公开(公告)号：CN108321207A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201710037590.9

申请日：2017-01-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 陈江博 ,  李全虎 ,  方金钢

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本发明实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置。所述制备方法包括：在衬底上形成有源层；在所述有源层和所述衬底的暴露表面上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第一导电层；构图所述第一导电层和所述绝缘层以在所述有源层上形成包括所述第一导电层的第一部分和所述绝缘层的第一部分的第一叠层；以及对所述第一导电层以及所述源极区和所述漏极区进行等离子体处理，以提高所述第一导电层以及所述源极区和所述漏极区的导电性。

公开(公告)号：CN104393020B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410678072.1

申请日：2014-11-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方金钢 ,  辛龙宝 ,  孙宏达

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示领域，解决了现有技术采用一道掩膜刻蚀形成第一过孔和第二过孔导致第一过孔长时间过刻，使薄膜晶体管失效的问题。一种阵列基板，包括形成在衬底上的第一薄膜晶体管和第一电极，第一薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层上形成第一过孔，刻蚀阻挡层和栅绝缘层在对应第一电极的位置形成第二过孔，第一过孔的最大孔径不大于第二过孔的最小孔径，在第一过孔的最大孔径小于等于8μm，第二过孔的最小孔径与第一过孔的最大孔径的差不小于2μm；在第一过孔的最大孔径大于8μm且小于等于14μm，第二过孔的最小孔径与第一过孔的最大孔径的比值不小于1.3。

公开(公告)号：CN104600081A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410855839.3

申请日：2014-12-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方金钢 ,  李延钊 ,  姜春生 ,  沈武林

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L29/78633 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，其中阵列基板包括位于有源层上方和/或下方的氧化锌层，该氧化锌层在阵列基板上的垂直投影至少与有源层在阵列基板上的垂直投影交叠。本发明通过在有源层的上方和/或下方设置氧化锌层，利用氧化锌层对UV光有很好的吸收作用的性质，有效地避免了UV光照对阵列基板TFT的阈值电压的不良影响。

公开(公告)号：CN104183606A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410387601.2

申请日：2014-08-07

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 沈武林 ,  李延钊 ,  方金钢 ,  郭如旺

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L21/77 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/283 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066

摘要： 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。所述显示基板包括至少一个像素单元，其特征在于，所述像素单元包括位于有源驱动电路背板中的像素驱动电路，和设置在所述有源驱动电路背板上的发光二极管芯片；所述发光二极管芯片与所述像素驱动电路电连接。本发明通过在有源驱动电路背板上直接设置LED，实现有源矩阵LED显示；且由于其充分利用了LED较优的显示特性，相较于AMOLED不受有机发光材料寿命的限制，并具有更佳的色彩还原度。

公开(公告)号：CN109728058B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201910004898.2

申请日：2019-01-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方金钢 ,  丁录科 ,  周斌 ,  张淼

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本发明提供一种显示基板及其制备方法和显示面板。该显示基板包括基底，设置在基底上的第一导电层、至少两个绝缘层和第二导电层，第二导电层通过过孔与第一导电层电连接，至少两个绝缘层包括与第一导电层接触的第一绝缘层，还包括辅助对位结构，其设置在第一绝缘层背离第一导电层的表面，其在基底上正投影围绕第一绝缘层中第一过孔在基底上正投影的至少部分边缘，以使第一过孔在第一导电层上的正投影落在其图形范围内。显示基板的辅助对位结构，能对第一绝缘层中的第一过孔形成保护，避免后续工艺对第一过孔造成损伤，或对第一过孔的形成位置构成范围限定，使第一过孔与第一导电层的对位精度不降低，以使第二导电层与第一导电层稳定电连接。

公开(公告)号：CN109378271B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201811230086.1

申请日：2018-10-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方金钢 ,  丁录科 ,  刘军 ,  李伟 ,  张扬 ,  程磊磊 ,  王东方

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明的图案化的金属膜层的制备方法，包括：在基底上依次沉积金属材料和光刻胶材料，并对光刻胶材料进行曝光，形成光刻胶保留区和光刻胶未保留区，去除光刻胶未保留区的光刻胶材料，形成位于光刻胶保留区的图案化的光刻胶；对完成上述步骤的基底上的金属材料进行刻蚀，去除位于光刻胶保留区的边缘区域和位于光刻胶未保留区的第一厚度的金属材料；对图案化的光刻胶进行处理，以使位于光刻胶保留区的中间区域的金属材料的边缘与剩余的图案化的光刻胶分离；刻蚀去除基底上剩余的、且与剩余的图案化的光刻胶未接触的金属材料，以形成图案化的金属膜层。

公开(公告)号：CN109742153A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910008686.1

申请日：2019-01-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 丁录科 ,  方金钢 ,  王庆贺

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

摘要： 本公开是关于一种阵列基板、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括：第一有源层设于衬底一侧；绝缘层设于所述第一有源层远离所述衬底的表面，所述绝缘层完全或部分覆盖所述第一有源层；源极和漏极，若所述绝缘层完全覆盖所述第一有源层，所述源极和所述漏极设于所述绝缘层远离所述第一有源层的表面；若所述绝缘层部分覆盖所述第一有源层，所述源极和所述漏极设于所述绝缘层远离所述衬底的表面，或者，所述源极和所述漏极设于所述第一有源层远离所述衬底的表面；第二有源层设于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且延伸与所述源极和漏极相接触，所述第二有源层在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影具有重叠区。

公开(公告)号：CN109037246A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810887061.2

申请日：2018-08-06

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 丁录科 ,  方金钢 ,  刘军 ,  程磊磊 ,  胡迎宾

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1244

摘要： 本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板，该阵列基板包括设于衬底基板上的第二导线，跨越第二导线的第一导线，以及设于第一导线和第二导线之间的绝缘层，该第一导线包括第一导体部和两个第二导体部，第一导体部跨越第二导线，且其两端沿第一导线的延伸方向突出于第二导线设定长度，两个第二导体部一一对应的连接于第一导体部的两端，其中，至少部分第一导体部的宽度大于第二导体部的宽度。该阵列基板的第一导体部的宽度较宽，使第一导体部的截面积较大，不容易断线，从而提高产品的良率。

公开(公告)号：CN108231597A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810002456.X

申请日：2018-01-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方金钢 ,  宋泳锡 ,  袁广才 ,  王东方

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L23/544 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：在衬底基板上形成辅助电极层；利用所述辅助电极层作为掩膜版，通过背曝光进行构图工艺形成有源层、栅极绝缘层和透明栅极层；在所述辅助电极层上形成源漏极层。本发明还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明提出的薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，能够改善薄膜晶体管的电学特性，从而提高显示效果。

公开(公告)号：CN105449127B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201610006393.6

申请日：2016-01-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方金钢 ,  宋泳锡 ,  孙宏达 ,  李伟

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L29/78627 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法包括：在形成有薄膜晶体管的基板上方依次形成平坦化层和光刻胶层，平坦化层的感光度高于光刻胶层的感光度；对平坦化层和光刻胶层同步进行曝光和显影，使光刻胶层上被去除的部位形成像素界定图形，并在平坦化层上对应于像素界定图形的位置形成阳极过孔图形，阳极过孔图形位于所述薄膜晶体管的源极上方；在完成上述步骤的基板上形成阳极图形层，阳极图形层包括多个阳极，所述阳极位于阳极过孔图形上，且与源极相连；对显影后的平坦化层进行后烘，使位于阳极过孔图形边缘的平坦化层材料覆盖阳极的边缘。本发明能够减少工艺步骤，降低生产成本。