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公开(公告)号：CN111390747B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010325360.4
申请日：2020-04-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/34 , B24B29/02 , B24B51/00 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种半导体晶圆加工中浆料的定量抽换装置，包括碱液罐、酸液罐、浆料罐、水罐、定量称重装置和PLC控制系统，PLC控制系统包括酸碱比重监控中心，浆料罐还设有电极探测装置和监测棒，电极探测装置和监测棒分别与酸碱比重监控中心电连接，该装置引入了酸碱比重监控中心，酸碱比重监控中心可以根据反馈得到的酸碱浓度、液位和比重等信号对浆料进行调控，使浆料的有效成分处于动态平衡状态，维持了抛光制程加工的稳定性；另外，浆料罐包括振动装置和清洁装置，振动装置使浆料均匀分散，浆料不易包覆在监测棒末端和电极探测装置末端上，增加了对监测棒末端和电极探测装置末端的及时清洁功能，提高了监测棒末端和电极探测装置末端的准确性。
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公开(公告)号：CN114631260A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202180005885.2
申请日：2021-09-01
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供一种滤波器用基板的加工方法、基板及TC‑SAW滤波器。所述滤波器用基板的加工方法包括：加工具有凸同心圆结构的支撑层衬底；凸同心圆结构中心凸起，包括至少两层圆环结构，圆环结构从所述中心向外高度逐步降低；将支撑层衬底中具有凸同心圆结构的那一侧与压电晶片进行键合得到复合衬底；将复合衬底中的压电层减薄至预定厚度范围内后对其表面进行抛光。本申请利用具有凸同心圆形貌的支撑层衬底，可明显降低压电层的抛光难度，得到厚度基本一致的压电层衬底，从而得到均匀性好的压电层薄膜，进而大幅提高使用该压电层薄膜的滤波器芯片的良率。
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公开(公告)号：CN112605847B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011319826.6
申请日：2020-11-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种改进的晶片衬底抛光方法与装置，衬底抛光载具材料中，在热熔压敏胶与绒毛层之间黏贴一层圆形压罩，使具有隆起的加压方式，对其欲改变形貌的位置加以抛光移除或改变区域性应力；将该具有圆形压罩的载具贴合在底材上；将其晶片衬底放入已制作完成的载具上进行衬底抛光作业。采用该晶片衬底抛光方法，可以将晶片衬底由不规则型改变为一致同心圆形貌，且圆心可为正中心对称，外延磊晶可获得一致性的同心圆衬底，该单片外延波长均匀性可达90％以上。
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公开(公告)号：CN111755578B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010670882.8
申请日：2020-07-13
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法。本发明的方法中，沿多条扫描线对衬底进行激光扫描，在衬底内部形成多个改性点，该改性点可以是气泡或空洞；然后对衬底进行退火处理。激光辐照产生的气泡或空洞能够增加对光的反射，由此提高衬底的反射率；退火工艺消除或者降低了空洞或气泡周围由于激光辐照产生的热损伤层和微裂纹等缺陷，由此消除或者降低了这些缺陷对光的吸收，降低了衬底对光的吸收。在上述提高衬底的反射率降低衬底对光的吸收两方面的综合作用下，显著提高LED芯片的出光率，提高LED芯片的亮度。本发明的用于半导体器件的衬底以及发光二极管均可采用上述方法对衬底进行处理，因此同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN113097357A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110317828.X
申请日：2021-03-25
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法，其中，该图形化衬底包括：衬底和微纳复合图形结构。微纳复合图形结构形成于所述衬底的一侧表面；所述微纳复合图形结构包括主图形和表面微结构；所述主图形为凸部结构且包含不平行于所述衬底且背对所述衬底的侧面，所述表面微结构位于所述主图形的所述侧面，所述表面微结构包括垂直于所述主图形的所述侧面且背对所述衬底的所述侧表面的侧面。通过上述方案能够提高衬底的出光率，从而提高LED的亮度。
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公开(公告)号：CN113092500A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110341860.1
申请日：2021-03-30
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01N21/01
摘要： 一种用于检测衬底的装置及其使用方法，本发明结合压电材料（如钽酸锂、铌酸锂）产线的实际需求以及后续滤波器件制作加工的实际需要提出了一种新型的衬底检测装置：该装置包括主摄像镜头、反射率镜头、透射率镜头、色度采集装置和计算机模块，利用该装置可以检测衬底的直径以及衬底抛光面的洁净度、刮伤和凹洞等缺陷，同时还可以检测衬底边缘的损伤和衬底的色度，克服了传统目检和镭射检测的问题。
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公开(公告)号：CN113013050A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110225519.X
申请日：2021-03-01
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶片翘曲测量装置和方法，所述装置包括：加热部件，其用于加热晶片；加热控制器，用于控制加热部件的加热参数和/或状态；温度探测器，用于探测晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；光源，用于产生探测光束；第一光学组件，用于基于探测光束获得平行入射光束；反射镜组，用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使平行入射光束分别沿两入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，基于两路光返回时间差确定晶片中央位置和晶片边缘位置的高度差，从而确定受热晶片的翘曲度。
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公开(公告)号：CN112701198A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011564591.7
申请日：2020-12-25
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形化衬底、发光二极管及制备方法，在一实施例中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面上的若干个周期性紧密排布的图形结构，相邻的图形结构之间的最小距离小于或等于0.1μm；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分包括圆柱部和围绕圆柱部均匀排布的第一突出部和第二突出部；第一突出部和第二突出部间隔设置，第一突出部的横截面积大于或等于第二突出部的横截面积。由此，本发明所述的图形化衬底及发光二级管能够有效降低磊晶面的面积和位错密度，提高发光效率；并能够进一步增加光的散射效率，增加LED的亮度。
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公开(公告)号：CN111816593A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010734857.1
申请日：2020-07-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，涉及半导体相关技术领域，该方法包括以下步骤：利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出晶片的蚀刻面；使晶片绕预设轴线旋转，以使晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。晶片固定装置能暴露出晶片的蚀刻面，减少晶片蚀刻面的被遮挡面积，蚀刻气体易到达晶片的蚀刻面并对其进行蚀刻；且晶片绕预设轴线旋转，晶片均匀地到达蚀刻速率较快的区域及蚀刻速率较慢的区域，在每个旋转周期内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，晶片的蚀刻面能均匀地接触蚀刻气体以保证蚀刻气体均匀地蚀刻晶片。
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公开(公告)号：CN111785666A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010742195.2
申请日：2020-07-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台，涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括：使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触；且第一载具与晶片的接触位置至少为三个；将第一载具由第二载具支撑，第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让；使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致，以及通过改变晶片载具的结构，使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同，从而使蚀刻更加均匀，缩短晶片的蚀刻时间，避免衬底局部过蚀刻的问题，进而提高衬底的品质。
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