一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法

    公开(公告)号:CN104972189B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201510459097.7

    申请日:2015-07-30

    Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法,本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置,以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难,传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶,无法满足金刚石优质生长的问题。方法:一、清洗;二、选择焊接介质;三、放置样品;四、真空钎焊,即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。

    一种金刚石热沉片的制备方法

    公开(公告)号:CN104947068A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510316529.9

    申请日:2015-06-10

    Abstract: 一种金刚石热沉片的制备方法,本发明涉及金刚石的制备方法并将其用于热沉领域,它为了解决现有MWCVD方法生产金刚石的生长速率慢,表面粗糙以及热导率低的问题。制备方法:一、切割硅片,超声清洗后得到洁净的硅片基底;二、洁净的硅片基底表面均匀涂覆纳米金刚石悬浮液;三、涂覆有金刚石悬浮液的硅片放置于MWCVD装置中,通入氢气以及甲烷后进行化学气相沉积;四、利用HNO3与HF混合溶液腐蚀去除硅基底,清洗后得到金刚石热沉片。本发明通过使用涂覆纳米金刚石悬浮液的方法显著提高金刚石膜的生长速率,达到2~5μm/h,生长面粗糙度可低至600nm,热导率高,符合人造金刚石热沉的标准。

    一种GaN外延晶片界面热阻的测量装置

    公开(公告)号:CN208297403U

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201820811501.1

    申请日:2018-05-29

    Inventor: 孙华锐 刘康 周岩

    Abstract: 本实用新型公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量装置,包括:紫外脉冲激光器、连续激光器、透镜组、二向色分光镜、紫外线聚焦物镜、光电探测器;还包括:半透镜、带通滤波片、凸透镜、CCD相机。本实用新型将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光,探测激光设定为波长为325nm的连续激光,并进行共轴操作,以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜换能器或者进行器件加工的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking