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公开(公告)号：CN101316944B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200780000385.X
申请日：2007-04-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3215 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种用于使低电阻、透明性优良、非晶态的、用弱酸蚀刻可以比较容易地制作布线图案、而且可以比较容易结晶化的透明导电膜成膜的溅射靶及氧化物烧结体的制造方法。该溅射靶是可以形成非晶态状态的透明导电膜的溅射靶，具备含有氧化铟和根据需要的锡、同时含有钡的氧化物烧结体。
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公开(公告)号：CN100522800C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480041059.X
申请日：2004-12-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C01B13/322 , B01J8/0055 , B01J19/088 , B01J2219/00108 , B01J2219/00112 , B01J2219/00114 , B01J2219/00123 , B01J2219/00159 , B01J2219/0877 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , B22F9/026 , B22F9/082 , B22F2998/00 , C01B13/326 , C01B13/34 , C01B21/06 , C01B21/0821 , C01G1/02 , C01G19/00 , C01P2002/72 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供了微粒的制造方法和制造设备，该方法能够通过简单的设备以低成本生产微粒，例如氧化物微粒，并且该方法适合于生产ITO粉体。在生产微粒的方法中，将液流、液滴或粉体形式的原料供入热源，通过雾状液体流体以微粒形式捕集产物，并通过气-液分离以浆料形式收集微粒。
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公开(公告)号：CN1891663A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100096.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供能够延长靶的寿命、可以得到高密度的溅射靶的氧化铟－氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶及氧化铟－氧化锡粉末的制造方法。在氧化铟－氧化锡粉末中以In－Sn氧化物为主要成分，碳含量在50ppm以下。
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公开(公告)号：CN1300873A
公开(公告)日：2001-06-27
申请号：CN00132350.4
申请日：2000-11-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 使用至少在薄膜的一个单面上具有不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子表面的薄膜,或者使用至少在薄膜的一个单面上,表面不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子并且该表面所存在的直径0.2μm以上的脱离性粒子个数在薄膜表面1cm2范围为1000个以下的的薄膜,用该表面对高纯度对阴极进行捆包的捆包高纯度对阴极。该高纯度对阴极包括有,高纯度ITO对阴极,高纯度陶瓷系列对阴极,高纯度金属系列对阴极等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101316944A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200780000385.X
申请日：2007-04-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3215 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种用于使低电阻、透明性优良、非晶态的、用弱酸蚀刻可以比较容易地制作布线图案、而且可以比较容易结晶化的透明导电膜成膜的溅射靶及氧化物烧结体的制造方法。该溅射靶是可以形成非晶态状态的透明导电膜的溅射靶，具备含有氧化铟和根据需要的锡、同时含有钡的氧化物烧结体。
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公开(公告)号：CN1906130A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480041061.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01G19/00 , C01G15/00 , C04B35/453 , C23C14/34
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/82 , C01P2006/12 , C04B35/457 , C04B35/62665 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供了能够以低成本生产的氧化铟－氧化锡粉体，且该粉体能够提供具有延长靶寿命的高密度溅射靶，并且提供了利用该粉体的溅射靶。包含In－Sn氧化物作为主要成分的氧化铟－氧化锡粉体，其特征在于该氧化物粉体不包含可通过X射线衍射检测出的复合氧化物(In4Sn3O12)，并且在In2O3中具有2.3质量％或更大的SnO2固溶量，该SnO2固溶量是根据In2O3(222)的积分衍射强度与SnO2(110)的积分衍射强度的比值得到的析出SnO2含量(质量％)计算得到。
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公开(公告)号：CN1906125A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480041059.X
申请日：2004-12-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C01B13/322 , B01J8/0055 , B01J19/088 , B01J2219/00108 , B01J2219/00112 , B01J2219/00114 , B01J2219/00123 , B01J2219/00159 , B01J2219/0877 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , B22F9/026 , B22F9/082 , B22F2998/00 , C01B13/326 , C01B13/34 , C01B21/06 , C01B21/0821 , C01G1/02 , C01G19/00 , C01P2002/72 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供了微粒的制造方法和制造设备，该方法能够通过简单的设备以低成本生产微粒，例如氧化物微粒，并且该方法适合于生产ITO粉体。在生产微粒的方法中，将液流、液滴或粉体形式的原料供入热源，通过雾状液体流体以微粒形式捕集产物，并通过气－液分离以浆料形式收集微粒。
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公开(公告)号：CN1891662A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100094.5
申请日：2006-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供可提高靶寿命并可得到高密度的溅射靶的溅射靶的制造方法。在烧成由含有氧化铟粉末及氧化锡粉末的混合粉末构成的原料粉末制造溅射靶时，至少在1100℃～1300℃预烧氧化铟粉末而作成原料的混合粉末，把该混合粉末以比所述预烧温度高150℃以上的温度进行烧结。
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