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公开(公告)号：CN113481575A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110879481.8
申请日：2021-08-02
申请人： 无锡吉智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明是晶圆电镀设备自动上下料装置，其结构是机架上的上下料机构与定圆心及检测机构相邻设置，上下料机构与中转定位机构相邻设置，中转定位机构两侧设导轨，导轨由中转定位机构两侧延伸至中转定位机构另一端两侧后部，挂具移动开合机构包括挂具移动机构和挂具开合机构，挂具移动机构滑动连接在导轨上，挂具开合机构安装在中转定位机构与导轨远离中转定位机构的一端之间的机架上的顶安装架上。本发明的优点：实现了晶圆电镀前后的自动上下料和输送，有效提高了生产效率，防止破损。
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公开(公告)号：CN113345836A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110607718.7
申请日：2021-06-01
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , C25D3/38 , C25D5/00 , C25D5/48 , C25D7/12
摘要： 本发明提供一种TSV电镀工艺，包括：步骤S1，通过博世刻蚀工艺在硅片表面刻蚀TSV孔，TSV孔侧壁会形成周期性阶梯起伏图形；然后通过热氧化工艺在TSV孔内壁和硅片表面形成第一钝化层；步骤S2，用具有腐蚀作用的酸对硅片进行表面处理，把硅片表面和TSV孔内壁形成的第一钝化层材料去除，同时使硅片表面和TSV孔侧壁变得光滑；步骤S3，在硅片表面和TSV孔内壁制作第二钝化层，并在第二钝化层上沉积种子层；步骤S4，在硅片表面电镀铜，使铜金属充满TSV孔；铜CMP工艺去除硅片表面的铜，留下TSV孔中的填铜，形成TSV导电柱。本发明能够避免TSV孔内壁出现阶梯起伏图形。
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公开(公告)号：CN113284809A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010101432.7
申请日：2020-02-19
申请人： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/02 , H01L23/498 , C25D7/12
摘要： 本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：于支撑基底上形成扩散阻挡层及金属种子层；于金属种子层上形成具有填充窗口的光刻胶层；于金属种子层上依次形成金属线层及缓冲层；于缓冲层上形成至少两层保护层的叠层结构，且在形成相邻两层保护层之间实施清洗工艺；去除光刻胶层、金属种子层和扩散阻挡层；将保护层电性引出。通过电镀工艺结合清洗工艺于形成叠层结构，在叠层结构与缓冲层之间没有贯通的孔隙，有效提高了保护层结构的连续性，因此可提高缓冲层与叠层结构之间的粘合力，改善重新布线层的稳定性能，在后续的WB工艺中，缓冲层与叠层结构之间不易出现剥离现象，从而有效提高重新布线层的产品良率。
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公开(公告)号：CN113267912A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110532761.1
申请日：2021-05-17
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种金属电极的制备方法，包括：在铌酸锂衬底上沉积金属种子层；在所述金属种子层上沉积硅层，所述硅层的厚度大于10μm；在所述硅层上制作掩膜图形，所述掩膜图形所暴露的位置为金属电极的位置；在所述掩膜图形所暴露的位置处进行刻蚀得到硅凹槽，所述硅凹槽处暴露出金属种子层；使用电极金属填充所述硅凹槽，得到金属电极。本申请中的方案通过硅刻蚀的方式得到金属填充的硅凹槽，在硅凹槽内制备金属电极，由于硅层厚度大于10μm，因此通过本申请方法制备得到的金属电极的厚度能够大于10μm，同时金属电极的高宽比可以大于3。采用本申请制备得到的金属电极可极大提高铌酸锂电光调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN113249757A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110178615.3
申请日：2021-02-09
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本发明提供一种电镀方法，以能够尽早检测基板支架的泄漏，使基板再利用为技术课题。在该电镀方法中，使纯水接触密封件的密封部分，上述密封件防止保持基板的基板支架的触头与电镀液接触，在使上述密封部分接触纯水后到上述基板接触药液为止的期间，基于配置于上述基板支架的内部的泄漏检测用电极有无短路来检测上述密封件的泄漏。
