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公开(公告)号：CN1793874A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111477.8
申请日：2005-12-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01N23/227 , G01N13/00 , G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
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公开(公告)号：CN1776442A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510110630.5
申请日：2005-11-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
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公开(公告)号：CN1702926A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510025274.7
申请日：2005-04-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01S5/00
摘要： 本发明公开了一种激发光源和量子点发光光源集成的、灵巧的、便携式微型单光子光源。激发光源为激光二极管，发光光源为量子点嵌埋的三维光学微腔。以激光二极管的芯片作为衬底，在衬底上依次排列量子点嵌埋的三维光学微腔和滤光片。三维光学微腔是由微腔膜系和膜系四周刻蚀呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱构成的。这种结构的优点是：在微腔膜系的垂直方向上形成一维光子晶体，同时微腔膜系又与空气柱形成二维光子晶体，整个结构构成一个三维光子晶体微腔，当嵌埋在微腔中的量子点被激光二极管激发时，由于三维光学微腔的选模作用，可以获得性能优良的单光子输出，形成单光子源。
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公开(公告)号：CN1638218A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410084778.1
申请日：2004-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法，光学微腔包括：衬底，与衬底牢固结合的光学微腔，嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成，其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致。其制备方法是将量子点的生长过程与光学微腔的制备过程分离开来，使其不再直接关联，从而使得两个制备过程之间不再相互制约，极大地拓宽了两个独立制备过程各自的选择范围，可以设计制备出性能更优良的光学微腔和量子点，而且大大简化了整个制备工艺过程，最终使得制备高性能的单量子点嵌埋光学微腔成为现实。
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公开(公告)号：CN1622285A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089448.1
申请日：2004-12-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
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公开(公告)号：CN205723564U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620319436.1
申请日：2016-04-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/101
摘要： 本专利公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
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公开(公告)号：CN205039169U
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201520736394.7
申请日：2015-09-22
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L27/146 , G01J5/20
摘要： 本专利公开了一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN208225887U
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201820908870.2
申请日：2018-06-12
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本专利公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本专利可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本专利的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205810833U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620558451.1
申请日：2016-06-12
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352
摘要： 本专利公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本专利采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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公开(公告)号：CN204332979U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420597469.3
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0216
摘要： 本实用新型公开了一种亚波长等离激元微腔光耦合结构，通过等离激元微腔对入射光的传播方向和光场分布进行调制，使入射光被限制在微腔中传播，减小了光的逃逸，提高了光子的利用率。入射光场被集聚在微腔中使得强度得到极大的增强，通过在微腔中夹持光电转换材料能够形成高响应率的光电探测器。该耦合结构由上层周期性金属条块形成的金属光栅层、光电转换激活层和下层金属反射层组成。本实用新型的优点是：利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应，使得进入到微腔的光子沿横向传播并形成驻波，既集聚了光场能量又增加了等效光吸收的长度，使得探测器响应率得到极大地提升。
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