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公开(公告)号:CN103523770A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310492787.3
申请日:2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法,该石墨烯的制备方法至少包括步骤:首先,提供一SiC基底;接着,采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge;最后,对上述形成的结构进行退火处理,注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键,断键后的Si和注入的Ge形成SiGe,断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯,对制备仪器的要求较低,并且节约能源、减少成本,适用于工业化生产。
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公开(公告)号:CN103389478A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201210427956.0
申请日:2012-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种超导磁传感器的数字化实时磁补偿装置及方法,其特征在于在传统磁通锁定环读出电路的基础上引入具有不同通带特性的两级负反馈,分别实现高灵敏度待测磁场信号的读取和低灵敏度待补偿磁场干扰的补偿,采用ADC、微处理器、DAC及其附属器件组成的数字电路构建磁补偿电路,并增加了可提高磁补偿装置可靠性的软启动和磁通锁定环直流偏置自动消除功能。其补偿方法特征在于通过ADC采集磁通锁定环的输出信号,然后由微处理器进行直流偏置消除、滤波、反转、积分,最后由DAC输出磁补偿反馈需要的信号。充分利用SQUID Feedback(反馈)线圈进行反馈,极大地简化了磁补偿装置的结构,提高了它的可维护性、可靠性和待补偿信号的提取能力。
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公开(公告)号:CN103253661A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310200469.5
申请日:2013-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种低成本且能大规模制备高质量石墨烯粉体的方法,为将石墨加入到含有氧化剂和插层剂的混合溶液中,搅拌均匀后超声处理,同时持续通入He,形成插层剂和He气分子插层的石墨插层化合物;然后过滤、洗涤、干燥,并在空气中热处理实现石墨插层化合物首次剥离;之后分散于有机溶剂中,持续通入He条件下再次超声处理;然后离心去掉沉淀,取上层溶液进行过滤、洗涤、烘干后即得到石墨烯粉体;本发明的方法安全环保、操作简单,适合大规模生产,制得的石墨烯缺陷少,导电性好。
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公开(公告)号:CN102901662A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210408958.5
申请日:2012-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于永磁铁和自动传输装置的样品极化系统,其特征在于包括永磁铁、自动传输装置、连接杆、导轨和盛放样品的小车,所述的导轨一端位于所述的永磁铁中心,另一端位于样品极化后进行物理化学性能测试的测点;所述的连接杆连接小车和自动传输装置;所述的自动传输装置可带动连接杆和小车在导轨中自动做平行往复运动。样品在永磁铁中心极化,在测点进行物理化学性能测试。通过设置自动传输装置,以在永磁铁中心和测点之间的距离内可改变极化时间、传输时间、传输速度和加速度。本发明在基于SQUID的极低场核磁共振及其成像等应用中有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN101923152B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201010212971.4
申请日:2010-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00 , G01R33/022
Abstract: 本发明公开了一种梯度计等效误差面积系数的标定方法:利用螺线管产生一定频率的均匀磁场,由于误差面积的存在,该磁场在梯度线圈中产生一定频率的电压信号,利用锁相放大原理进行微弱信号的提取,理论计算和实验相结合,实现面积误差系数的标定。基于以上简述,本方法主要包括三个部分:(1)梯度计感应电动势理论计算;(2)实验系统搭建及测量;(3)梯度计等效误差面积系数计算。相对于传统的低温标定方法,本方法基于室温,有效地降低了标定成本,提高了标定效率,为高平衡度梯度计的选择提供了有效的技术途径。
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公开(公告)号:CN102703988A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210174733.8
申请日:2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法,包括如下步骤:1)将石墨烯放置在Si片上,然后放入离子注入机中,用离子束轰击所述Si片上的石墨烯,使其产生缺陷;2)将步骤1)中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处理。该方法首先用离子注入技术轰击石墨烯表面,使其表面产生缺陷(空位),然后选择在合适的气体气氛中退火,完成N型或者P型掺杂,从而打开带隙。实现了石墨烯的掺杂并改善了其开关特性。
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公开(公告)号:CN101894906B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010202118.4
申请日:2010-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种超导台阶结的制备方法,其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜,将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶,再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上;利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力,使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上,使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构,最后再利用微加工工艺构造微桥结构,成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤:1)台阶衬底制备;2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底;3)保护和选择;4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺,采用非常少量的超导单晶即可实现;单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。
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公开(公告)号:CN102426343A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN201110254091.8
申请日:2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种基于SQUID偏置电压反转的读出电路及低频噪声的抑制方法,其特征在于通过偏置反转电路,实现偏置反转,从而抑制低频噪声的产生,具体是所述的读出电路是由SBC构型SQUID低温部分和偏置反转读出电路两部分构成。抑制方法主要过程包括:(1)放大器输入偏置电压调整;(2)交流方法偏置电压加在;(3)磁通相位调整与直流磁通补偿;(4)载波消除;(5)积分反馈输出。本发明所涉及的电路结构相对简单,便于多通道集成,可广泛应用于生物磁、物探等低频测量。
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公开(公告)号:CN102048541A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN201010544324.3
申请日:2010-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/055
Abstract: 本发明涉及一种应用于心磁图仪测量的无磁三维机械传动机构,其特征在于所述的传动机构分为杜瓦的支撑架和无磁床两部分,支撑架内部使用齿条和定滑轮实现竖直方向的移动;无磁床分为三层结构,最下一层是底座,中间一层和上面一层使用齿轮、齿条传力以及涡轮、涡杆变向实现前后、左右二维移动。支撑架和无磁床使用激光切割的层压板啮合组装,传动装置使用尼龙、陶瓷和环氧树脂加工而成,不含任何金属部件;外形美观,结构坚固。整个机构不会对环境磁场和心脏磁场分布产生任何影响,在心磁测量中具有广泛的应用。
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公开(公告)号:CN112837993B
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN201911165270.7
申请日:2019-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域,具体是一种面内呈60°夹角的镍铜(111)孪晶薄膜及其制备方法,所述方法包括:S1、在蓝宝石基片的晶面Al2O3(0001)上沉积金属薄膜,得到依附在所述蓝宝石基片上的前躯镍铜薄膜;S2、将所述前躯镍铜薄膜放置在加热炉内,在氩气和氢气的混合气氛中进行退火处理,得到具有面外方向是111择优取向的镍铜孪晶薄膜,所述镍铜孪晶薄膜面内晶畴间呈60°夹角。本发明制备出的镍铜孪晶薄膜具有较强的催化性能,能够极大提高石墨烯的生长速度,降低批量化制备石墨烯单晶晶圆的成本。
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