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公开(公告)号:CN107881478A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201711241392.0
申请日:2017-11-30
申请人: 嘉兴岱源真空科技有限公司
发明人: 毕凯
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/35 , C23C14/3407 , C23C14/3478
摘要: 一种引弧点火装置及纳米材料制作设备,由于在拉杆与连接杆之间设计了四连杆结构,点火完成后推动拉杆,可使得连接杆与拉杆平行,点火针的末端脱离靶台的溅射范围,因此在点火针的末端不会形成球状的原子球,提高了点火针的点火成功率,不需要定时清除原子球;另外,点火针长时间工作后产生损耗变短后,可进一步拉动拉杆,连接杆转动,可使得点火针靠近靶台,因此无需频繁更换点火针,减少了点火针的浪费。
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公开(公告)号:CN100549202C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200580037265.8
申请日:2005-08-29
申请人: H.C.施塔克公司
发明人: B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC分类号: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构,高纯度,并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状,并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法,溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中,如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号:CN103668099B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201310421921.0
申请日:2013-09-16
申请人: 蒸汽技术公司
IPC分类号: C23C14/46 , C23C14/35 , C23C16/448
CPC分类号: H01J37/3438 , C23C14/0641 , C23C14/22 , C23C14/32 , C23C14/325 , C23C14/3471 , C23C14/3478 , C23C14/35 , C23C14/354 , C23C14/355 , H01J37/32055 , H01J37/32614 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J49/12
摘要: 本发明涉及一种涂布系统以及在该涂布系统中涂布基底的方法。该涂布系统包括真空腔室以及位于该真空腔室内的涂布组合件。该涂布组合件包括:蒸气源,该蒸气源将待涂布的材料提供到基底上;用于固持待涂布的基底的基底固持器,使得基底位于蒸气源的前方;阴极腔室组合件;以及远程阳极。该阴极腔室组合件包括阴极、可选的初级阳极以及屏蔽物,该屏蔽物将阴极与真空腔室隔离。该屏蔽物界定用于将电子发射电流从该极传输到真空腔室中的开口。该蒸气源位于阴极与远程阳极之间,而远程阳极耦合到阴极。该涂布系统还包括连接在阴极与初级阳极之间的初级电源以及连接在阴极腔室组合件与远程阳极之间的次级电源。
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公开(公告)号:CN100564581C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200580043073.8
申请日:2005-12-15
申请人: 先进能源工业公司
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/3478 , H01J37/34 , H01J37/3438 , H01J37/3444
摘要: 本发明提供在连续操作模式下用于绝缘材料溅射沉积的设备1,所述设备使用至少两个溅射阳极(11,12)和连接到中心抽头导体以维持该靶阴极(4)相对等离子体(2)处于负电位的阴极(4),其中交流电源(14)驱动每个阳极(11,12),交替地在溅射阳极(11,12)相对等离子体是负电位时的半循环内呈离子收集状态以吸引离子,和在溅射阳极(11,12)相对于等离子体(2)是电位小或接近等离子体(2)电位的半循环内呈电子收集状态以吸引电子。在一个替代的实施方案中,中心抽头导体用一对串联连接的二极管代替。
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公开(公告)号:CN106756792A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611253177.8
申请日:2016-12-30
申请人: 南京信息工程大学
CPC分类号: C23C14/086 , C23C14/0036 , C23C14/021 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3478
摘要: 本发明涉及一种氧化物透明电极薄膜的制备方法,在石英片上利用双层辉光等离子溅射反应成膜的方法实现低熔点氧化锌透明电极薄膜的制备。本发明以低熔点金属元素为靶材,为了提高元素及氧元素反应的供应量和供应效率,在基片和靶材周围形成双层辉光等离子放电,成膜仅需要10‑30min。本发明通过低熔点金属元素和氧元素的溅射反应形成大面积高质量的氧化物透明薄膜电极,薄膜的厚度在5‑10微米。本发明得到的薄膜表面质量高,具有高度的c轴(002)取向,在可见光波段平均透过率能够达到80%以上,并且薄膜能有效的屏蔽紫外光。该方法所制备的氧化物薄膜表面质量高、工艺可控性好、制备快速、成本低,尤其适合大面积快速制备。
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公开(公告)号:CN101057000A
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200580037265.8
申请日:2005-08-29
申请人: H.C.施塔克公司
发明人: B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC分类号: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构,高纯度,并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状,并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法,溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中,如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号:CN106841339A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710063486.7
申请日:2017-02-03
申请人: 吉林大学
CPC分类号: G01N27/308 , C23C14/185 , C23C14/3478 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C16/271 , C23C16/274 , C23C16/276 , C23C28/322 , C23C28/34
摘要: 本发明的一种用于检测双酚A的适配体传感器及其制备方法,属于电化学生物传感器的技术领域。双酚A适配体传感器是在掺硼金刚石膜(1)上沉积有金纳米颗粒(2),在金纳米颗粒上自组装适配体(3),并有巯基己醇(4)占据金纳米颗粒上的适配体遗留的空白位点。在硼掺杂金刚石膜上沉积金膜,在管式炉中退火得到金纳米颗粒,利用适配体和巯基己醇自组装,完成双酚A适配体传感器的制备。本发明掺硼金刚石的选择以及合理的结构设计有利于提高双酚A检测能力,这种新型双酚A适配体传感器灵敏度高、特异性强、重复性好,检测限低,而且检测快速,效率高,稳定性强,制备工艺简单,成本低廉。
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公开(公告)号:CN103668099A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310421921.0
申请日:2013-09-16
申请人: 蒸汽技术公司
IPC分类号: C23C14/46 , C23C14/35 , C23C16/448
CPC分类号: H01J37/3438 , C23C14/0641 , C23C14/22 , C23C14/32 , C23C14/325 , C23C14/3471 , C23C14/3478 , C23C14/35 , C23C14/354 , C23C14/355 , H01J37/32055 , H01J37/32614 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J49/12
摘要: 本发明涉及一种涂布系统以及在该涂布系统中涂布基底的方法。该涂布系统包括真空腔室以及位于该真空腔室内的涂布组合件。该涂布组合件包括:蒸气源,该蒸气源将待涂布的材料提供到基底上;用于固持待涂布的基底的基底固持器,使得基底位于蒸气源的前方;阴极腔室组合件;以及远程阳极。该阴极腔室组合件包括阴极、可选的初级阳极以及屏蔽物,该屏蔽物将阴极与真空腔室隔离。该屏蔽物界定用于将电子发射电流从该极传输到真空腔室中的开口。该蒸气源位于阴极与远程阳极之间,而远程阳极耦合到阴极。该涂布系统还包括连接在阴极与初级阳极之间的初级电源以及连接在阴极腔室组合件与远程阳极之间的次级电源。
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公开(公告)号:CN101084325A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200580043073.8
申请日:2005-12-15
申请人: 先进能源工业公司
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/3478 , H01J37/34 , H01J37/3438 , H01J37/3444
摘要: 本发明提供在连续操作模式下用于绝缘材料溅射沉积的设备1,所述设备使用至少两个溅射阳极(11,12)和连接到中心抽头导体以维持该靶阴极(4)相对等离子体(2)处于负电位的阴极(4),其中交流电源(14)驱动每个阳极(11,12),交替地在溅射阳极(11,12)相对等离子体是负电位时的半循环内呈离子收集状态以吸引离子,和在溅射阳极(11,12)相对于等离子体(2)是电位小或接近等离子体(2)电位的半循环内呈电子收集状态以吸引电子。在一个替代的实施方案中,中心抽头导体用一对串联连接的二极管代替。
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