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公开(公告)号：CN100541813C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610075294.X
申请日：2001-06-21
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/5036 , G09G3/3208 , G09G2300/0452 , H01L27/3216 , H01L27/3218 , H01L27/3281 , H01L51/5203
摘要： 一种发光器件包括：在加电时发射第一颜色光的第一电发光元件；及在加电时发射第二颜色光的第二电发光元件，第一电发光元件比第二电发光有效寿命大；其特征在于，第二元件配置为以低于第一元件亮度操作。
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公开(公告)号：CN101501749A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029924.2
申请日：2007-06-28
申请人： 剑桥显示技术有限公司
发明人： 俄恩·史密斯
IPC分类号： G09G3/32
CPC分类号： G09G3/3241 , G09G3/3266 , G09G3/3283 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0218 , G09G2310/0221 , G09G2310/0251 , G09G2360/145 , H01L27/3227 , H01L27/326 , H01L27/3269
摘要： 本发明总的来说涉及有源矩阵有机电光装置且涉及有关的显示器驱动方法。在实施例中，本发明涉及包括可以用于显示驱动或者其他功能的附加电路的顶部发光OLED(有机发光二极管)显示器。一种有源矩阵有机电光装置，该装置具有多个像素且包括承载每个所述像素的像素接口电路和所述像素接口电路之上的有机材料的衬底，其中，配置所述装置以使得在所述装置的至少一部分区域之上所述像素接口电路关于所述像素交错，以使得至少一个所述像素下的区域不完全由所述像素接口电路占据，且其中在由所述像素接口电路不完全占据的所述区域中制造用于所述装置的附加电路。
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公开(公告)号：CN100420060C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02818372.X
申请日：2002-08-23
申请人： 剑桥显示技术有限公司
发明人： S·西娜
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1433 , C09K2211/1483 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , H01L51/5234 , H05B33/14 , Y02E10/549
摘要： 一种光学器件包括：阳极，阴极，位于阳极和阴极之间的有机半导电材料，以及位于阴极和有机半导电材料之间的电子传递层，其中有机半导电材料含有硫，电子传递层含有钡。
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公开(公告)号：CN101215370A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810005134.7
申请日：2002-05-10
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/0039 , C08G61/02 , C08G61/10 , C09K11/06 , C09K2211/1408 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , H01B1/12 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 一种用于在光学设备中使用的聚合物，其中所说的光学设备含有：空穴迁移区，电子迁移区，发射区，所说的聚合物含有式(I)的非必须取代的重复单元：其中每个Ar相同或不同并且含有非必须取代的芳基。
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公开(公告)号：CN1930700A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007037.6
申请日：2005-01-25
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/5262 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
摘要： 本发明总体上涉及有机发光二极管(OLED)的改进结构，更特别地，涉及所谓的顶发射OLED。有机发光二极管(OLED)(300)包括基片(102)，其承载位于导电阳极(106)和导电阴极(200)之间的紧密发射层(tight emitting layer)(108a)，b该二极管配置成紧密发射透过所述阴极，该阴极对于二极管的发射波长是透明的，并且其中所述阴极结合光学干涉结构(202)，(204)，(206)，它们用于提高在所述发射波长下通过所述阴极的光透射。
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公开(公告)号：CN1930699A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007168.4
申请日：2005-02-07
申请人： 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0005 , H01L27/3295 , Y10T428/24355
摘要： 本发明总体上涉及通过微滴沉积技术例如喷墨印刷制造分子电子器件，特别是有机电子器件如有机发光二极管(OLED)的改进方法。本发明还涉及一种通过本方法制造的或者在本方法中使用的分子器件基片。一种制造分子电子器件的方法，该方法包括：制造具有多个堆堤的基片，这些堆堤限定多个用于沉积分子材料的井；和用微滴沉积技术将溶解在溶剂中的分子电子材料沉积在所述井内，从而制造所述器件；其中所述堆堤具有表面，其限定所述井的边缘，与井的底部的角度大于所述溶剂与所述堆堤表面的接触角；并且其中所述堆堤超出所述井的所述底部的高度小于2μm，更优选地小于1.5μm。
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公开(公告)号：CN1846320A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025238.4
申请日：2004-08-02
申请人： CDT牛津有限公司 , 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： H01L51/30
摘要： 一种电致发光器件，包括：用于注入正电荷载子的第一电极；用于注入负电荷载子的第二电极；和处于第一和第二电极之间的包括基质材料和金属配合物的发光层，其中基质材料包括具有如下通式(I)的第一重复单元的聚合物：其中各Ar相同或不同，并独立地表示非必要取代的芳基或杂芳基，并且任何两个Ar基团可通过单键直接连接。
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公开(公告)号：CN1263754C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02804060.0
申请日：2002-01-23
申请人： 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： C07D417/14 , C08G61/10 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0036 , C07D417/14 , C08G61/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1051 , C09K2211/1092 , C09K2211/1408 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1458 , C09K2211/1483 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S428/917
摘要： 一种通式(I)的单体，它可以被取代或未取代，其中E和E1相同或不同，并且是能进行链延长的活性基；X是O，S，NR5，R5C-CR6或R5C＝CR6；Y是O，S，NR7，R7C-CR8或R7C＝CR8；R5，R6，R7和R8相同或不同，并且各自独立地是H或取代基；而且每个Ar相同或不同，并且独立地是取代或未取代的芳基或杂芳基。
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公开(公告)号：CN1762062A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007603.9
申请日：2004-03-19
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/5048 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/5096 , H01L51/5231 , H01L51/56
摘要： 一种光学器件，它包括阳极(2)、含钡、锶或钙的阴极(6)，和在阳极与阴极之间的有机半导材料(5)，其中空穴迁移和电子阻止材料层(4)位于阳极和有机半导材料层之间。
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