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公开(公告)号：CN107329098B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710363781.4
申请日：2017-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00 , G01R33/022 , H01L39/24
Abstract: 本发明提供一种全张量磁场梯度测量组件及制备方法，至少包括：衬底、制备在所述衬底上的第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第四SQUID器件、第五SQUID器件以及第一梯度线圈、第二梯度线圈、第三梯度线圈、第四梯度线圈、第五梯度线圈，其中，所述第一梯度线圈与所述第一SQUID器件用于测量Gxx磁场梯度分量；所述第二梯度线圈与所述第二SQUID器件用于测量Gyy磁场梯度分量；所述第三梯度线圈与所述第三SQUID器件用于测量Gyx磁场梯度分量；所述第四梯度线圈与所述第四SQUID器件用于测量Gzx磁场梯度分量；所述第五梯度线圈与所述第五SQUID器件用于测量Gzy磁场梯度分量。本发明在同一衬底上制备5个SQUID器件，且每个SQUID器件探测1个分量，减小了组件体积和安装难度，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN107507883B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710678394.X
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种晶须单光子探测器件，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层位于所述衬底表面；所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线，本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能，同时，晶须具有很好的柔性，具有较高的临界电流密度，且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化，大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
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公开(公告)号：CN106549097B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510593942.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；介质层，位于所述高反膜表面，且包覆所述超导纳米线。本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器在高反膜上加工制备超导纳米线，该器件结构可以通过正面光耦合将光直接照射到超导纳米线上，可以避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题，进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，且对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器通过在高反膜表面生长包覆超导纳米线的高折射率介质层，可以降低器件的偏振相关性。
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公开(公告)号：CN105633268B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201511028259.8
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构，应力图案结构的尺寸大于约瑟夫森结的尺寸；2）在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；3）刻蚀三层薄膜结构以形成底电极及约瑟夫森结；4）在步骤3）得到的结构表面形成第二绝缘材料层，并在第二绝缘材料层对应于约瑟夫森结的位置形成第一开口；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层。通过在约瑟夫森结下方形成尺寸比约瑟夫森结尺寸大的应力图案结构，有利于约瑟夫森结中应力的有效释放，从而解决了漏电流，提高了超导电路结构的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN109508303A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811156556.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/0895
Abstract: 本发明提供一种用于并行数据存储的超导高速缓冲存储器，包括M个并行的N位存储单元，用于存储N位数据，并在清除操作期间，基于清除控制信号清除指定清除位的数据；在写入操作期间，基于写入控制信号将输入数据写入指定写入位；清除写入地址译码器，连接N位存储单元，用于在清除操作期间产生清除控制信号，在写入操作期间产生输入、写入控制信号；数据输入缓冲门，连接清除写入地址译码器和N位存储单元，基于输入控制信号，将暂存的输入数据输出至N位存储单元；数据输出地址译码器，用于在读出操作期间产生读出控制信号；数据输出控制门，连接数据输出地址译码器和N位存储单元，用于在读出操作期间，基于读出控制信号读出指定读出位的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106953000B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710154577.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种集成于约瑟夫森结的超导磁场线圈及其制备方法，所述超导磁场线圈包括：多条底层磁场线圈层、多条顶层磁场线圈层、第二绝缘材料层；所述多条底层磁场线圈层和多条顶层磁场线圈层之间通过所述第二绝缘材料层隔离；所述第二绝缘材料层中设有开孔，所述开孔中填充有第三超导材料层；所述顶层磁场线圈层通过所述开孔中的第三超导材料层连接相邻两条底层磁场线圈层，从而形成整个超导磁场线圈。本发明制备的超导磁场线圈能够在约瑟夫森结处产生磁场，而且通入电流数值将比现有技术所需的电流小，可以扩展约瑟夫森结随磁场变化测量中的磁场范围，提升测量效率。
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公开(公告)号：CN105137374B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410242678.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超高分辨率的磁共振成像方法及装置，所述方法至少包括以下步骤：将被检样品放置于磁场梯度源与纳米超导量子干涉器件的作用范围内；采用静磁场源对被检样品施加静磁场，采用射频源对所述被检样品施加核磁共振射频脉冲以激发所述被检样品使其发生核磁共振；采用所述纳米超导量子干涉器件与被检样品直接耦合以探测所述被检样品产生的核磁共振波谱信号；根据探测得到的核磁共振波谱信号与磁场梯度源的空间分布信息建立被检样品的图像。本发明利用纳米超导量子干涉器件作为探测器，可实现纳米级别分辨率的磁共振成像，测量不会受到振动和电场信号的干扰，样品可与探测器直接近距离耦合，成像范围加大，且可以在强磁场条件下工作。
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公开(公告)号：CN105702849B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610070503.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结；3）在步骤2）得到的结构表面形成第二绝缘材料层；4）沉积旁路电阻材料层，并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通，避免出现断路故障，保证了旁路电阻连通的稳定性，提高了超导电路结构的工作性能。
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公开(公告)号：CN108365049A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810083509.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种大光敏面超导纳米线单光子探测器，包括至少一层超导纳米线结构，超导纳米线结构包括：若干条平行间隔排布的直线部，包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线；若干个第一连接部，将直线部依次首尾连接成蜿蜒状；若干个第二连接部，位于直线部内，且位于直线部内平行间隔排布的超导纳米线之间；位于同一直线部内的若干个第二连接部平行间隔排布；沿平行于所述直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为第二连接部；沿垂直于直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为相邻直线部之间的间隙。本发明可以避免写场拼接误差对超导纳米线核心区域的影响，从而不可以确保大光敏面超导纳米线单光子探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105428517B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510750190.3
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24 , H01L39/02 , H01L39/06 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法，包括：于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层，露出第一超导材料层；刻蚀第一、第二超导材料层，形成双通道超导连接和约瑟夫森结；于第一绝缘材料层和衬底上形成第二绝缘材料层；形成旁路电阻；沉积第三超导材料层，并形成配线。双通道超导连接包括：并联的第一、第二通道，第一通道包括依次层叠的衬底、底电极、绝缘材料层及对电极；所述第二通道为衬底上的纯超导通道。本发明通过改进超导电路版图，在制备层间超导通道时，并联一个纯的超导连接通道，克服了以往的连接通道的约瑟夫森效应，提高了超导电路器件的性能及其稳定性。
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