公开(公告)号：CN104576803A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510030070.6

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 林瀚琪 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/077 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/052 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1856

摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成GaN纳米线绒面层(5)、通过沉积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述GaN纳米线绒面层中每根GaN纳米线直径为50-100nm，长度为10-20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN104088018A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410267231.9

申请日：2014-06-16

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 郭永刚 ,  高鹏 ,  张婷 ,  屈小勇 ,  林瀚琪 ,  倪玉凤 ,  陈璐 ,  代同光 ,  张治

IPC分类号： C30B33/10

摘要： 本发明公开了一种单晶硅片制绒的清洗方法，通过在单晶制绒后用氢氟酸加盐酸的混酸清洗溶液进行两次清洗，第一次氢氟酸加盐酸清洗可以有效去除钠离子、钾离子等主要金属杂质，并去除硅片表面的薄层二氧化硅；第二次氢氟酸加盐酸清洗更进一步清洗硅片浅表层金属杂质(第一次清洗后残留的金属杂质)，另外去除硅片表面的二氧化硅层，达到有效的脱水效果。同时，本发明还公开了一种单晶制绒设备，通过在盐酸槽中同时引入盐酸管道与氢氟酸管道，在氢氟酸槽中同时引入氢氟酸管道与盐酸管道；从而可方便地获得盐酸与氢氟酸的混合溶液，方便进行上述单晶硅片制绒的清洗方法。

公开(公告)号：CN104576803B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510030070.6

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 林瀚琪 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成GaN纳米线绒面层(5)、通过沉积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述GaN纳米线绒面层中每根GaN纳米线直径为50‑100nm，长度为10‑20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204144294U

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201420529122.5

申请日：2014-09-15

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 郭永刚 ,  宋志成 ,  张婷 ,  董鹏 ,  陈璐 ,  吴翔 ,  倪玉凤 ,  林瀚琪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/673

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本实用新型公开了一种硅片承载盒，包括相对设置的第一面板及第二面板；设置在第一面板与第二面板间且与第一面板与第二面板两侧固定连接的四个侧面档杆；设置在第一面板与第二面板底部之间的两个底部档杆；四个侧面档杆的内侧均设置有相互匹配的第一锯齿，用于固定硅片；第一锯齿之间设置有凸线；且相对两侧面档杆之间的第一锯齿的底部之间的距离为160-165mm，从而可以适合160mm大面积硅片的放置；并且由于第一锯齿之间设置有凸线，从而可实现硅片与承载盒的点接触，大大减少了接触面积，可减少制绒后硅片表面的花篮印，提高电池优质品率。

公开(公告)号：CN204315610U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520041809.9

申请日：2015-01-21

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 林瀚琪 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 本实用新型公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)，其中N型硅衬底(6)的上表面为梯形形状，该梯形表面上依次层叠有GaN纳米线绒面层(5)、本征多晶硅层(4)、P型多晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，形成三维倒梯形整体结构，该三维倒梯形整体结构的顶端设有正面电极(1)。该实用新型的GaN纳米线绒面层(5)中的每根GaN纳米线直径为50-100nm，长度为10-20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

公开(公告)号：CN204067381U

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201420528612.3

申请日：2014-09-15

申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

发明人： 罗辉 ,  刘建达 ,  苗林 ,  董鹏 ,  高鹏 ,  宋志成 ,  张治 ,  林瀚琪

IPC分类号： H01L31/044 ,  H02S40/34

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型公开了一种太阳能电池组件，包括玻璃基板、背板以及太阳能电池片阵列；太阳能电池片阵列包括若干串联连接的太阳能电池串，每串太阳能电池串通过汇流带实现电性连接；相邻两太阳能电池串的汇流带之间设置有内置二极管；并且最外侧的两太阳能电池串的汇流带引出至背板外部的线缆端子。本实用新型通过将内置二极管连接在相邻两太阳能电池串的汇流带之间，从而将内置二极管嵌入太阳能电池组件内部，由于内置二极管直接和背板及玻璃基板封装在一起，外部直接和空气进行热交换，从而有效的提升了内置二极管的散热效果；并且只需将最外侧的两太阳能电池串的汇流带引出至背板外部的线缆端子，从而有效降低了线缆的长度，进一步降低了太阳能电池组件的功率封装损失。