阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

    公开(公告)号:CN109037240A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810844123.1

    申请日:2018-07-27

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/77 H01L27/32

    摘要: 本公开属于显示技术领域,提出一种阵列基板,该阵列基板包括IGZO膜层、栅极层以及栅极绝缘层;栅极层在与IGZO膜层重叠的位置设置断线以形成第一栅线和第二栅线;栅极绝缘层设于IGZO膜层与栅极层之间,其上设置有至少两个通孔,第一栅线与IGZO膜层通过其中一个通孔连接,第二栅线与IGZO膜层通过另一通孔连接;从而将IGZO膜层串连接入栅极层。在完成IGZO膜层的导体化工艺之后,给栅极层通电,能够导通说明IGZO膜层的导体化工艺成功,不能够导通说明IGZO膜层的导体化工艺失败,不需要进行下一步工艺,以节省人力物力。当然,在此步骤中已经检出不合格产品,最后完成所有工序后产品的合格率会得到提升。

    一种阵列基板、显示装置
    116.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202886793U

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201220612731.8

    申请日:2012-11-19

    IPC分类号: G02F1/1343 H01L27/12

    摘要: 本实用新型公开了一种阵列基板、显示装置,用以分散液晶分子表面的直流残留,从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本实用新型提供的阵列基板包括:基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极,公共电极上的取向膜,还包括:与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极,所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。

    一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板

    公开(公告)号:CN203085535U

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201320063961.8

    申请日:2013-02-04

    摘要: 本实用新型实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板,能够减小氧化物TFT的漏电流,可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象,提高显示性能。该氧化物TFT阵列基板包括:基板,设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极,所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连,所述氧化物TFT的源极和所述数据线之间设置有导接结构,并通过所述导接结构相连,所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。本实用新型实施例适用于显示技术领域。

    一种光触控屏以及显示装置

    公开(公告)号:CN203455808U

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201320616695.7

    申请日:2013-09-30

    IPC分类号: G06F3/042

    摘要: 本实用新型公开一种光触控屏以及显示装置,涉及光电技术领域,为能够提高触控位置的定位精确度而实用新型。所述光触控屏,包括光触控面板,所述光触控面板内设有多条第一光传输通道和多条第二光传输通道,所述第一光传输通道和所述第二光传输通道相互正交;所述光触控面板的外部设有第一传感器和第二传感器,所述第一传感器设置在所述第一光传输通道的一端,用于接收由所述第一光传输通道发出的光;所述第二传感器设置在所述第二光传输通道的一端,用于接收由所述第二光传输通道发出的光。本实用新型主要用于远距离控制显示屏。

    一种阵列基板以及显示装置

    公开(公告)号:CN203350571U

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201320292100.7

    申请日:2013-05-24

    摘要: 本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板以及显示装置。该阵列基板包括呈网格分布的非像素区以及由所述非像素区包围形成的多个子像素区,所述非像素区内设置有多条交叉设置的扫描线和数据线,所述子像素区与非像素区的上方均设置有公共电极,所述公共电极对应着所述子像素区的区域的厚度为第一厚度,所述公共电极对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度,所述第一厚度小于所述第二厚度。本实用新型通过将公共电极设置为对应着扫描线和/或数据线的区域的厚度大于子像素区的厚度的结构,增强了公共电极的导电能力,使得公共电极在整个显示面板的电压分布更均匀,提高了画面显示质量,提升显示装置的品质等级。

    光刻胶涂覆设备
    120.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202854484U

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201220575490.4

    申请日:2012-11-02

    IPC分类号: G03F7/16

    摘要: 本实用新型公开了一种光刻胶涂覆设备,涉及半导体工艺技术领域,为了解决现有技术对待涂覆的基板涂覆光刻胶时,其上沾染的异物会导致各种不良情况的发生。该光刻胶涂覆设备,包括固定在喷嘴平动装置下方的涂覆喷嘴,还包括除异物装置,位于待涂覆基板上方,用于在使用涂覆喷嘴向待涂覆基板上表面涂胶的同时,向待涂覆基板上表面的未涂胶部分喷射气体,以使异物沿喷嘴平动装置的运动方向脱离待涂覆基板。