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公开(公告)号：CN112605847A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011319826.6
申请日：2020-11-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种改进的晶片衬底抛光方法与装置，衬底抛光载具材料中，在热熔压敏胶与绒毛层之间黏贴一层圆形压罩，使具有隆起的加压方式，对其欲改变形貌的位置加以抛光移除或改变区域性应力；将该具有圆形压罩的载具贴合在底材上；将其晶片衬底放入已制作完成的载具上进行衬底抛光作业。采用该晶片衬底抛光方法，可以将晶片衬底由不规则型改变为一致同心圆形貌，且圆心可为正中心对称，外延磊晶可获得一致性的同心圆衬底，该单片外延波长均匀性可达90％以上。
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公开(公告)号：CN111515792A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010351162.5
申请日：2020-04-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种适合石墨烯生长的衬底材料及其制作方法，包括以下步骤：1)对蓝宝石晶体进行切割，形成蓝宝石片状体毛坯；2)将所述蓝宝石片状体毛坯进行研磨，形成蓝宝石片状体半成品；3)将所述蓝宝石片状体半成品进行倒角、退火和抛光，获得适合石墨烯生长的蓝宝石片状体成品。采用上述技术方案后，加工流程切割研磨抛光各自优化参数作业下，加工良率可获得直通良率为97％以上；外延波长均匀性可收敛至std
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公开(公告)号：CN117845317A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311839606.X
申请日：2023-12-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种金属基板抛光方法，至少包括预研磨步骤，采用机械研磨工艺对所述金属基板进行表面平整化加工；电解抛光步骤，使用电解抛光设备对金属基板进行电解抛光，所述电解抛光设备包括电解槽、置于电解槽内的阴电极以及用于夹持金属基板的阳电极；于所述电解槽内加入电解液，将阳电极夹持在金属基板的平边区范围内，并将金属基板置入电解液中进行抛光；平边形成步骤，去除平边区以使得金属基板边缘形成呈直线的平边；清洗步骤。通过上述步骤能够有效减少抛光时长的同时得到良好的抛光表面质量，降低成本。
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公开(公告)号：CN117620865A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311828449.2
申请日：2023-12-27
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种晶圆抛光方法，采用抛光设备对所述晶圆进行抛光；所述抛光设备包括抛光槽、置于抛光槽内的承载装置以及位于所述承载装置上方的至少一局部抛光件；还包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆固定于承载装置上；所述晶圆具有待加工表面，对所述待加工表面上的缺陷部位进行定位；所述抛光槽内添加有抛光液；利用至少一局部抛光件对浸没于抛光液中的晶圆待加工表面上的缺陷部位进行局部抛光处理；其中，所述局部抛光件具有与所述晶圆表面进行接触抛光的抛光垫，所述抛光垫与晶圆表面接触的抛光接触面积小于所述晶圆待加工表面的面积。通过上述方法，可有效对局部缺陷进行修复，改善晶圆抛光质量。
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公开(公告)号：CN115332052A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210977056.7
申请日：2022-08-15
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种可降低形变应力的衬底加工方法及衬底，包括：将晶棒切割为晶片，并对晶片进行研磨，以改善晶片的平整度；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一方向平行的第一沟槽，第一方向与晶片的平边方向平行，多个第一沟槽在晶片的第一径向方向上间隔设置，且多个第一沟槽沿第一径向方向布满晶片的第一表面；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一沟槽垂直的第二沟槽，多个第二沟槽在晶片的第二径向方向上间隔设置，且多个第二沟槽沿第二径向方向布满晶片的第一表面；对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片进行高温退火；利用抛光设备对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片的第二表面进行抛光。该方法减小了晶片的翘曲和变形程度。
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公开(公告)号：CN110589833A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910827417.8
申请日：2019-09-03
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： C01B32/991 , B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种研磨废浆料中的碳化硼回收利用的方法，包括以下步骤：步骤1,研磨废浆料的收集：将蓝宝石研磨制程作业后的废浆料通过桶装的方式对其进行收集；步骤2,固液分离：将步骤1收集到的研磨废浆料，进行固液分离，沉淀后，提取底部的下层粉料备用；其中，固液分离采用的方式为重力沉淀法，沉淀时间为30～60min；步骤3，脱水烘干：提取步骤2的下层粉料至脱水机中进行脱水、烘干，获得含水率在5～10％的废弃旧干粉；其中脱水机的转速为600～2000rpm，脱水时间为10～20min，烘烤温度为80～120℃；步骤4，粒径筛分：将步骤3获得的废弃旧干粉放置到粒径分选机上进行分选，获得筛分后的碳化硼回收粉料。
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公开(公告)号：CN116276625A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211679002.9
申请日：2022-12-26
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请涉及蓝宝石衬底加工技术领域，特别涉及上研磨盘、上研磨盘组件以及研磨装置，该上研磨盘包括上研磨盘体以及第一环向围挡组件；上研磨盘体设置有第一盘内连接部和第一环形盘部，第一环形盘部围绕第一盘内连接部的外周设置并邻接第一盘内连接部；第一环向围挡组件与第一环形盘部围合成第一环形积液槽，第一环形积液槽沿第一环形盘部的环向设置且位于第一环形盘部的上侧；其中，第一环形盘部设置有与第一环形积液槽连通的N组向下注液孔，每组向下注液孔具有绕第一环形盘部的环向分布的多个向下注液孔；其中，N大于或等于1。本申请能够提高晶片研磨后的平整度及一致性。
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公开(公告)号：CN115621114A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211328688.7
申请日：2022-10-27
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明的目的在于提供一种蓝宝石衬底的加工方法，区别于传统切割、双面研磨及单面抛光等方式，本发明为线切后先进行退火，去除蓝宝石衬底的切割应力并降低翘曲度，之后一面使用喷砂制作粗糙度，粗糙表面利于后续的表面涂蜡，于另外一面贴蜡并进行铜抛与抛光。此加工方法可大幅减小衬底所移除的厚度，减少成本，提升加工效率。
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公开(公告)号：CN109852484A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910087937.X
申请日：2019-01-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： C11D1/14 , C11D1/29 , C11D1/62 , C11D1/72 , C11D1/722 , C11D1/82 , C11D3/12 , C11D3/33 , C11D3/36 , C11D3/60 , B08B3/08
摘要： 一种晶片用的清洗剂，包括固体颗粒、表面活性剂、螯合剂；所述的清洗剂为介于固体状态和流动液体状态的非牛顿流体或固体状态，该清洗剂可以运用于单晶或多晶晶片切割面经研磨后的清洗步骤，该清洗剂的表面清洗效率更高，减少固体颗粒以及研磨磨料中的悬浮剂的残留，提高清洗良率。
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公开(公告)号：CN116276643A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314570.7
申请日：2023-03-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： B24B41/06 , B24B29/02 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种衬底的加工工艺，通过两次上蜡确保衬底与载盘贴合的第一表面整面涂覆有蜡，衬底的侧边缘处具有一由蜡形成的斜坡，在后续的抛光工艺中，衬底侧边缘处的蜡对衬底第一表面的蜡形成保护作用，使衬底第一表面上的蜡在抛光过程中不会因表面摩擦产生的热而融化，确保衬底在抛光过程中第一表面上始终附着有蜡以使衬底抛光后的平坦度较佳，从而提高衬底的使用率和良率。
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