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公开(公告)号：CN103413841A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310382593.8
申请日：2013-08-28
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池表面钝化层结构，该结构采用二氧化硅钝化膜与氮化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构，从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点，解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差，易吸附水气，光的减反效果不好等缺点；并且将二氧化硅钝化膜的厚度优化为10-40纳米，从而在保证光吸收率的基础上极大的增加对硅材料电活性杂质和表面缺陷的钝化效果，使得光生载流子的表面复合速率明显降低，可以使晶体硅的转化效率提高0.3%。同时，还公开了一种太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，该方法采用热氧化工艺制备二氧化硅钝化膜，采用PECVD工艺制备氮化硅钝化膜，该方法可与太阳能电池制备工艺兼容。
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公开(公告)号：CN104875232A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510287869.3
申请日：2015-05-29
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池组件EVA裁切装置，其主机架内部沿入料端至出料端的方向依次设置有物料传送装置、冲孔装置以及定长裁切装置；放料装置配合物料传送装置连续、平稳、顺畅的送料，由冲孔装置及定长裁切装置完成定长冲孔和裁切，真正地实现了从上料、送料、冲孔、裁切、到接料的自动化，极大地提高了生产效率，降低人力物力的浪费，減少污染机会，确保太阳能组件的质量。
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公开(公告)号：CN104842636A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510289483.6
申请日：2015-05-29
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： B41F15/16
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池片金属印刷台面，包括上金属台面、下金属台面、玻璃及LED背光灯，上金属台面与下金属台面上下相对设置；上金属台面上开设有槽体结构，槽体结构贯穿上金属台面的上下表面；槽体结构包括从上至下依次设置的上槽体及下槽体，上槽体的槽宽大于下槽体的槽宽；玻璃固定设置于上槽体内，且玻璃的宽度及长度分别与上槽体的槽宽及槽长相匹配，玻璃的厚度与上槽体的槽深相匹配；下金属台面上与下槽体相对的位置处固定设置LED背光灯，LED背光灯凸伸于下槽体内，LED背光灯的大小与下槽体的大小相匹配；上金属台面与下金属台面上下安装成一整体。提高了印刷台面的平整度，降低了电池片在印刷过程中造成的碎片，提高了产品的成品率。
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公开(公告)号：CN104638031A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510030218.6
申请日：2015-01-21
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法。其包括正电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、第一掺杂层(3)、第二掺杂层(4)、硅衬底(5)和背电极(6)。其中第一掺杂层和第二掺杂层为宽禁带GaN材料且相互接触形成PN结；第二掺杂层表面为GaN纳米线阵列结构，每根GaN纳米线的直径为50-100nm，长度为2-6μm；该第一掺杂层和ITO氧化铟锡透明导电膜依次层叠在纳米线阵列结构表面，正电极设在纳米线阵列结构顶端。本发明具有良好的陷光效果，且能吸收从可见光到紫外光区的光子，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。
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公开(公告)号：CN104088018A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410267231.9
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片制绒的清洗方法，通过在单晶制绒后用氢氟酸加盐酸的混酸清洗溶液进行两次清洗，第一次氢氟酸加盐酸清洗可以有效去除钠离子、钾离子等主要金属杂质，并去除硅片表面的薄层二氧化硅；第二次氢氟酸加盐酸清洗更进一步清洗硅片浅表层金属杂质(第一次清洗后残留的金属杂质)，另外去除硅片表面的二氧化硅层，达到有效的脱水效果。同时，本发明还公开了一种单晶制绒设备，通过在盐酸槽中同时引入盐酸管道与氢氟酸管道，在氢氟酸槽中同时引入氢氟酸管道与盐酸管道；从而可方便地获得盐酸与氢氟酸的混合溶液，方便进行上述单晶硅片制绒的清洗方法。
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公开(公告)号：CN105743010B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610220683.0
申请日：2016-04-11
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池组件安全线卡的安装模具，用于对太阳能电池组件的安全线卡进行定位，其包括主结构以及定位槽，其中，主结构用于对太阳能电池组件进行基准位置确定；定位槽111设置在主结构上，用于对安全线卡的安装位置及角度进行定位。本发明提供的太阳能电池组件安全线卡的安装模具通过主结构对太阳能电池组件进行基准位置确定，通过定位槽对安全线卡的安装位置及角度进行定位；该二级定位机制可一次性实现对安全线卡的精确定位，防止安全线卡在安装过程中的偏移或旋转角度。
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公开(公告)号：CN106018764B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610619361.3
申请日：2016-08-01
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本发明公开了一种光伏组件接线盒中回料的检测与判定方法，通过测量待检测的成品光伏组件接线盒的材料的熔体流动速率MFR接线盒以及标准光伏组件接线盒原料粒子的熔体流动速率MFR原料粒子；并将测量得到的MFR接线盒与MFR原料粒子进行比较，计算待检测的成品光伏组件接线盒的材料的降解率，判断待检测的成品光伏组件接线盒的材料中是否添加了回料，若待检测的成品光伏组件接线盒的材料的熔体流动速率MFR接线盒≤10g/10min，且材料的降解率小于60％，则可判定该成品光伏组件接线盒中无回料添加；否则，判定该成品光伏组件接线盒中添加了回料。该方法简单可靠，填补了现有技术中对光伏组件接线盒中回料的检测与判定的技术空白。
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公开(公告)号：CN106018764A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610619361.3
申请日：2016-08-01
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本发明公开了一种光伏组件接线盒中回料的检测与判定方法，通过测量待检测的成品光伏组件接线盒的材料的熔体流动速率MFR接线盒以及标准光伏组件接线盒原料粒子的熔体流动速率MFR原料粒子；并将测量得到的MFR接线盒与MFR原料粒子进行比较，计算待检测的成品光伏组件接线盒的材料的降解率，判断待检测的成品光伏组件接线盒的材料中是否添加了回料，若待检测的成品光伏组件接线盒的材料的熔体流动速率MFR接线盒≤10g/10min，且材料的降解率小于60％，则可判定该成品光伏组件接线盒中无回料添加；否则，判定该成品光伏组件接线盒中添加了回料。该方法简单可靠，填补了现有技术中对光伏组件接线盒中回料的检测与判定的技术空白。
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公开(公告)号：CN104576803B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510030070.6
申请日：2015-01-21
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/077 , H01L31/054 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成GaN纳米线绒面层(5)、通过沉积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述GaN纳米线绒面层中每根GaN纳米线直径为50‑100nm，长度为10‑20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。
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公开(公告)号：CN104576783B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510030000.0
申请日：2015-01-21
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成硅纳米线绒面层(5)、通过淀积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过磁控溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；在该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述硅纳米线绒面层(5)中硅纳米线直径为40?80nm，长度为20?40μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。
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