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公开(公告)号:CN201910395U
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201020668539.1
申请日:2010-12-09
申请人: 北大方正集团有限公司
IPC分类号: H01J37/32 , H01J37/08 , H01J37/143
摘要: 本实用新型涉及离子束蚀刻领域,特别涉及一种阳离子源装置,能够减少作为阴极的磁极和阳极间短路的风险,并且能够延长磁极的使用寿命。本实用新型的阳离子源装置,包括:腔体、内磁极、外磁极、永磁体以及阳极,其中,所述内磁极内表面包括:第一接触区域,其至少部分地与永磁体的上表面接触;和第一非接触区域,其至少部分地与永磁体的上表面不接触;其中,所述第一非接触区域的至少一部分相对于所述第一接触区域而凹陷或向外倾斜。
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公开(公告)号:CN202246951U
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201120365644.2
申请日:2011-09-28
申请人: 北大方正集团有限公司 , 珠海方正印刷电路板发展有限公司
摘要: 本实用新型提供了一种用于PCB垂直式镀线的残液收集装置,包括:传送机构,安装在PCB在制板在PCB垂直式镀线的各槽的行进路径上,位于PCB垂直式镀线的飞巴的下方;残液收集盘,设置在传送机构上。本实用新型提供了一种PCB垂直式镀线,包括上述实施例的残液收集装置。本实用新型达到了减少生产过程中各槽药水的交叉污染的效果。
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公开(公告)号:CN201975363U
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201020668536.8
申请日:2010-12-09
申请人: 北大方正集团有限公司
摘要: 本实用新型涉及离子束蚀刻技术领域,公开了一种阳离子源装置。本实用新型的阳离子源装置,包括多个永磁体以及至少两个布气通道,所述多个永磁体沿所述布气通道分布,且至少一对相邻的布气通道之间连通。采用本实用新型的离子源装置,将现有阳离子源腔体内的上、下布气通道连通,相对现有的阳离子源装置,使得离子源腔体内的气体分布均匀,提高离子源的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号:CN201931454U
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201020668597.4
申请日:2010-12-09
申请人: 北大方正集团有限公司
摘要: 本实用新型提供一种真空吸附台面及具有该真空吸附台面的真空吸附台,属于真空吸附技术领域,其可解决现有的真空吸附台面易造成工件表面损伤的问题。本实用新型的真空吸附台面包括:用于设在真空源上的支撑板,所述支撑板上具有支撑板吸附孔;设在所述支撑板上的承载板,所述承载板上与所述支撑板吸附孔相对应的位置处具有承载板吸附孔,且所述承载板中,至少用于承载工件的部分的硬度低于所述支撑板的硬度。本实用新型的真空吸附台包括用于提供真空环境的真空源,以及设在所述真空源上的上述真空吸附台面。本实用新型可用于在曝光工艺中支撑线路板等。
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