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公开(公告)号：CN112599714A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110019740.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化量子点制备纳米LED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化量子点薄膜、电子传输层、金属阴极，所述图案化量子点薄膜以转印的方法制备，包括以下步骤：1）预先制备带图案化凹槽的PDMS印章；2）通过LB膜拉膜机生成量子点LB膜；3）将PDMS印章粘附量子点LB膜，使量子点填充满凹槽处，得到图案化的量子点；4）将凹槽处填充了量子点的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使图案化的量子点被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至纳米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN112599692A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110011504.3
申请日：2021-01-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于光刻工艺的纳米级像素化量子点发光器件及其制备方法，通过采用光刻工艺制作纳米级直径的Bank或直接对特定的量子点配体进行光交联，从而获得纳米级像素化量子点发光层。基于光刻工艺的图形化方案相对成熟，能获得更高分辨率的发光器件。通过更换基板材料和电极材料，该方案能够制作成柔性或可拉伸发光器件，满足更多应用场景的需求。同时该方案可以在非电接触情况下，通过交流电场驱动可以实现对纳米级像素化量子点发光器件的点亮，从而降低对驱动电路的要求，具有较高的可行性和实用性。
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公开(公告)号：CN111952470A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828294.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN111952467A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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公开(公告)号：CN109291674B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811175235.9
申请日：2018-10-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于防伪标签材料技术领域，具体涉及一种基于喷墨打印的不可复制防伪标签，包括防伪标签的墨水配制和基板处理。具体为：步骤S1：配制含有防伪材料的墨水；步骤S2：对防伪标签基板进行表面修饰；步骤S3：将配制好的防伪材料墨水按需打印在修饰过的基板上，干燥成膜。本发明制备防伪标签的策略具备工艺简单可靠，成本低廉，材料利用率高，绿色环保，不可复制，防伪级别容量可调，对防伪材料和基板兼容性好，同时可以彩色化、图案化，有利于不可复制防伪标签的普及与产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110911573A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911200627.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种提高发光效率的交流驱动有机发光场效应晶体管及其制备方法，由下至上依次包括电极、有机发光层、绝缘层、金属栅极；还包括有源层，所述有机发光层结构呈凸型，在发光层两侧凹槽内填充有所述有源层，所述金属栅极接交流驱动信号，所述有源层接直流电源负极，所述电极接直流电源正极。本发明利用电荷堆积产生电场推（拉）有机材料中的载流子，使得发光层载流子与有源层极性相反的载流子充分接触，复合发光。栅极交流电的加载，其幅值和频率的可调控性，使得该结构下，整周期都发光，不仅解决了层状OLETs器件厚度高、串联电阻高、功耗高的缺点，同时打破了交流驱动OLETs材料的局限性。
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公开(公告)号：CN110880558A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911200107.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电荷产生层的交流驱动钙钛矿LED器件。包括自下而上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、第一p-n结型电荷产生层、发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。本发明所述发光层采用溶液法制备，操作简单，适用于大规模生产，并且能大幅度降低生产成本。并且在限定的电压或功率下，通过调节频率可以对钙钛矿LED的亮度进行调节；还可以通过改变钙钛矿材料的组分，实现器件的多色发光。
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公开(公告)号：CN110854285A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911201311.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种交流电源驱动的激基复合物OLED发光器。包括自下而上依次设置的透明基板、透明导电薄膜正电极、空穴注入/传输层、P型供体层、N型受体层、电子注入/传输层和金属负电极，在透明导电薄膜正电极与空穴注入/传输层之间设有第一介电层；在电子注入/传输层和金属负电极间设有第二介电层；所述第一介电层和第二介电层，在交流电源下使透明导电薄膜正电极与金属负电极之间产生交变电场，从而实现交流电源直接驱动。本发明的第一介电层、第二介电层使激基复合物OLED发光器件在设定频率交流电源驱动下达到最佳发光效果；通过改变供受体材料OLED器件能发出任何颜色的光；在限定的电压下，其亮度可以通过频率调节。
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公开(公告)号：CN110854284A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911199971.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。本发明不仅可以有效地避免电荷积聚现象，还可以有效地避免有机层与阴、阳极之间的电化学反应，从而保护钙钛矿LED器件不受大气中水分和氧气的影响。
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公开(公告)号：CN110767816A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911201116.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于交流驱动的钙钛矿LED及其制备方法，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。本发明空穴传输层、发光层均可用溶液法制备，操作简单，可以在一定程度上降低生产成本；通过改变钙钛矿材料的组分，可实现器件的多种颜色发光；通过调节频率可以对钙钛矿LED的亮度进行调节。
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