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公开(公告)号：CN104088018A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410267231.9
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片制绒的清洗方法，通过在单晶制绒后用氢氟酸加盐酸的混酸清洗溶液进行两次清洗，第一次氢氟酸加盐酸清洗可以有效去除钠离子、钾离子等主要金属杂质，并去除硅片表面的薄层二氧化硅；第二次氢氟酸加盐酸清洗更进一步清洗硅片浅表层金属杂质(第一次清洗后残留的金属杂质)，另外去除硅片表面的二氧化硅层，达到有效的脱水效果。同时，本发明还公开了一种单晶制绒设备，通过在盐酸槽中同时引入盐酸管道与氢氟酸管道，在氢氟酸槽中同时引入氢氟酸管道与盐酸管道；从而可方便地获得盐酸与氢氟酸的混合溶液，方便进行上述单晶硅片制绒的清洗方法。
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公开(公告)号：CN104009102A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410267814.1
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1868
摘要： 本发明公开了一种背钝化层结构及其制备方法，该结构采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构，由于TiO2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将硅片放置在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成TiO2薄膜；因此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备相比较，其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改造提供了可能。同时，还公开了一种背钝化P型太阳能电池及其制备方法，该电池采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构。
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公开(公告)号：CN203910834U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420319818.5
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/673
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本实用新型公开了一种石墨载板，包括石墨板，所述石墨板上均匀设置有若干镂空区域，相邻镂空区域之间通过间隔条间隔开；所述间隔条上设置有卡槽，用于安装金属挂钩；硅片通过所述金属挂钩放置于所述镂空区域内；其中：所述镂空区域呈四角具有倒角的正方形，正方形的边长为162-166mm，倒角的直径为212-216mm。从而可通过金属挂钩将更大尺寸的硅片支撑在镂空区域内，以适应更大尺寸的硅片的要求；同时由于石墨框镂空区域尺寸与硅片尺寸非常接近两者之间的间隙很小较少了反应气体有硅片正面蔓延的硅片背面的几率，因此也减少了平板PECVD镀膜时硅片边缘的色差，降低了由于背面反镀造成的产品质量降低的现象。
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公开(公告)号：CN203910818U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420319817.0
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型公开了一种背钝化层结构，该结构采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构，由于TiO2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将硅片放置在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成TiO2薄膜；因此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备相比较，其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改造提供了可能。同时，还公开了一种背钝化P型太阳能电池，该电池采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构。
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公开(公告)号：CN203733815U
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201420083594.2
申请日：2014-02-26
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本实用新型公开了一种多栅太阳能电池组件，包括至少两个多栅太阳能电池片，各电池片之间通过互联条实现互联，每个多栅太阳能电池片的正面设置有电极栅线结构，背面设置有多条分段式背电极和铝背场；该电极栅线结构包括多条主栅线和多条细栅线，主栅线包括至少两个主栅线单元及至少一条细主栅线；主栅线单元的宽度大于细主栅线的宽度，细主栅线的宽度大于细栅线的宽度。本实用新型提供的多栅太阳能电池组件通过将互联条的一端覆盖在一多栅太阳能电池片的主栅线单元上，另一端覆盖在相邻的另一多栅太阳能电池片背面的分段式背电极上，从而实现相邻两多栅太阳能电池片之间的互联。
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公开(公告)号：CN204136562U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420528760.5
申请日：2014-09-15
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本实用新型公开了一种硅片居中抓手，包括固定柱以及若干支撑柱，所述固定柱包括底柱以及与所述底柱的上表面垂直连接的连接柱，所述连接柱用于与所述巴奇尼印刷机连接；所述若干支撑柱与所述底柱的内侧面连接；所述若干支撑柱的内侧面用于与硅片接触，且所述若干支撑柱的内侧面与所述底柱的外侧面之间的距离各不相同，其距离范围为18-23mm；从而使得本实用新型提供的硅片居中抓手可以满足156mm×156mm到165mm×165mm规格的硅片的居中。
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公开(公告)号：CN205723556U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620310634.1
申请日：2016-04-14
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型公开了一种N型IBC太阳能电池结构，包括硅片基体，硅片基体的正表面上设置有正面钝化减缓层，硅片基体的背表面上间隔设置有梳状的N+掺杂区和P+掺杂区；N+掺杂区和P+掺杂区的表面设置有背面钝化增反层；背面钝化增反层上设置有正电极和负电极，且正电极及负电极均贯穿背面钝化增反层，并分别与P+掺杂区及N+掺杂区电性连接。本实用新型提供的N型IBC太阳能电池结构，其硅片基体的正表面上仅设置有正面钝化减缓层，其背面的N+掺杂区和P+掺杂区上采用同一种背面钝化增反层，相对于现有的N型IBC太阳能电池结构而言，其结构大大简化。
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公开(公告)号：CN204144294U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420529122.5
申请日：2014-09-15
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/673
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本实用新型公开了一种硅片承载盒，包括相对设置的第一面板及第二面板；设置在第一面板与第二面板间且与第一面板与第二面板两侧固定连接的四个侧面档杆；设置在第一面板与第二面板底部之间的两个底部档杆；四个侧面档杆的内侧均设置有相互匹配的第一锯齿，用于固定硅片；第一锯齿之间设置有凸线；且相对两侧面档杆之间的第一锯齿的底部之间的距离为160-165mm，从而可以适合160mm大面积硅片的放置；并且由于第一锯齿之间设置有凸线，从而可实现硅片与承载盒的点接触，大大减少了接触面积，可减少制绒后硅片表面的花篮印，提高电池优质品率。
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