一种钛合金表面改性方法
    101.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113293350A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110582236.0

    申请日:2021-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种钛合金表面改性方法,将预处理好的钛合金制件悬挂在等离子冶金炉的石墨源极靶材中,在石墨源极靶材上插入所渗金属/合金棒(铬、钼、钨等单元和多元合金),形成复合靶材结构;启动辉光电极处理技术,调节复合靶材结构电压在550‑950V,氩氮比例3∶3‑3∶0,使石墨源极靶材和钛合金制件升温至500~1000℃,对钛合金制件表面进行轰击,处理结束后降温,即得到表面改性的钛合金制件。本发明以高熔点金属元素与碳/氮元素为溅射靶材源,对钛合金制件进行表面冶金处理,形成高硬耐磨的冶金陶瓷层,金属表面陶瓷层成分与硬度呈梯度分布,改性方法简单,改性层和基层结合紧密,结合强度高。

    一种非金属材料表面渗镀高纯硫化锌薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113073300A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110318909.1

    申请日:2021-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种非金属材料表面渗镀高纯硫化锌薄膜的方法,包括以下步骤:(1)非金属基体清洗后放入氧等离子刻蚀机中进行刻蚀;(2)将刻蚀完成的非金属基体置于磁控溅射装置样品台,利用硫化锌靶材在非金属基体上沉积硫化锌薄膜。该方法将氧等离子刻蚀和磁控溅射技术相结合,先对基体进行活化,然后沉积薄膜,使得制备出的薄膜与基体结合力更强,制备出的薄膜质量好,纯度高,性能稳定,且制备时间短,便于大规模生产。

    一种单连接线电沉积钨涂层的方法

    公开(公告)号:CN107385484B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201710574513.7

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 本发明涉及一种单连接线电沉积钨涂层的方法,本方法采用了单导线电沉积金属钨涂层技术方案,与常规电沉积技术相比,阳极钨直接放置于可导电的碳化硅石墨坩埚底部,可不使用金属连接线也可保证电路的完整性,降低了电沉积连接线的使用成本。阴极电极采用高温镍合金丝替代铂丝作为连接线,进一步节省了电极连接线成本,采用该方法电沉积出的钨涂层依旧结构致密,无裂纹。

    一种钛氧化合物柔性光电腐蚀薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109267010A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811445726.0

    申请日:2018-11-29

    CPC classification number: C23C14/083 C23C14/0036 C23C14/34

    Abstract: 本发明涉及一种钛氧化合物柔性光电腐蚀薄膜及其制备方法,借助双阴极辉光等离子放电作用在不锈钢箔基体表面溅射沉积钛氧化合物薄膜,将基体用丙酮进行超声清洗;之后将预处理好的基体放入等离子体炉内的试样台上完成样品表面钛氧化合物薄膜的制备。本发明以高纯金属元素为靶材,为了提高元素反应的供应量和供应效率,在基片和靶材周围形成双层辉光等离子放电,成膜仅需要10-30min。本发明得到的薄膜与基体之间发生了互渗,因此基体与薄膜之间的结合强度高。本发明得到的薄膜表面质量高,且制备方法成本低,无污染,工艺流程较为简单,对基体本身的性能几乎无影响,不损伤基体。

    一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106756835B

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201611253178.2

    申请日:2016-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法,以氧化还原石墨片为石墨烯溅射的靶材元素,借助双阴极辉光等离子放电作用在不同基体表面溅射沉积石墨烯薄膜的方法。本发明中石墨烯在溅射成膜过程中由于两个阴极的等离子同时产生作用,增强了体系的辉光放电成膜效率。因此,所得石墨烯薄膜质量较好,性能较为稳定。本发明对基体的材料及形状具有较大的选择性,可以在不同形状及不同材料的基体上制备石墨烯薄膜,所制备的石墨烯薄膜较为均匀,而且可以大面积量制备。

    一种石墨烯纳米卷的制备方法

    公开(公告)号:CN108178149A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201810120053.5

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯纳米卷的制备方法,以氧化还原石墨烯为原料,在纳米粒子的配合下,通过摩擦剪切作用来获得石墨烯纳米卷。本发明对纳米粒子的材料及形状具有较大的选择性,得到的纳米卷与纳米粒子的分离也较为容易,而且该方法的制备工艺简单,周期短而且成本低。

    一种氧化物透明电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106756792A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611253177.8

    申请日:2016-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物透明电极薄膜的制备方法,在石英片上利用双层辉光等离子溅射反应成膜的方法实现低熔点氧化锌透明电极薄膜的制备。本发明以低熔点金属元素为靶材,为了提高元素及氧元素反应的供应量和供应效率,在基片和靶材周围形成双层辉光等离子放电,成膜仅需要10‑30min。本发明通过低熔点金属元素和氧元素的溅射反应形成大面积高质量的氧化物透明薄膜电极,薄膜的厚度在5‑10微米。本发明得到的薄膜表面质量高,具有高度的c轴(002)取向,在可见光波段平均透过率能够达到80%以上,并且薄膜能有效的屏蔽紫外光。该方法所制备的氧化物薄膜表面质量高、工艺可控性好、制备快速、成本低,尤其适合大面积快速制备。

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