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公开(公告)号：CN104138870A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310170180.3
申请日：2013-05-10
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： H01L21/67023 , B08B3/10 , B08B3/123 , H01L21/02063 , H01L21/76814
摘要： 本发明揭示了一种硅片清洗装置及方法，该装置包括：外置槽、内置槽、超/兆声波换能器、超/兆声波发生器、硅片夹及螺杆。外置槽开设有排液口。内置槽套设于外置槽内，内置槽的侧壁开设有进液口及出液口，出液口位于内置槽侧壁接近底部的位置。超/兆声波换能器设置于内置槽的底部。超/兆声波发生器与超/兆声波换能器相连接。硅片夹夹持硅片，硅片的待清洗面朝向超/兆声波换能器。螺杆与硅片夹相连接，螺杆带动硅片夹上下移动和旋转。本发明清洗硅片时，使硅片的待清洗面朝向超/兆声波换能器，并且使清洗硅片的清洗液循环流动，能够有效去除硅片上槽和通孔中的颗粒和污染物，提高清洗效果。
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公开(公告)号：CN103985670A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410257649.1
申请日：2009-05-08
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/67138 , H01L21/76865 , H01L2221/1068 , H01L2221/1073
摘要： 本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化学抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先，至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化学抛光去除；其次，去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成：无应力电化学铜抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN101882595B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200910050835.7
申请日：2009-05-08
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/311 , H01L21/00
摘要： 本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化学抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先，至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化学抛光去除；其次，去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成：无应力电化学铜抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN103846245A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210499934.5
申请日：2012-11-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基板清洗装置，包括至少一单片清洗腔体，用于单片基板的清洗和干燥；至少一槽式清洗腔体，用于多片基板的浸泡清洗和/或干燥，所述槽式清洗腔体具有至少一用于盛放多片基板的支架和一用于升降和翻转支架的支架翻转装置；第一机械手，用于将干态基板放入或取出单片清洗腔体；及第二机械手，用于在单片清洗腔体和槽式清洗腔体之间传输基板。本发明将槽式清洗与单片清洗相结合，既能够对基板进行槽式清洗或单片清洗，也能够对基板进行槽式与单片相结合的清洗，基板在槽式清洗腔体中清洗结束后，可以不用干燥处理而直接被传输至单片清洗腔体中进行进一步清洗和干燥，缩短了整个工艺流程的周期，也降低了工艺成本，并且做到了基板的干湿分离，实现了半导体清洗技术上的突破。本发明还公开了一种基板清洗方法。
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公开(公告)号：CN103692359A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210366048.5
申请日：2012-09-27
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： B24B57/02
CPC分类号： B24B57/02 , B24B37/005
摘要： 本发明公开了一种研磨液手臂，包括：壳体、固定轴、传感器、转动轴、被侦测件及控制器。壳体的一端与转动轴固定连接，固定轴开设有收容腔，传感器设置于收容腔的底部，转动轴收容于固定轴的收容腔并能够绕固定轴转动，被侦测件设置于转动轴的底部，并与收容腔的底部相对，被侦测件能够随着转动轴的转动而移至传感器的上面从而被传感器检测到，如果被侦测件被传感器检测到，则研磨液手臂位于设定位置，如果被侦测件没有被传感器检测到，则研磨液手臂没有位于设定位置，传感器发出一信号至控制器，控制器接收该信号后发出报警信号。本发明通过设置被侦测件和传感器，从而可以准确检测研磨液手臂是否在设定位置。
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公开(公告)号：CN103592979A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210290586.0
申请日：2012-08-15
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种清洗液流量控制系统，包括：清洗液流经的控制阀；压力传感器，测量流经控制阀的清洗液的压力并输出压力值；控制器，接收压力传感器输出的压力值并将该压力值与目标压力值比较，根据比较结果产生并发送电流信号，若压力值大于目标压力值，发送较小的电流信号，若该压力值小于目标压力值，发送较大的电流信号；I/P转换器，接收控制器输出的电流信号并向控制阀输送具有相应压力的压缩空气，接收到较小的电流信号时，I/P转换器降低输送给控制阀压缩空气的压力，接收到较大的电流信号时，I/P转换器增大输送给控制阀压缩空气的压力；测量清洗液的流速的流量开关；及调节清洗液的流速的针阀。本发明还公开了清洗液流量控制方法。
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公开(公告)号：CN103464401A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210189044.4
申请日：2012-06-08
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 揭示了一种用于清洗倒装芯片的装置，该设备包括：一个卡盘装置；一个与卡盘通过转轴连接在一起的马达；至少一个载体装载倒装芯片；至少一个喷嘴用于喷射去离子水，一种清洗溶液，一种气体或者蒸汽。本发明进一步提供了一种清洗倒装芯片装置的方法，该方法包括：在倒装芯片载体中装载至少一个倒装芯片；以一种旋转速度来转动卡盘装置；在卡盘装置上的倒装芯片载体中装载至少一个倒装芯片，以一种旋转速度来转动卡盘装置；使用一种液体（去离子水，一种清洗液，等等）来去除污染物；将超声/兆声作用于倒装芯片；通过喷嘴喷射一种气体或一种蒸汽来干燥倒装芯片；将倒装芯片取出倒装芯片载体。
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公开(公告)号：CN103426791A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210163151.X
申请日：2012-05-22
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/321
摘要： 本发明公开一种粘度自动控制系统，用于实时、准确地监测和控制液体的粘度，包括粘度测量系统、温度测量系统、粘度调节系统和控制器，其中所述粘度测量系统测量所述液体的粘度，所述温度测量系统测量所述液体的温度，所述粘度调节系统调节所述液体的粘度，所述控制器与所述粘度测量系统、温度测量系统和粘度调节系统相连，根据所述粘度测量系统测量到的粘度和所述温度测量系统测量到的温度计算温度补偿粘度，并将所述温度补偿粘度与设定的温度补偿粘度比较，根据比较结果产生控制信号控制所述粘度调节系统。本发明还进一步公开一种粘度自动控制方法。
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公开(公告)号：CN101457379B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710172314.X
申请日：2007-12-14
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明揭示了在半导体工件上电镀金属的电镀装置，是一种具有多个阳极区域和阴极区域的电镀装置。每个区域中的电解液流体场分别由独立的流量控制装置独立控制。提供一表面有褶状通道的气泡收集器，通过收集小气泡并使其聚并，以排出残余气体，实现气体的移除。在气泡收集器中提供一缓冲区域以允许不稳定的微型气泡溶解。
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公开(公告)号：CN101399161B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710046405.9
申请日：2007-09-26
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种装置和方法，用于在两个垂直布置的热处理室内迅速并双面地热处理半导体工件，其中每个室包含一第一热处理源和一第二热处理源，两室之间以一可伸缩门隔开。本发明采用的双面热处理机制提高了热处理的效率和均匀性，并且减少了热应力的不匹配所导致的半导体工件的变形。
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