一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

    公开(公告)号:CN107620102B

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201710608242.2

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Gd(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液,并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,混合均匀后获得电沉积溶液,置于水浴中,使其温度达到所需温度;在电沉积溶液中插入三电极体系,通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜,将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于鼓风干燥箱中干燥,再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理,制得(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单,相比于先做粉后成膜的传统方法,极大地简化了薄膜制备方法,同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响;并且本发明提供的方法操作简单,耗时短,薄膜质量好。

    一种太阳能电池CIGS靶材的快速制备方法

    公开(公告)号:CN110373641A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910620889.6

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池CIGS靶材的快速制备方法,其包括制备铜铟镓硒四元粉,硒化亚铜粉,以及硒化铜粉,然后烧结成CIGS四元靶。首先将称量好的三种原料粉研磨,然后分别放入行星球磨机内混合12-48h(公转300-500转/分,公转和自转比为1:2,球磨罐材料为氧化锆内衬,球磨介质为酒精,磨球材料为ZrO2,抽真空后向腔体内充入氩气)使之合金化,随后将粉体置于放电等离子体烧结炉中(冲入氩气等惰性气体,抑制Se的挥发)烧结制备得到铜铟镓硒四元靶。本发明工艺采用SPS烧结,简单有效,相较于传统的热压及其他烧结来说,效率更高,能够做到在较低温度、短时间内快速烧结,烧结制备的的晶粒尺寸较小,在同等条件下制备得到的靶材相对密度更高,达98%以上。

    一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

    公开(公告)号:CN107620101B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201710608241.8

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种(La1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将La(NO3)3·6H2O或者La(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液,并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,混合均匀后获得电沉积溶液,置于水浴中,使其温度达到所需温度;在电沉积溶液中插入三电极体系,通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜,将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于鼓风干燥箱中干燥,再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理,制得(La1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单,相比于先做粉后成膜的传统方法,极大地简化了薄膜制备方法,同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响;并且本发明提供的方法操作简单,耗时短,薄膜质量好。

    一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

    公开(公告)号:CN107557833B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201710608253.0

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Tb(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的溶液,并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,混合均匀后获得电沉积溶液,置于水浴中,使其温度达到所需温度;在电沉积溶液中插入三电极体系,通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜,将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于鼓风干燥箱中干燥,再将干燥好的电沉积薄膜置于通有氮气的管式炉进行热处理,制得Tb2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单,相比于先做粉后成膜的传统方法,极大地简化了薄膜制备方法,同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响;并且本发明提供的方法操作简单,耗时短,薄膜质量好。

    一种无须真空脱水即可用于生产硅烷改性聚醚密封胶的碳酸钙填料

    公开(公告)号:CN109825111A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910247240.4

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明提供一种无须真空脱水即可用于生产硅烷改性聚醚密封胶的碳酸钙填料,涉及非金属矿物技术领域,该碳酸钙填料是通过以下方法得到的:按照重量比方解石粉:水:助磨剂=1:0.3-1.5:0.001-0.1将三者混合均匀后球磨过滤,加入占干粉总重量0.5-3%的活化剂,在40-80℃充分反应,冷却,脱水至含水量不大于1%,再经带干机干燥至含水量不大于0.1%的粉体,即可;本发明采用湿法加工和改性,结合两级干燥的方式,获得水份含量低于0.1%的超细碳酸钙粉体,满足无须搅拌加热真空脱水,室温直接生产聚醚密封胶的工艺要求。

    一种金属铝包覆立方氮化硼的制备方法

    公开(公告)号:CN109202063A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201811159989.5

    申请日:2018-09-30

    CPC classification number: B22F1/025

    Abstract: 本发明提供了一种金属铝包覆立方氮化硼的制备方法,属于超硬材料技术领域。本发明首先对立方氮化硼进行表面羟基化改性,该立方氮化硼表面接枝羟基便于在立方氮化硼表面形成硅氧,再采用表面修饰有纳米硅氧层的立方氮化硼粉和铝粉作为原料,在氯化盐中,通过熔融-冷却方式处理实现铝粉对立方氮化硼粉的熔融包覆。实施例结果表明,本发明成功实现了金属铝在立方氮化硼粉体的包覆。

    一种无机粉体水性样品活化率测试装置及方法

    公开(公告)号:CN107976512A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201611148976.9

    申请日:2016-12-14

    Inventor: 龙飞 莫淑一

    CPC classification number: G01N33/00 G01N2033/0091

    Abstract: 本发明属于实验室仪器应用技术领域,具体公开了一种无机粉体水性样品活化率测试装置及方法,包括长方体槽,以及设置在长方体槽底部的楔形块,及设置在长方体槽底部,楔形块薄端棱边的带塞圆孔,测试的主要步骤包括:(1)样品预处理;(2)样品的装置;(3)测试:静置1h-24h后,打开放置在上的长方形槽的带塞圆孔,将粉水混合物排入在下的长方形槽内部,静置24h-48h后,打开放置在下方的长方形槽带塞圆孔,将粉水混合物排出,紧粘长方形槽底部的粉体即为未改性或活化的部分,计算活化率。本发明用于无机粉体水性样品的活化率测试,其设计结构简单、测试重复性好、与油性现行指标有一定的可比性、仪器使用寿命长。

    一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

    公开(公告)号:CN107620101A

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201710608241.8

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将La(NO3)3·6H2O或者La(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液,并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,混合均匀后获得电沉积溶液,置于水浴中,使其温度达到所需温度;在电沉积溶液中插入三电极体系,通过电沉积反应在导电玻璃上沉积一层薄膜,将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于鼓风干燥箱中干燥,再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理,制得(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单,相比于先做粉后成膜的传统方法,极大地简化了薄膜制备方法,同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响;并且本发明提供的方法操作简单,耗时短,薄膜质量好。

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