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公开(公告)号:CN104944937A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510324786.7
申请日:2015-06-15
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种ZnAl2O4/Li4Ti5O12微波介质陶瓷材料及其制备方法。以纯度≥99%的ZnO、Al2O3、Li2CO3、TiO2为主要原料,按(1-x)ZnAl2O4+xLi4/3Ti5/3O4配料,其中0.2≤x≤0.8,湿式球磨混合干燥后,于850~1100℃空气气氛下预烧4h,然后在烧制成的粉体中添加PVA粘结剂(质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液)并造粒后,压制成型,最后将瓷料在1075~1275℃下烧结4小时,从而获得所需的微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低,微波性能优异;可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN104446467A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410622914.1
申请日:2014-11-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Na2O-MgO-V2O5三元可低温烧结微波介质陶瓷。(1)将纯度≥99%的Na2CO3、MgO和NH4VO3的原始粉末按NaMg4V3O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合4h,以乙醇为球磨介质,干燥后在680℃空气气氛下预烧4h;(3)在步骤(2)制成粉体中添加粘结剂并造粒后,压制成型,最后将瓷料在770~870℃下烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的7%。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低(≤870℃),微波性能优异:介电常数(εr)为9~10,Q×f值高达32820GHz以及τf稳定,可用于LTCC谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN104387057A
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201410634291.X
申请日:2014-11-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型钛基尖晶石微波介质陶瓷及其低温制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为:(100-y)wt%Li(1+x/3)Zn(0.5-0.5x)Ti(1.5+x/6)O4+ywt%B2O3,其中0.2≤x≤0.8;0.05≤y≤2;以纯度≥99%的Li2CO3、ZnO、TiO2和B2O3为主要原料,先分别按Li(1+x/3)Zn(0.5-0.5x)Ti(1.5+x/6)O4配料,球磨混合后于900℃煅烧8h合主粉体,然后在主粉体中加入B2O3来降低其烧结温度,从而获得介电常数适中、Q×f高,谐振频率温度系数近零的LTCC微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度处于850~950℃,介电常数适中(25.2~32.5),Q×f值高(10500~24900GHz),谐振频率温度系数(τf)小;可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN103030394A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201310029387.9
申请日:2013-01-27
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成,其中低熔点物质为Bi2O3,B2O3和BaCu(B2O5)中的一种,通过固相反应,即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低、微波性能优异:Q×f值高,谐振频率温度系数τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为内电极共烧,从而大大降低器件的制造成本,可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。
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公开(公告)号:CN102603282A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201210080965.7
申请日:2012-03-22
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/46 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为:(1-x)Li3Bi2P3O12+xTiO2,其中:0≤x≤0.6;以纯度≥99%的Li2CO3、Bi2O3和(NH4)3PO4·3H2O为主要原料,先按摩尔比Li2CO3∶Bi2O3∶(NH4)3PO4·3H2O=1.5∶1∶3,预先煅烧合成Li3Bi2P3O12主粉体,然后在主粉体中加入TiO2来调节其谐振频率温度系数,从而获得介电常数与Q×f高,谐振频率温度系数近零的微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低于800℃,介电常数适中(15~24),Q×f值高(13700~26600GHz),谐振频率温度系数(τf)可调;可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN101913858A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010253416.6
申请日:2010-08-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Li2O-ZnO-TiO2微波介质陶瓷材料及其制备方法。Li2O-ZnO-TiO2微波介质陶瓷材料,由Li2Zn3Ti4O12相和TiO2两相组成。以纯度≥99%的Li2CO3、ZnO和TiO2为主要原料,先按摩尔比Li2CO3∶ZnO∶TiO2=1∶3∶4,预先煅烧合成主粉体,然后在Li2Zn3Ti4O12主粉体中加入TiO2相来调节其谐振频率温度系数,从而获得介电常数与Q×f高,谐振频率温度系数近零的新型微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低(约1100℃),微波性能优异:介电常数(εr)大,Q×f值高以及τf小;可用于谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN101602524A
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200910114201.3
申请日:2009-07-07
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G35/00
Abstract: 本发明公开了一种钽酸钾粉体的水热合成方法。将摩尔比为0.1~10的五氧化二钽和氢氧化钾放进高压釜中,按照50~80%的填充率往高压釜中加入去离子水,调节氢氧化钾的浓度至0.1~10mol/L;把高压釜密封以后,放入井式炉或者烘箱中,以每分钟1~5摄氏度的升温速度升至130~240摄氏度,保温4~72小时,然后随炉冷却;取出并打开高压釜,所得产物倒进烧杯,使用去离子水反复过滤洗涤,直至洗涤液成为中性,所得的粉体放入烘箱,在40~100摄氏度烘8~24小时。本发明方法简单,节能减排,成本较低,适合批量生产;制备的钽酸钾粉体,纯度高、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整,可用于铁电、光电、催化以及燃料电池等领域。
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公开(公告)号:CN101597166A
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200910114200.9
申请日:2009-07-07
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/01
Abstract: 本发明公开了一种锑酸锂粉体的水热合成方法。将摩尔比为0.01~5的三氧化二锑和氢氧化锂放进高压釜中,按照50~90%的填充率往高压釜中加入去离子水或者双氧水,调节氢氧化锂的浓度至1~20mol/L;把高压釜密封以后,放入井式炉或者烘箱中,以每分钟1~5摄氏度的升温速度升至120~240摄氏度,保温4~72小时,然后随炉冷却;取出并打开高压釜,所得产物倒进烧杯,使用去离子水反复过滤洗涤,直至洗涤液成为中性,所得的粉体放入烘箱,在40~100摄氏度烘6~24小时。本发明方法简单,节能减排,成本较低,适合批量生产;制备的锑酸锂粉体,纯度高、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整,可用于制备电光和压电材料。
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