-
公开(公告)号：CN115651638A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN114649491A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210261628.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。本发明不仅克服了钙钛矿量子点与传统光刻工艺不兼容的缺点，还溶剂对功能层的影响，可以实现钙钛矿量子点的图案化和QLED器件制备。
-
公开(公告)号：CN112428646B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011430716.7
申请日：2020-12-09
IPC: B32B27/28 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/00 , B32B37/24 , B32B38/14 , B41M3/14
Abstract: 本发明涉及一种基于光学凸起面的可双层识别量子点防伪标签及制备方法。包括基板层，在基板层上设置的光学凸起面层和量子点发光层，以及在最上面的盖板层。通过在随机分布且密度可控的光学凸起上采用打印或是印刷工艺制备量子点发光层，通过盖板层进行封装后，利用光学颗粒的匀光能力和光学凸起面带来的空间落差，可以对同一个平面区域的不同高度采集到不同的不可复制的图案。本发明提出的可双层识别量子点防伪标签，其工艺过程简单、成本低，化学性质稳定，可适配柔性可拉伸应用，结合量子点的丰富色彩可实现多种颜色的双层递进式防伪，通过建立两套智能标签学习库，即可实现图像的识别。该量子点防伪标签的双层识别设计兼顾易检测性和防伪能力。
-
公开(公告)号：CN113937243A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984776.1
申请日：2021-08-26
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
-
公开(公告)号：CN113937230A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984774.2
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707769A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973110.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法，通过在LED中利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入高精度图案化的绝缘层，以缩小发光单元尺寸及消除漏电流，可实现高发光效率超高分辨率发光器件的制备。本发明的漏电流阻挡层利用朗缪尔单层制备技术获取，绝缘材料体系局限性小，可选择范围广。利用朗缪尔单层制备技术及转移印刷技术获取的漏电流阻挡层，免去了光刻工艺显影刻蚀过程中的溶剂污染，将其应用于LED中，可降低甚至消除器件中的漏电流，减少能量损耗，实现高效发光，配合RGB单色发光材料或白光发光材料，可实现高分辨率全彩LED点阵。
-
公开(公告)号：CN113512416A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110848617.9
申请日：2021-07-27
Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。
-
公开(公告)号：CN108251110B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201810083022.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/06 , G02F1/13357
Abstract: 本发明属于光电发光与显示器件技术领域，具体涉及钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法，包括薄膜体系和钙钛矿量子点。具体为，在基板上制备含卤素成分的薄膜，之后在薄膜上面沉积钙钛矿量子点，得到多色发光膜。该钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法具有成膜简单，基板兼容性好，荧光产率高，色纯度高，易于大面积成膜的优点。
-
公开(公告)号：CN112635685A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011599967.8
申请日：2020-12-30
Abstract: 本发明涉及一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法，从下自上依次包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、修饰层、LB量子点薄膜、电子传输层以及阴极层。本发明可以直接通过提拉法将LB量子点薄膜转移到器件上，提高LB量子点薄膜在器件上的完整性，具有制备方法简单，量子点薄膜排列整齐致密，量子点薄膜厚度精确控制，易于大面积成膜的优点。
-
公开(公告)号：CN112625680A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
265
records
(took 0.026 seconds)
