公开(公告)号：CN108930060A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810722327.8

申请日：2012-11-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 薛森鸿 ,  陈步芳 ,  王祥保

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/16 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

CPC分类号： C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/165 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

摘要： 提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。

公开(公告)号：CN108893778A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810775369.8

申请日：2018-07-16

申请人： 苏州四海常晶光电材料有限公司

发明人： 陈建玉

IPC分类号： C30B29/24 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/24 ,  C30B15/00

摘要： 本发明公开了一种ABO3晶体及其生长方法，晶体化学式：Y0.5La0.5Al0.5B0.5O3(YLABP)，生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1850℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明能克服传统YAP和LaBO3因相变导致晶体容易开裂的生长困难，成为较易生长性能优良的激光晶体和闪烁晶体。

公开(公告)号：CN108799571A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201811111839.7

申请日：2018-09-24

申请人： 常州金禾新能源科技有限公司

发明人： 宦嘉敏

IPC分类号： F16K15/06 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： F16K15/063 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

摘要： 本发明涉及一种用于单晶炉的放气阀，包括阀筒、阀盖、阀座、阀芯和预紧力调节装置，所述的阀盖安装在阀筒的左端上，所述的阀座安装在阀筒的右端内，所述的阀座的中心处开设有出气孔，所述的阀芯活动连接在阀筒内，所述的阀芯为半球形阀头，所述的阀芯的球形面正对阀坐，所述的阀芯通过弹簧与阀盖相连，所述的阀芯在弹簧的作用下堵塞在阀座的出气孔处，从而实现密封作用，所述的预紧力调节装置设置在弹簧与阀盖之间。本设计通过预紧力调节装置对弹簧的预紧力进行调节，从而实现了定压放气，增加了其的实用性能。

公开(公告)号：CN108360068A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810271319.6

申请日：2018-03-29

申请人： 中国工程物理研究院化工材料研究所

发明人： 潘忠奔 ,  苑华磊 ,  戴晓军 ,  张衍 ,  居佳 ,  袁浩 ,  蔡华强

IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B15/00 ,  H01S3/16

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B15/00 ,  H01S3/1616 ,  H01S3/1631

摘要： 本发明公开了一种铥、镥双掺杂的铝酸钙钆晶体，晶体的分子式为TmxCaGd1-x-yLuyAlO4，其中x＝0～0.1，y＝0～0.4。本发明还公开了所述铥、镥双掺杂的铝酸钙钆晶体的制备方法和所述铥、镥双掺杂的铝酸钙钆晶体的应用。本发明的铥、镥双掺杂的铝酸钙钆晶体具有较低的声子能量，有利于2微米激光输出。Lu3+的掺杂进一步的增宽Tm3+的光谱，有利于超短脉冲激光产生。

公开(公告)号：CN108327104A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810130824.9

申请日：2018-02-08

申请人： 宁波鄞州义旺电子科技有限公司

发明人： 楼碧云

IPC分类号： B28D5/02 ,  B28D7/04 ,  B28D7/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： B28D5/024 ,  B28D5/0058 ,  B28D5/0082 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种半导体集成圆片制造设备，包括机座以及设置在所述机座顶部的半导体柱制备机体和设置在所述机座顶部且位于所述半导体制备机体右端的圆片切割机体，所述机座内设有位于所述半导体柱制备机体和所述圆片切割机体之间且开口向上的第一导滑槽，所述第一导滑槽内滑动配合连接有托板，所述托板内螺纹配合连接有上下延伸且左右对称的第一调节螺纹杆，所述第一调节螺纹杆顶部延伸末端贯穿所述托板，所述第一调节螺纹杆底部延伸末端动力连接有第一电动机，所述第一电动机外表面嵌设于所述第一导滑槽内且与之固定连接；本发明结构简单，操作方便，自动化程度高，同时，提高了集成圆片制造效率以及效果。

公开(公告)号：CN107815727A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711139173.1