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公开(公告)号：CN113235151A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110521483.X
申请日：2021-05-13
申请人： 苏州施密科微电子设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种8寸快拆式电镀夹具，包括主体，主体上设有依次叠加设置的导电圈、硅晶片、卡环、中间盖板与盖板主体，盖板主体远离中间盖板的另一端设有拉手，拉手一端设有与之连接的拉手底座。本发明的有益效果：通过快拆把手带动载具密封盖旋转压着放入的晶圆片使其密封，然后利用选卡机构使其紧密的贴合在一起，导电片的多电极设计和多点式接触晶圆片，使其电流流场密度更加的均匀。
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公开(公告)号：CN110219038B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910153504.X
申请日：2019-02-28
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本申请提供一种搅拌器、镀覆装置及镀覆方法，通过搅拌镀覆液的搅拌器，提高面内均匀性。根据一个实施方式，提供一种用于对具有非图案区域的基板进行电镀的镀覆装置，所述镀覆装置具有：用于保持镀覆液的镀覆槽；以与电源的正极连接的方式构成的阳极；和为了对保持在上述镀覆槽内的镀覆液进行搅拌而能够在上述镀覆槽内运动的搅拌器，上述搅拌器构成为在搅拌镀覆液时，从上述阳极观察而基板的非图案区域的至少一部分始终被遮蔽。
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公开(公告)号：CN110424035B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910632856.3
申请日：2019-07-14
申请人： 江苏晶度半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及电镀设备技术领域，具体为一种半导体电镀机，包括装置主体，装置主体的内部设有空腔；装置主体上还设有废气处理装置，废气处理装置包括紧密焊接在通孔孔壁上的套筒，套筒内设有驱动电机，传动轴上紧密焊接有若干个呈环状等间距排列的风扇叶片，套筒上设有排气管，排气管的末端管体上设有废气处理箱，装置主体的一侧面上还紧密焊接有呈水平状设置的固定板，固定板上设有风机。本发明操作简单，使用方便，实现对电镀过程中产生的废气进行处理，减少废气对人体造成的不利影响。
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公开(公告)号：CN113046799A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110275869.7
申请日：2021-03-15
申请人： 珠海市创智成功科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶圆级封装技术领域，具体涉及一种芯片3D异质集成封装的TSV电镀溶液，该电镀液由硫酸铜、硫酸、以及氯离子配合CZ609A、CZ609B、CZ609C三种添加剂按一定比例混合均匀形成该TSV电镀溶液；该电镀溶液需在稳定的温度22‑28℃之间使用，并配合合适设备以及设定合适的电流密度参数最终实现孔内的无空洞填充即TSV完全填充。本发明该TSV电镀溶液具有性能稳定，使用寿命超长、适合多种孔型，最大使用深径比达15:1孔型并且特别对异质集成导致孔口收窄TSV孔型仍能实现完美填充等特点。
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公开(公告)号：CN113026068A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110231405.6
申请日：2021-03-02
申请人： 深圳市创智成功科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金溶液及其镀金工艺，由以下成分组成：无氰金盐，以Au离子的含量计为6‑10g/L；络合剂10‑60g/L；导电盐10‑60g/L；缓冲剂30‑60g/L；防老化剂5‑10g/L；界面活性剂15‑80mg/L；润湿剂1‑5mg/L；反应加速剂50‑80mg/L；稳定剂0.2‑5mg/L；所述反应加速剂为2,6‑二氨基吡啶和3‑砒啶甲醇的复合物，且2,6‑二氨基吡啶和3‑砒啶甲醇的质量浓度比为2:1。该发明得到的溶液既保证了镀液的稳定性，而且使得镀件易于在电极表面铺展以达到均镀目的，进一步达到了晶圆封装微孔的无空洞、无缝隙的填充的效果。
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