包括一壳体及一场发射单元，所述场发射单元设置于壳体内，所述场发射单元包括至少三个阳极和分别设置于所述至少三个阳极表面的荧光粉层，一阴极，所述阴极与每个阳极之间间隔设置，所述阴极包括一阴极支撑体及至少三个电子发射体，该至少三个电子发射体与所述至少三个阳极一一对应设置，其中，所述每一电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射端，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构的电子发射端形成有多个电子发射尖端。