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公开(公告)号：CN113037294A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110241268.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输出脉冲信号分别耦合到转变频率与之匹配的量子比特，从而实现对N个不同周期的量子比特的控制；本发明通过单个微波源驱动的DC/SFQ转换器实现对多个不同频率的量子比特进行状态控制，节省了微波源、DC/SFQ转换器、微波源到DC/SFQ转换器之间的微波器件和连线的数量，有利于低温条件下实现对较大规模量子比特的控制及对应装置的集成。
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公开(公告)号：CN112097903A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010955985.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，涉及一种自对准超导纳米线单光子探测器件及其封装方法。所述自对准超导纳米线单光子探测器件，包括：超导纳米线单光子探测芯片；芯片固定件，所述芯片固定件中设有封装孔；其中，所述超导纳米线单光子探测芯片安装在所述封装孔中，光纤头插设于所述封装孔中，与所述超导纳米线单光子探测芯片的探测面相对，且所述光纤头的横截面形状与所述封装孔的横截面形状相同，所述光纤头出射的光子入射到所述探测面上。所述自对准超导纳米线单光子探测器件通过在芯片固定件中设置封装孔，将超导纳米线单光子探测芯片安装在封装孔中，将用于出光的光纤头插设在封装孔中，能够实现光纤头与超导纳米线单光子探测芯片的快速对准。
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公开(公告)号：CN112050935A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010958801.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，涉及一种超导纳米线单光子探测器及其制备方法。所述超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；反射层，位于所述衬底表面；探测层，位于所述反射层表面，用于探测光子，所述探测层包括若干超导纳米线单元；匹配层，至少位于所述超导纳米线单元表面且包覆所述超导纳米线单元，至少用于降低所述超导纳米线单元的偏振消光比；通过在超导纳米线单光子探测器中设置包覆超导纳米线单元的匹配层，能够利用匹配层降低超导纳米线单光子探测器的偏振消光比，从而降低超导纳米线单光子探测器的偏振敏感性，扩大超导纳米线单光子探测器的应用领域，提高其探测的准确性和可重复性。
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公开(公告)号：CN111463342A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010222784.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种纳米超导量子干涉器件及其制备方法，该纳米超导量子干涉器件包括：自下而上形成于衬底上的第一电极、纳米侧壁结构以及第二电极；其中，纳米侧壁结构包括竖直于所述第一电极和所述第二电极之间的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁的两端分别连接所述第一电极和所述第二电极，形成两个并联的纳米桥结。本申请的纳米超导量子干涉器件通过原子在刻蚀过程中的再沉积原理，形成竖直于衬底的纳米侧壁结构，以形成竖直于衬底的超导环，具有尺寸小、可阵列化、可大规模集成等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430396A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010167335.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/148 , B82Y10/00
Abstract: 本申请涉及一种基于超导纳米线的单光子偏振探测器件及其实现装置，包括：衬底；像元层，像元层置于衬底上；其中，像元层包括一个或多个超像元单元；每个超像元单元包括至少四个像元单元，像元单元由一条蜿蜒曲折的超导纳米线构成；且每个像元单元的超导纳米线结构的平行方向的角度各不同；利用四个超像元对偏振光的偏振角的光响应计数可以实现对线性偏振光的偏振态求解。与现有的半导体偏振探测器相比，本申请中的超导纳米线结构具有线偏振器和光子探测器的双重功能，不仅集合了超导纳米线结构单光子探测器自身的优点，还具有器件规模可拓展、结构简单等特点，有望应用于微弱光环境下的偏振探测及成像、量子通信、天文观测等。
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公开(公告)号：CN108666388B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710207615.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述反射镜的表面；光学薄膜滤波器，位于所述超导纳米线远离所述反射镜的一侧，且与所述超导纳米线具有间距。本发明通过在超导纳米线下方设置所述反射镜，可以将光直接耦合到超导纳米线上，可以对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明通过设置光学薄膜滤波器，可以对非目标波长滤波，进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数；此外，本发明的集成光学薄膜滤波器的光学薄膜滤波器与其他结构分离设置，可重复使用，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN110793631A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911088171.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J1/46
Abstract: 本发明提供一种具有渐变传输线的超导纳米线单光子探测系统，包括：超导纳米线单光子探测器；渐变传输线，一端与超导纳米线单光子探测器相连接；高通滤波器，一端与渐变传输线连接于超导纳米线单光子探测器的一端相连接，另一端接地；三端口器件，三端口器件的第一端口与渐变传输线远离所述超导纳米线单光子探测器及高通滤波器的一端相连接；电流源，一端与三端口器件的第二端口相连接；放大器，放大器的输入端与三端口器件的第三端口相连接，放大器的接地端接地；超导纳米线单光子探测器、渐变传输线及高通滤波器集成于同一芯片上。本发明可以实现高频信号的放大，降低时间抖动及提高计数率等超导纳米线单光子探测器的整体性能。
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公开(公告)号：CN110632423A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910917353.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温物性测试系统及装置，所述系统包括：多通道直流测试电路，用于根据第一待测样品的电压和电流对其进行直流电学参数表征；SQUID读出电路，用于读取第二待测样品的磁通或待转换为磁通的电信号，以对所述第二待测样品进行器件性能表征；其中，在对所述第一待测样品进行直流信号放大测试时，所述低温物性测试系统还包括：标准SQUID，设于所述样品安装区；此时所述标准SQUID的输入端电连接于所述多通道直流测试电路的输出端以作为所述多通道直流测试电路的次级放大电路，用于对所述多通道直流测试电路的输出信号进行放大。通过本发明解决了现有技术中没有高效低温物性测试系统的问题。
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公开(公告)号：CN108269914B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201611257316.4
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L43/12 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制作方法，包括如下步骤：制作第一材料层，并同步形成第一对准标记；制作第二材料层，并同步形成第二对准标记；所述第一、第二对准标记共同组成复合标记；制作第三材料层，其中，所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义，所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。本发明中，电子束曝光采用复合标记作为套刻对准标记，所述复合标记中，第一、第二对准标记分别与第一、第二材料层同步制作，如果光刻工艺误差使第一材料层图案与第二材料层图案发生偏移，这个偏移情况也会存在于两层结合的复合标记上，利用这个带有偏移信息的复合标记，就能精确地定位第三材料层的位置，从而刻画定位精确的第三材料层图案。
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