公开(公告)号：CN107615443A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201480079603.3

申请日：2014-06-06

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 张晓燕 ,  王晖 ,  吴均 ,  程成 ,  陈福发 ,  陈福平

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/68792 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

摘要： 一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法。该装置包括具有内槽(111)和外槽(1113)的真空吸盘(110)，外槽(1113)设置在真空吸盘(110)的外边缘，内槽(111)中设有内密封圈(1115)，外槽(1113)中设有外密封圈(1116)。当晶圆放置在真空吸盘(110)上时，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘(110)上，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。

公开(公告)号：CN103464401B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201210189044.4

申请日：2012-06-08

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 张晓燕 ,  陈福平 ,  王晖

IPC分类号： B08B3/02 ,  B08B3/12

摘要： 揭示了一种用于清洗倒装芯片的装置，该设备包括：一个卡盘装置；一个与卡盘通过转轴连接在一起的马达；至少一个载体装载倒装芯片；至少一个喷嘴用于喷射去离子水，一种清洗溶液，一种气体或者蒸汽。本发明进一步提供了一种清洗倒装芯片装置的方法，该方法包括：在倒装芯片载体中装载至少一个倒装芯片；以一种旋转速度来转动卡盘装置；在卡盘装置上的倒装芯片载体中装载至少一个倒装芯片，以一种旋转速度来转动卡盘装置；使用一种液体（去离子水，一种清洗液，等等）来去除污染物；将超声/兆声作用于倒装芯片；通过喷嘴喷射一种气体或一种蒸汽来干燥倒装芯片；将倒装芯片取出倒装芯片载体。

公开(公告)号：CN107210193A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580076075.0

申请日：2015-02-15

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王晖 ,  陈福平 ,  张晓燕

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/04

摘要： 一种用于清洗和干燥集成电路基板的方法和装置，该装置包括：保持和定位基板(104)的卡盘(103)；与卡盘(103)相连接以驱动卡盘(103)旋转的驱动单元(105)；位于基板(104)上方的固体板(101)；设置在固体板(101)上以向基板(104)的表面喷洒清洗液的第一喷嘴(107)；设置在固体板(101)上以向基板(104)的表面喷洒低张力液体的第二喷嘴(106)；位于基板(104)上方以向基板(104)的表面供应干燥气体的活动臂(102)。

公开(公告)号：CN106180096A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510242142.3

申请日：2015-05-13

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王晖 ,  陈福平 ,  王文军 ,  杨宏超 ,  V·纳其 ,  陈福发 ,  王坚 ,  张晓燕 ,  仰庶

IPC分类号： B08B9/08 ,  B05C11/11

摘要： 本发明揭示了一种带有自动清洗功能的涂胶机以及一种涂胶机的自动清洗方法。在一个实施例中，涂胶机包括能够充满清洗液的涂胶腔室，固持基板的基板卡盘，及至少一个护罩，该护罩能够向上移动以防止光刻胶飞溅出涂胶腔室，或者向下移动并浸没在清洗液中以进行清洗。一种涂胶机的自动清洗方法，包括以下步骤：关闭涂胶机的出液阀；使涂胶腔室充满清洗液；待涂胶腔室内的光刻胶溶解于清洗液之后，打开涂胶机的出液阀并将清洗液排出涂胶腔室。

公开(公告)号：CN105122440A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201380075888.9

申请日：2013-04-22

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王晖 ,  陈福平 ,  张晓燕

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/6708

摘要： 提供一种硅通孔背面露头的方法和装置。该方法包括如下步骤：提供硅衬底(101)，硅衬底(101)内形成有若干硅通孔(102)；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第一刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面，在硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出之前停止刻蚀；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面直到硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出，其中在向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂期间，在设定的时间间隔内，使硅衬底(101)的旋转方向反向。

公开(公告)号：CN106180096B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201510242142.3

申请日：2015-05-13

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王晖 ,  陈福平 ,  王文军 ,  杨宏超 ,  V·纳其 ,  陈福发 ,  王坚 ,  张晓燕 ,  仰庶