申请日：2017-11-16

申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司

发明人： 傅林坚 ,  曹建伟 ,  沈文杰 ,  李林 ,  胡建荣 ,  倪军夫 ,  叶钢飞 ,  沈兴潮 ,  王小飞

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06

摘要： 本发明涉及直拉硅单晶炉生长设备的辅助设备，旨在提供一种用于单晶炉的快捷化料机构。该种用于单晶炉的快捷化料机构包括加热电源、提升装置和辅助加热器；提升装置包括电动驱动装置、手动旋钮和提升杆，辅助加热器安装在提升装置的提升杆下端上，并通过连接电缆与炉体外部的加热电源连接，实现对石英坩埚内的多晶料进行辅助熔化。本发明通过在石英坩埚的上部设置一个辅助加热器，来有效减少晶体生长过程中的化料时间，从而大幅减少整个单晶生长周期，达到增产降本的目的。

公开(公告)号：CN107653487A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710992079.4

申请日：2017-10-23

申请人： 安徽中晶光技术股份有限公司

发明人： 胡治军

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/28

CPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/28

摘要： 本发明公开了一种用于晶体生长过程中回收铱粉的回收桶，包括底板（21），底板（21）上方活动连接保温管（22），底板（21）上方铺设垫层（25），垫层（25）设置在保温管（22）内侧，在垫层（25）上方放置铱锅（1），铱锅（1）包括底座（11），底座（11）上侧配合连接圆管（12），铱锅（1）外侧与保温管（22）和垫层（25）之间形成夹层（23），在夹层（23）内填充保温材料。本发明的优点：本发明所提供的一种用于晶体生长过程中回收铱粉的回收桶，保温性能好，能够精确控制晶体炉内的温场，为晶体的稳定生长提供了良好的环境，能够控制晶体生长过程中铱粉的挥发，晶体生长完成后能够对原料中的铱进行二次提纯，减少了原料的损耗。

公开(公告)号：CN107532325A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025582.6

申请日：2016-04-21

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 片野智一

IPC分类号： C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3225 ,  B28D1/08 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/16 ,  H01L29/34

摘要： 将晶体的氮浓度设为1×1011～2×1013atoms/cm3，将晶体冷却速度设为在硅熔点～1350℃时为4.2℃/min左右并在1200～1000℃时为3.1℃/min左右，将晶圆的氧浓度设为9.5×1017～13.5×1017atoms/cm3，从而提拉单晶硅，对从该单晶硅切取的晶圆实施处理条件为875℃、30min左右的热处理之后，进行外延层生长，从而制造出维持规定的氧浓度的同时不增加外延缺陷且不产生滑移的外延晶圆。

公开(公告)号：CN107523868A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710592840.5

申请日：2017-07-19

申请人： 晶科能源有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 彭瑶 ,  苏勇 ,  邱建峰 ,  王义斌 ,  周慧敏

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

摘要： 一种硼母合金制备方法，包括：选择与目标硼母合金棒中硼元素浓度相同或相近的工业硅原料，且该工业硅原料中金属元素浓度的总和不高于1000ppmw；利用直拉法将所述工业硅原料制备成硼母合金棒；截去所述硼母合金棒的放肩部分和收尾部分，根据分凝原理将剩下的所述硼母合金棒的电阻率分成多个档位，并根据电阻率档位将所述硼母合金棒切割为块状，得到多个电阻率档位的硼母合金块；测量每个电阻率档位的硼母合金块的实际电阻率；分别将每个电阻率档位的硼母合金块破碎成颗粒状，并按照电阻率档位分开进行打包。

公开(公告)号：CN106165110B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201580016307.3

申请日：2015-03-13

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 彼德·L·凯勒曼 ,  布莱恩·梅克英特许 ,  菲德梨克·M·卡尔森 ,  大卫·莫雷尔 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  南帝斯·德塞 ,  孙大为 ,  法兰克·辛克莱

IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： C30B15/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。