一种改进的晶片衬底抛光方法与装置

    公开(公告)号:CN112605847B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202011319826.6

    申请日:2020-11-23

    IPC分类号: B24B29/02 B24B41/06

    摘要: 本发明公开了一种改进的晶片衬底抛光方法与装置,衬底抛光载具材料中,在热熔压敏胶与绒毛层之间黏贴一层圆形压罩,使具有隆起的加压方式,对其欲改变形貌的位置加以抛光移除或改变区域性应力;将该具有圆形压罩的载具贴合在底材上;将其晶片衬底放入已制作完成的载具上进行衬底抛光作业。采用该晶片衬底抛光方法,可以将晶片衬底由不规则型改变为一致同心圆形貌,且圆心可为正中心对称,外延磊晶可获得一致性的同心圆衬底,该单片外延波长均匀性可达90%以上。

    一种晶片翘曲度的测量方法

    公开(公告)号:CN110739246A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910827442.6

    申请日:2019-09-03

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种晶片翘曲度的测量方法,包括以下步骤:先获取参考点阵图像数据,再获取被测点阵图像数据,最后控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓,控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓,计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量,就可得出晶片的翘曲度值,以来分析判断晶片边缘的整体形态。采用上述技术方案后,采用影像方式撷取晶片边际线的方式计算,可节省雷射光束的机构建置成本,同时CCD相机可与外观检验同时使用,可降低检验与量测机台的成本,更有利于业界所需;能够对成叠的晶片外观进行快速的检测,检验效率提高了30%以上。

    一种改进的晶片衬底抛光方法与装置

    公开(公告)号:CN112605847A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011319826.6

    申请日:2020-11-23

    IPC分类号: B24B29/02 B24B41/06

    摘要: 本发明公开了一种改进的晶片衬底抛光方法与装置,衬底抛光载具材料中,在热熔压敏胶与绒毛层之间黏贴一层圆形压罩,使具有隆起的加压方式,对其欲改变形貌的位置加以抛光移除或改变区域性应力;将该具有圆形压罩的载具贴合在底材上;将其晶片衬底放入已制作完成的载具上进行衬底抛光作业。采用该晶片衬底抛光方法,可以将晶片衬底由不规则型改变为一致同心圆形貌,且圆心可为正中心对称,外延磊晶可获得一致性的同心圆衬底,该单片外延波长均匀性可达90%以上。

    一种线切割装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211415813U

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201921710118.8

    申请日:2019-10-14

    IPC分类号: B28D5/04 B28D7/00

    摘要: 一种线切割装置,其包括:固定部件和切割部,所述的固定部件包括支架,支架的一侧固定有旋转组件、同步旋转组件、两个真空锁紧组件,旋转组件由电力带动旋转、同步旋转部件在旋转组件的带动下同步旋转,同步旋转组件和旋转组件分别连接有一真空锁紧组件,两个真空锁紧组件用于对晶棒的两端面真空夹持,所述的切割部包括切割线以及至少两个线辊通过旋转组件带动固定晶棒进行旋转切割,可以减切割时少晶棒与切割线之间的面积,提升切割速率。