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公开(公告)号：CN110118754B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910315604.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/55
Abstract: 本发明属于超薄膜光学性质测量表征研究领域，并具体公开了一种超薄膜光学常数快速测量方法，其包括如下步骤：S1利用照射至待测超薄膜光源的p光幅值反射系数rp和s光幅值反射系数rs表达超薄膜材料的幅值反射系数比S2对以2πdf/λ为变量在df＝0处进行二阶泰勒展开获得二阶近似形式；S3对二阶近似形式进行合并简化及替换处理将其转化为一元四次方程；S4对一元四次方程进行求解获得超薄膜材料光学常数的多个解，并通过条件判断获得正解，以此完成超薄膜光学常数的快速测量。本发明可实现超薄膜光学常数的快速测量，具有测量快速、测量准确等优点。
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公开(公告)号：CN111060711B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911420306.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01P3/36
Abstract: 本发明属于光电检测与测量领域，并公开了一种基于斯托克斯矢量的光学转速测量系统及测量方法。该系统包括线偏振光模块，传感模块和超快完全斯托克斯偏振仪，其中，线偏振光模块发射线偏振光，传感模块包括波片和滤光片，待测对象设置在波片上，待测对象旋转带动波片旋转，滤光片设置在波片的后方，该滤光片包括左右对称但光密度不同的两个部分，来自线偏振光模块的线偏振光进入旋转的波片后被调制为椭偏偏振光，该椭偏偏振光进入滤波片对该椭偏偏振光的光强进行衰减；超快完全斯托克斯偏振仪用于获得偏振光的斯托克斯矢量。通过本发明，满足工业机器人、精密加工与测量等对滚转角测量和转速测量的应用场合，具备非破坏、低成本、简洁等优点。
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公开(公告)号：CN109990736B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910240923.7
申请日：2019-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明属于光电检测与测量领域，并具体公开了一种基于斯托克斯矢量的滚转角测量方法及装置，其由线偏振光产生模块产生线偏振光，利用与待测物体固连的波片将入射的线偏振光调制为椭圆偏振光，且椭圆偏振光的偏振态由待测物体的滚转角决定，通过完全斯托克斯偏振仪测量椭圆偏振光的偏振态，从斯托克斯偏振仪测得的斯托克斯参量得到旋转物体的滚转角。与现有的滚转角测量方法和装置相比，该滚转角测量实现了滚转角的超大量程绝对式测量，能够满足精密加工与测量、工业机器人、航天器自动对接等对滚转角测量要求量程大、精度高和绝对式测量的应用场合，并具备简洁、紧凑、高速和低成本等优点。
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公开(公告)号：CN108801930B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810536399.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨率的穆勒矩阵椭偏测量装置及测量方法。入射光路采用4个偏振调制通道将一束脉冲激光分束且调制成4束偏振态相互独立的偏振光束，利用不同光程差使得各脉冲之间产生数纳秒的时间间隔，并将此4束脉冲激光依次辐照在样品表面。反射光路采用六通道偏振检测模块同步测量样品表面的反射光束的斯托克斯向量。利用此4束脉冲的已知入射与反射斯托克斯向量，可通过解线性方程组来求取样品的穆勒矩阵。本发明的装置及方法能够将穆勒矩阵的分辨率提高至脉冲光源的一个重复周期内，根据设定的脉冲光源的脉冲周期，穆勒矩阵的时间分辨率可以提高至数十纳秒级，能够广泛应用于光全息聚合物、有序材料等复杂纳米结构的原位动态测量。
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公开(公告)号：CN111553064A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010319290.1
申请日：2020-04-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F16/903 , G06N3/00 , G06N3/12
Abstract: 本发明属于光学散射测量相关技术领域，其公开了一种适用于光学散射测量的特征选择方法，所述方法包括以下步骤：(1)根据半导体工艺确定待测结构的纳米结构形貌、待测关键尺寸及材料光学常数；(2)构建待测结构的纳米结构正向光学特性模型；(3)划分稀疏网格XS，并计算稀疏网格中所有离散点对应的全光学特征组合fa，继而构成稀疏光学特征库ΩS；(4)基于过滤式特征选择算法自所述全光学特征组合fa中获得候选特征组合fc；(5)基于包裹式特征选择算法，从候选特征组合fc中对库匹配方法中的评价函数所使用的特征组合进一步提炼，以得到最终的优化特征组合f＊。本发明缩短了库匹配方法中离线建库的时间，提高了参数提取准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110118767B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910301515.8
