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公开(公告)号：CN104496460A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410669987.6
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种调节CuAlO2陶瓷电导率的方法及CuAl1-xYxO2陶瓷制备方法，属于陶瓷技术领域。通过钇部分掺杂取代CuAlO2中的Al的方法来调节CuAlO2陶瓷电导率，钇部分掺杂取代CuAlO2得到化合式为CuAl1-xYxO2的物质，其中0.01≤x≤0.10。制备方法：按化学计量比称量原料；将原料放入球磨罐中球磨；将粉体放入坩埚中煅烧，煅烧温度时1100℃，然后进行二次球磨、烘干；将研磨得到的粉体压制成坯体，得到的坯体在炉子以560℃-600℃排胶、以1150℃-1250℃的温度进行烧结。通过简单的钇掺杂就能实现CuAlO2材料的电导率的改变。
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公开(公告)号：CN103194231B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310119855.1
申请日：2013-04-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/78 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料及其制备方法。其化学组成表示式为：Y2O3：xBi3+，yYb3+，zZnO，其中x的掺杂量为0.01～40mol%，y的掺杂量为0.01～50mol%，z的掺杂量为0～70mol%。组成原料为：Y2O3、Bi2O3、Yb2O3和ZnO，其中Bi2O3掺杂量为0.005～20mol%，Yb2O3掺杂量为0.005～25mol%，ZnO掺杂量为0～70mol%。本发明的稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料在利用Yb3+离子发射的同时，通过加入金属氧化物ZnO改进了其在紫外-可见区的吸收，进一步提高了Yb3+离子在900～1100nm处的发光强度，是潜在的提高晶体硅太阳能电池效率的材料。
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公开(公告)号：CN103894567A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410117834.0
申请日：2014-03-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22D11/06
Abstract: 一种提高急冷辊使用寿命的方法属于新材料制造领域，适用于急速冷却凝固的材料制造工艺中所用的急速冷却辊。许多环型薄片状金属叠在一起，组成一个与水冷辊长度相同的圆筒状组件即环片组结构；所述薄片状金属的平面取向按照垂直于水冷辊的轴向方向；该圆筒状组件套在水冷辊的外面；该圆筒状组件与水冷辊之间通过连接层连接。环片组结构中各个环片垂直于辊轴的方向，其形成的缝隙可以有效缓解循环热应力，从而抑制疲劳裂纹的产生。急冷辊采用“环片组结构”与“辊芯”分体组装的结构，当环片组结构表面在长期使用后达到一定损伤程度时，可以用新的环片组结构替换下来，就可以重新使用，而不必将整个急冷辊报废，可大大降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102719251B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210193653.7
申请日：2012-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种下转换发光增强复合粉体材料及其制备方法。其化学组成表示式为：（Y1-x-yPrxYby）PO4/zTiO2，其中x的摩尔分数为1~20%，y的摩尔分数为1~30%，z的摩尔分数为0~50%。组成原料为：Y2O3、P2O5、Pr2O3、Yb2O3和TiO2，其中Pr2O3摩尔分数为1~20%，Yb2O3摩尔分数为1~30%，TiO2摩尔分数为0~50%。本发明的下转换发光增强复合粉体材料具有强的近红外光发射，特别是加入TiO2后可以使材料的发光强度进一步增强并使近红外光区800~1100nm处的发射光谱宽化，发射主峰位置与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率，是潜在的晶体硅太阳能电池用下转换发光增强复合粉体材料。
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公开(公告)号：CN103194231A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310119855.1
申请日：2013-04-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/78 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料及其制备方法。其化学组成表示式为：Y2O3：xBi3+，yYb3+，zZnO，其中x的掺杂量为0.01～40mol%，y的掺杂量为0.01～50mol%，z的掺杂量为0～70mol%。组成原料为：Y2O3、Bi2O3、Yb2O3和ZnO，其中Bi2O3掺杂量为0.005～20mol%，Yb2O3掺杂量为0.005～25mol%，ZnO掺杂量为0～70mol%。本发明的稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料在利用Yb3+离子发射的同时，通过加入金属氧化物ZnO改进了其在紫外-可见区的吸收，进一步提高了Yb3+离子在900～1100nm处的发光强度，是潜在的提高晶体硅太阳能电池效率的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101818017A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010140748.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09D167/08 , C09D7/12
Abstract: 本发明公开了一种自清洁涂料及其制备方法，涂料包括：醇酸清漆、纳米氧化铝粒子、低表面能疏水助剂、高效油性分散剂AHH和稀释剂，其中醇酸清漆为市售普通清漆，纳米氧化铝粒子粒径13nm-200nm，醇酸清漆与纳米氧化铝粒子的质量比1∶0.05-0.01，疏水助剂与醇酸清漆的质量比10-60∶100，高效油性分散剂含量占到以上总混合物质量的0.1％-0.6％，制备时将上述原料混合搅拌，搅拌速度在2000r/min以上，搅拌时间达到5个小时以上即可，本发明的涂料使用方便，制备的薄膜具有较好的透过率，薄膜呈现茶色，具有美观作用。
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公开(公告)号：CN100448780C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710062870.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用光照使硫化镉薄膜表面亲水的方法属于材料的表面物理化学领域。硫化镉薄膜是一种被广泛应用的光催化材料。由于CdS薄膜在生长过程中，CdS容易形成各种缺陷结构和表面的粗糙不平导致CdS通常处于一种疏水状态。本发明的技术方案是：制备100纳米到500纳米CdS薄膜，保持薄膜表面的干燥，将所制备的CdS薄膜用发出紫外光的灯进行照射，该灯的功率在200瓦-1000瓦之间，并对样品照射3到6小时。本发明处理后的CdS薄膜接触角测试表明实验结果在2°-34°之间，进一步提高硫化镉薄膜以及其与二氧化钛复合之后的光催化效率。
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公开(公告)号：CN101055895A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099092.3
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结。该p－n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p－n结不仅在40－320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p－n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101007650A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710062870.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用光照使硫化镉薄膜表面亲水的方法属于材料的表面物理化学领域。硫化镉薄膜是一种被广泛应用的光催化材料。由于CdS薄膜在生长过程中，CdS容易形成各种缺陷结构和表面的粗糙不平导致CdS通常处于一种疏水状态。本发明的技术方案是：制备100纳米到500纳米CdS薄膜，保持薄膜表面的干燥，将所制备的CdS薄膜用发出紫外光的灯进行照射，该灯的功率在200瓦－1000瓦之间，并对样品照射3到6小时。本发明处理后的CdS薄膜接触角测试表明实验结果在2°－34°之间，进一步提高硫化镉薄膜以及其与二氧化钛复合之后的光催化效率。
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公开(公告)号：CN1827837A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610002052.8
申请日：2006-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域，涉及一种具有光催化性能的ZnO纳米复合结构薄膜材料的制备方法。现有简单的纳米结构薄膜材料光催化效率低、对尺度要求较苛刻。本发明其特征在于，包括以下步骤：用热气相沉积方法的常规工艺在基底上沉积一层ZnO薄膜，所通氧气流量500～3000sccm，并控制ZnO结晶在100纳米～2微米的尺度范围；向沉积室中充入含氮气体，控制含氮气体流量在50～500sccm范围，基底温度在750℃～1000℃的范围，生长时间控制在2～30分钟。本发明制备的具有p－n结的ZnO纳米复合结构光催化薄膜进行了测试，紫外光照射60分钟的光催化效率在78％以上。该纳米结构薄膜适用于对废水和废气中的有害物质的光催化处理。
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