IPC分类号： B08B9/08 ,  B05C11/11

摘要： 本发明揭示了一种带有自动清洗功能的涂胶机以及一种涂胶机的自动清洗方法。在一个实施例中，涂胶机包括能够充满清洗液的涂胶腔室，固持基板的基板卡盘，及至少一个护罩，该护罩能够向上移动以防止光刻胶飞溅出涂胶腔室，或者向下移动并浸没在清洗液中以进行清洗。一种涂胶机的自动清洗方法，包括以下步骤：关闭涂胶机的出液阀；使涂胶腔室充满清洗液；待涂胶腔室内的光刻胶溶解于清洗液之后，打开涂胶机的出液阀并将清洗液排出涂胶腔室。

公开(公告)号：CN109789450A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201680089376.1

申请日：2016-09-19

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王晖 ,  王希 ,  陈福平 ,  陈福发 ,  王坚 ,  张晓燕 ,  金一诺 ,  贾照伟 ,  王俊 ,  李学军

IPC分类号： B08B3/12

摘要： 本发明公开了一种使用超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)有效清洗衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的方法，包括：将液体(1032)喷射到衬底(20010)和超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)；在气泡总体积和衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的体积的比值增大到第一设定值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)；在气泡总体积和衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的体积的比值减小到第二设定值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底(20010)洗净。

公开(公告)号：CN103592979B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201210290586.0

申请日：2012-08-15

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王坚 ,  赵宇 ,  谢良智 ,  张晓燕 ,  贾社娜 ,  王晖

IPC分类号： G05D27/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明揭示了一种清洗液流量控制系统，包括：清洗液流经的控制阀；压力传感器，测量流经控制阀的清洗液的压力并输出压力值；控制器，接收压力传感器输出的压力值并将该压力值与目标压力值比较，根据比较结果产生并发送电流信号，若压力值大于目标压力值，发送较小的电流信号，若该压力值小于目标压力值，发送较大的电流信号；I/P转换器，接收控制器输出的电流信号并向控制阀输送具有相应压力的压缩空气，接收到较小的电流信号时，I/P转换器降低输送给控制阀压缩空气的压力，接收到较大的电流信号时，I/P转换器增大输送给控制阀压缩空气的压力；测量清洗液的流速的流量开关；及调节清洗液的流速的针阀。本发明还公开了清洗液流量控制方法。

公开(公告)号：CN108140595A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083409.7

申请日：2015-09-30

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 张晓燕 ,  吴均 ,  王晖 ,  陈福平

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/04 ,  B08B7/04

CPC分类号： H01L21/68771 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明揭示了一种清洗封装晶圆(1000)的装置(2000,3000,9000)。装置(2000,3000,9000)包括：保持至少两片晶圆(1000)的卡盘(2001,3001,9001)，该至少两片晶圆(1000)与卡盘(2001,3001,9001)的中心有一段距离，每片晶圆(1000)的表面有多个微小结构(1003)；驱动卡盘(2001,3001,9001)转动的驱动装置(2002,3002,9002)；以及至少一个向晶圆(1000)喷洒流体以清洗或干燥晶圆(1000)的喷嘴(2003,2004,3003,3004,9003,9004)。本发明还揭示了一种晶圆(1000)清洗方法。方法包括：在卡盘(2001,3001,9001)上装载至少两片晶圆(1000)，该至少两片晶圆(1000)与卡盘(2001,3001,9001)的中心有一段距离，每片晶圆(1000)的表面有多个微小结构(1003)；驱动卡盘(2001,3001,9001)以一转速转动；向晶圆(1000)喷洒流体以清洗或干燥晶圆(1000)。

公开(公告)号：CN105225981A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410235904.2

申请日：2014-05-30

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 仰庶 ,  王晖 ,  陈福平 ,  张晓燕

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 半导体刻蚀工艺是一种通过物理化学反应来移除基板表面物质的工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。由于刻蚀工艺对机台设备的要求相对较低，工艺也比较简单，所以在半导体加工行业中得到了广泛地应用。但是，如何控制湿法刻蚀中的刻蚀速率一直是行业内公认的技术难点。本发明提供的基板刻蚀装置具有厚度检测模块，通过测量基板的厚度来调节刻蚀速率，达到了很好的效果。