申请日：2019-04-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于材料测量表征研究领域，并具体公开了一种材料光学跃迁分析方法及系统，其首先确定待分析材料的介电函数谱，并计算介电函数谱关于激发光能量的二阶导数谱，对二阶导数谱进行临界点分析以获取材料的临界点分析结果图；然后绘制材料的能带结构图和分态密度图，根据材料的能带结构图绘制导带与价带间的能量差值图；再根据材料的临界点分析结果图及导带与价带间的能量差值图确定临界点的空间位置及对应的导带与价带；最后在能带结构图中标识出导带与价带，并在分态密度图中确定参与临界点形成的粒子类型，以此完成材料光学跃迁分析。本发明实现了对材料光学跃迁特征的物理层面的分析解释，具有操作流程系统可靠，分析结果准确可信等优点。
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公开(公告)号：CN110687681A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910854187.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学膜系设计领域，并涉及一种光学膜系优化设计方法及产品，其具体为首先计算在初始膜系各处插入不同材料膜层后对应的目标评价函数值，以使用循环遍历的方法在初始膜系最合适的位置插入最合适材料的薄层，再对新得的膜系厚度进行优化，然后循环进行插入优化过程，以优化获得的所需膜系。通过本发明可设计获得非偏振膜系、减反膜系和消偏振分束器，相比于目前常用的Needle或其改进方法，本发明不仅能对反射偏振特性目标，亦可对透射偏振特性目标实施优化，且在一定条件下优化速度极快。
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公开(公告)号：CN110567882A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910757724.3
申请日：2019-08-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于二维材料测量领域，并具体公开了一种二维材料复光导率确定方法，其首先根据电磁波在待测二维材料中的传播效应确定对应的计算方式；对于传播效应弱的二维材料，将其等效为无限薄片层，将二维材料椭偏参数用其复光导率进行表示，从而拟合提取得到二维材料的复光导率；对于电磁波传播效应强的材料，先确定其介电函数或复折射率，然后借助介电函数或复折射率与复光导率间的转换关系确定二维材料的复光导率。该方法全面系统，操作流程清晰明了，充分考虑二维材料光电响应机理，分析结果准确可靠，适用于各种二维材料复光导率的确定。
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公开(公告)号：CN108709514B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810216877.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明属于光电检测与测量领域，并具体公开了一种紧凑型滚转角传感器装置及测量方法，包括线偏振光产生模块、传感模块和集成检测模块，线偏振产生模块包括激光器和线偏振器，传感模块包括波片，波片与待测旋转元件相连并同步转动，集成检测模块包括圆偏振分束超透镜和光强探测器；所述方法采用所述装置进行测量，由激光器发出的准直单色光经线偏振器起偏为线偏振光，然后经波片调制为椭圆偏振光，再垂直照射至圆偏振分束超透镜，经偏振分离和会聚后，得到左旋圆偏振会聚光和右旋圆偏振会聚光，最后左旋和右旋圆偏振会聚光会聚到探测器感光面上不同的两点上，并由探测器测量其光强。本发明具有测量范围大、测量精度高、整体体积小、光路简单的优点。
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公开(公告)号：CN110347017A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910581646.6
申请日：2019-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光刻领域，公开了一种基于光学衍射的套刻误差提取方法，包括：(1)确定套刻标记结构及材料光学常数；(2)建立套刻标记正向光学特性模型；(3)基于光学特性模型生成训练集；(4)确定神经网络结构；(5)神经网络训练；(6)套刻误差提取。与现有的套刻误差提取方法相比，本发明提供的方法不依赖于光学分辨率和经验线性关系，可基于一个单元实现单个方向的套刻误差测量，套刻标记面积更小，并且可从更复杂的非线性套刻光学表征量中提取套刻误差，提取过程快速、准确、鲁棒性好。
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