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公开(公告)号：CN109112476B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811106536.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
Abstract: 本发明提供成膜掩膜的制造方法，向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4)，通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射，来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4)，其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18)，且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗(18)的至少一对边的侧方区域的透光率，随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减小。
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公开(公告)号：CN111052310A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055632.4
申请日：2018-08-21
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其设置在所述投影透镜上，并设有多个开口部以对于所述非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光，所述多个开口部分别具有基于所述投影透镜的投影倍率的透过率。
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公开(公告)号：CN110945627A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880047929.6
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/268 , G02B3/00 , H01L21/20
Abstract: 本发明的一方案的激光退火装置具备：光源，其产生激光；复眼透镜，其用于使激光的强度分布均匀；投影掩模，其遮蔽通过了复眼透镜的激光；及投影透镜，其由通过了投影掩模的激光形成向基板的规定的范围照射的激光束，为了抑制干涉条纹通过投影掩模而产生的莫尔条纹，使复眼透镜的排列方向相对于投影掩模的掩模图案的排列方向旋转规定角度地构成，其中，该干涉条纹是激光通过复眼透镜而产生的干涉条纹。
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公开(公告)号：CN104955605B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201480007118.5
申请日：2014-02-03
Applicant: 株式会社V技术
IPC: B23K26/382 , B23K26/046 , B23K26/06 , B23K26/08 , B23K26/082 , C03B33/09 , B28D5/00
CPC classification number: C03B33/102 , B23K26/0734 , B23K26/0823 , C03B33/0222 , C03B33/04 , C03C23/0025 , G02B7/02 , G02B19/0009 , G02B26/10 , G02B27/0927 , G02B27/0933 , G02B27/0955
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置、激光加工方法，其将激光束聚光成环状并将其聚光位置照射在基板的厚度范围内，使聚光位置向基板的厚度方向及基板的平面方向位移的过程中，以环状的聚光位置的中心进行圆周运动的方式使聚光位置位移，从而能够实现装置成本的下降，且加工处理时间的缩短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108713244A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780016032.2
申请日：2017-02-10
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模，所述薄膜晶体管的制造方法包含对成膜于基板上的非晶硅膜(8)照射激光的处理，其包含：激光退火工序，对所述非晶硅膜(8)中包含沟道区域(52)的形成区域的区域照射所述激光，使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化，由此形成包含所述沟道区域(52)的多晶硅膜(9)；以及将所述多晶硅膜(9)中的所述沟道区域(52)以外的区域通过蚀刻除去的工序。由此，本发明即使在限定激光的照射条件的状况下，也能够进一步促进非晶硅膜(8)的再结晶化，能够进一步提高移动度。
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公开(公告)号：CN105209976B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480027536.0
申请日：2014-06-16
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7015 , G03F7/201 , G03F7/70275
Abstract: 本发明涉及通过利用微透镜阵列将掩模上的图案成像在基板上而曝光基板的曝光装置等，并使射出曝光光的照明单元小型化。微透镜阵列(30)具有包含朝向与移动方向(A)相交的方向的排列且以二维方式配置的多个微透镜(31)，照明单元具有：排列有多个激光二极管的LD阵列条；以及照明光学系统，其将从构成该LD阵列条的多个激光二极管射出的多个发出光转换成缝形状的曝光光束，并利用该曝光光束的曝光光(170)对排成一列的多个微透镜上进行照明，关于与移动方向相交的方向，该曝光光束以跨越在该方向上排列的多个微透镜的方式扩展，并且关于移动方向，该曝光光束被限制为不会波及排列于在该移动方向上相邻的列上的微透镜的宽度。
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公开(公告)号：CN105121692B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201480020185.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: C23C14/042 , H01L51/0011
Abstract: 本发明是成膜掩模(1)，成膜掩模(1)具有使树脂制的膜(3)与片状的磁性金属构件(2)的一面紧密接触而形成的结构，磁性金属构件(2)具有并列排列的狭缝状的多个贯通孔(5)，成膜掩模(1)设有在上述各贯通孔(5)内的上述膜(3)的部分贯通的多个开口图案(6)，上述膜(3)具有线膨胀系数在正交二轴不同的各向异性，上述膜(3)的线膨胀系数小的轴与和上述磁性金属构件(2)的上述贯通孔(5)的长轴交叉的方向一致。
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公开(公告)号：CN107430990A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014402.4
申请日：2016-02-15
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管基板、显示面板以及激光退火方法。本发明实现提高激光退火的吞吐量，并且通过向TFT通道宽度内以高精度照射激光图案而进行激光退火，从而获得电子迁移率较高，并且具有高电位保持特性，低功耗的TFT基板。本发明的薄膜晶体管基板(1)沿基板(1A)上的纵列及横排分别排列有多个薄膜晶体管(10)，各薄膜晶体管(10)具备对形成通道区域的非晶硅层(13)进行激光退火以形成多晶硅层的激光退火部(10A)，激光退火部(10A)沿进行激光退火的激光与基板相对移动的扫描方向(S)以设定间距来配置，在与扫描方向(S)正交的方向上所形成的通道宽度(W)内具有比通道宽度还狭窄的激光退火部(10)。
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公开(公告)号：CN107004604A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064351.1
申请日：2015-11-19
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。
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