一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置

    公开(公告)号:CN101914807B

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN201010259638.9

    申请日:2010-08-23

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本发明涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术。一种单晶炉热系统的煅烧处理方法,其特征在于:一种专用煅烧容器,具有可开启和密闭的容器门,煅烧容器内部空间尺寸大于包括石墨器件、保温层的单晶炉热系统外形尺寸;专用煅烧容器内部周壁为电加热方式加热,加热温度为1600-2000℃,容器内煅烧时为真空状态,冷态真空度小于等于达1Pa;单晶炉热系统以整套或拆散方式放置在专用煅烧容器内煅烧。本发明相应提供了一种单晶生长热系统的煅烧处理的装置。由此,本发明首创改变只能在单晶炉中加热煅烧单晶炉热系统的处理方法,另外专制供煅烧处理单晶炉热系统的装置;煅烧零部件更加灵活机动,提高煅烧处理效果和效率,节省能源。

    一种多媒体太阳能电池阵
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111312837A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201811406722.1

    申请日:2018-11-23

    发明人: 黄娟娟

    IPC分类号: H01L31/042 H01L31/05

    摘要: 本发明涉及一种多媒体太阳能电池阵,所述多媒体太阳能电池阵包括太阳能电池负载设备,其特征在于:多个太阳能电池组成一个太阳能电池模块,所述多媒体太阳能电池阵的毎一阶太阳能电池阵均包含一个或多个太阳能电池阵模块,上一阶太阳能电池阵与下一阶太阳能电池阵相比,包含更少的太阳能电池阵模块且每个太阳能电池阵模块包含更多的太阳能电池。本发明的多媒体太阳能电池阵可根据负载所需功率大小,自由选择合适的太阳能电池阵模块向负载供电。

    一种单晶硅的腐蚀溶液
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109880625A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910131283.6

    申请日:2019-02-22

    发明人: 朱眉清

    IPC分类号: C09K13/02

    摘要: 本发明公开了一种单晶硅的腐蚀溶液,所述将硅片放置于70-90°C的腐蚀溶液中,所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1,3,5-环已烷三醇溶液组成,其配方按质量百分比为:20-35%氢氧化钠溶液、25-35%碳酸钠溶液、15-45%碳酸钾溶液、5-20%1,3,5-环已烷三醇溶液。本发明揭示了一种单晶硅的腐蚀溶液,单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层,该腐蚀液的腐蚀速率快,可减少处理过程中的毒性。

    一种具有鳍形结构的晶圆封装

    公开(公告)号:CN106449563B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201611073178.4

    申请日:2016-11-29

    发明人: 王汉清

    IPC分类号: H01L23/367 H01L23/373

    摘要: 一种具有鳍形结构的晶圆封装,包括:半导体衬底,具有相对的上表面和下表面;位于所述上表面的多个焊盘;位于所述多个焊盘上的多个焊球;覆盖所述上表面的阻焊层,所述阻焊层漏出所述多个焊球并且为覆盖所述上表面的边缘位置;围绕所述衬底侧面上的刻蚀所述衬底形成的鳍形结构;环绕所述阻焊层的金属导热层,所述金属导热层仅位于所述上表面的边缘位置;位于所述下表面的散热层;以及连接所述金属导热层和所述散热层并覆盖所述鳍形结构的鳍形金属层。

    用于太阳能硅晶片上的散热片

    公开(公告)号:CN106936383A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201511009442.3

    申请日:2015-12-29

    IPC分类号: H02S40/42

    CPC分类号: H02S40/42

    摘要: 本发明提供了一种提高散热效率的用于太阳能硅晶片上的散热片,整体由铝合金材料压制而成,包括底座,底座的上表面中部设置有若干叶片,叶片在竖直方向上呈扇形分布,所述底座的侧面、上表面及叶片表面分别布满凸起或凹槽。这种布满齿形凸起和凹槽的表面增加了散热装置的表面积,即增大了与空气接触的散热面,提高了散热装置的散热效率。

    一种金刚线切割机
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106738397A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611197835.6

    申请日:2016-12-22

    IPC分类号: B28D5/04 B28D5/00

    摘要: 本发明涉及切割机领域,公开了一种金刚线切割机,所述金刚线切割机包括机架,支撑架,安装在所述机架上的两根主辊和设置在两根主辊中间的两根支撑辊;所述支撑架固定在所述机架上,所述支撑架上设置有法兰盘,所述法兰盘一面固定在所述支撑架上,另一面形成有具有圆弧形凹槽的凸起,所述支撑辊放置在所述凸起的凹槽内;所述支撑架上开有调节孔,所述调节孔与螺栓配合调节所述支撑架的高度;所述主辊和所述支撑辊用于缠绕金刚线。本发明所述的金刚线切割机在主辊之间增加可调支撑辊,增加了金刚线的切割力,同时,本发明能够使得金刚线冷却润滑更均匀,更好更及时的掌握金刚丝断裂情况。

    单晶硅平收尾方法及制备方法

    公开(公告)号:CN106637402A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201611197875.0

    申请日:2016-12-22

    IPC分类号: C30B29/06 C30B15/00

    CPC分类号: C30B29/06 C30B15/00

    摘要: 本发明涉及单晶硅平收尾方法及制备方法,平收尾方法包括:关闭自动温度控制系统,停止坩埚上升;手动升温10~20℃,晶体提拉速度降低至0.1~0.4mm/min,保持晶体继续生长20~30min,晶体与固液界面接触的一端由凹面生长为平面;关闭晶体提拉速度的自动控制系统,手动降低提拉速度至小于0.1mm/min,保持晶体继续生长20~30min,晶体与固液界面接触的一端由平面生长为凸面;将坩埚一次性下降20~50mm,使晶体脱离坩埚内熔硅液面,降低晶体转速和坩埚转速;晶体降温,继续提拉晶体获得产品。本发明可减少熔硅的耗用量,缩短单晶硅的制备周期,提高单晶硅合格品的长度和重量以及成品的合格率。

    一种新型环保预拌砂浆生产设备

    公开(公告)号:CN106272979A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610646783.X

    申请日:2016-08-09

    发明人: 刘辉

    IPC分类号: B28C9/02 B28C7/04

    摘要: 本发明提供了一种新型环保预拌砂浆生产设备,包括:集装箱式机架,固设于集装箱式机架上部的储料系统,与储料系统相连接且位于其下方的称量系统,与称量系统相连接且位于其下方的搅拌系统;还包括辅助系统。同现有技术相比,该装置具有集成度高,整套设备可全部放置于标准12英尺加高集装箱中使用和运输;快捷的安装和拆卸、低能耗、野外操作高安全性、抗恶劣气候和有效保护环境、占地面积小的优点。

    渐进式电梯安全钳
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102730512A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210205754.1

    申请日:2012-06-20

    发明人: 张屹 施承启

    IPC分类号: B66B5/22

    摘要: 本发明公开了一种渐进式电梯安全钳,包括钳体、固定在所述钳体上的弹簧座、固定在所述弹簧座上的弹簧、固定在所述钳体内部的滚子组件和设在所述滚子组件内侧的楔形闸块组件,所述的滚子组件带有滚槽,所述的楔形闸块组件卡接在滚子组件的滚槽内。本发明渐进式电梯安全钳,巧妙地运用了杠杆力臂原理,将楔块沿斜面导轨移动闸住导致所产生的水平分力,通过力臂杠杆传递给弹簧,使弹簧的刚度设计减小5倍,达到渐进制停的目的,采用最简结构,而达到符合国家标准的安全制停效果。