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公开(公告)号：CN101914754A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910258492.3
申请日：2009-09-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的课题在于提供一种耐环境性优异的氧化锌类靶。所述氧化锌类靶以氧化锌为主要成分，含有钛(Ti)和镓(Ga)两种元素，两元素含量为钛1.1at％以上或镓4.5at％以上的范围。
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公开(公告)号：CN101578245A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001576.2
申请日：2008-08-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/78 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C23C14/086
Abstract: 本发明的目的在于，通过使用能以更高的合格率对具有优良物性的ITO膜进行成膜的ITO烧结体、ITO溅射靶材以及ITO溅射靶，尤其是使用低体积电阻值的ITO烧结体，从而可以提供一种能够获得低电阻且具有优良非晶态稳定性膜的ITO溅射靶材和ITO溅射靶，以及制造适合用于它们的ITO烧结体的方法。本发明的ITO烧结体，是在主晶粒In2O3母相内存在由In4Sn3O12组成的微粒的ITO(Indium－Tin－Oxide)烧结体，其特征在于，该微粒具有倒角的近似立方体的形状。
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公开(公告)号：CN101542012A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000553.X
申请日：2008-04-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供初期稳定性显著提高、同时除低溅射中期和后期的打弧、而且能够以低的成本制造的溅射靶和其制造方法以及溅射方法。该溅射靶供给溅射、向非腐蚀部堆积堆积物，该堆积物至少直至界面附近的层结晶性良好地进行堆积。另外，该溅射靶供给溅射、投入50Wh/cm2以上的能量后的向非腐蚀部的堆积物与溅射面之间基本上不存在空隙而进行堆积，另外，在靶的溅射面上具有水吸附层。
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公开(公告)号：CN100543943C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200680032984.5
申请日：2006-12-22
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供可以调整氧化锌系透明导电膜的蚀刻速率、提高图案化特性的氧化锌系透明导电膜的图案化的方法。通过蚀刻以氧化锌作为主成分、含有从周期表第IV族的元素中选择的至少1种的添加元素的氧化锌系透明导电膜图案化时，在上述蚀刻工序之前利用水处理上述氧化锌系透明导电膜。
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公开(公告)号：CN100513316C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200480041061.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01G19/00 , C01G15/00 , C04B35/453 , C23C14/34
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/82 , C01P2006/12 , C04B35/457 , C04B35/62665 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供了能够以低成本生产的氧化铟-氧化锡粉体，且该粉体能够提供具有延长靶寿命的高密度溅射靶，并且提供了利用该粉体的溅射靶。包含In-Sn氧化物作为主要成分的氧化铟-氧化锡粉体，其特征在于该氧化物粉体不包含可通过X射线衍射检测出的复合氧化物(In4Sn3O12)，并且在In2O3中具有2.3质量%或更大的SnO2固溶量，该SnO2固溶量是根据In2O3(222)的积分衍射强度与SnO2(110)的积分衍射强度的比值得到的析出SnO2含量(质量%)计算得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1891663B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610100096.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供能够延长靶的寿命、可以得到高密度的溅射靶的氧化铟-氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶及氧化铟-氧化锡粉末的制造方法。在氧化铟-氧化锡粉末中以In-Sn氧化物为主要成分，碳含量在50ppm以下。
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公开(公告)号：CN101317237A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200780000386.4
申请日：2007-04-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供一种低电阻、透明性优良的、非晶态的、利用弱酸蚀刻可容易制作布线图案的，并且可以比较容易结晶化的透明导电膜及其制造方法。该透明导电膜是采用具有含有氧化铟及根据需要含有锡、同时含有钡的氧化物烧结体的溅射靶成膜的透明导电膜，含氧化铟及根据需要含有锡、同时含有钡。
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公开(公告)号：CN1788915A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510123330.0
申请日：2002-08-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B23K26/36
Abstract: 本发明提供一种溅镀靶的制造方法，通过由宽度为100μs以下的脉冲输出的激光进行表面处理，经升华等除去在研削加工时生成的毛刺和研削粉末、特别是粉尘和尘埃等，因此可以使靶子开始使用时所产生的初期电弧显著降低，并能够提高初期稳定性，以低成本进行溅镀靶的制造。
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公开(公告)号：CN1222635C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00132350.4
申请日：2000-11-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 使用至少在薄膜的一个单面上具有不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子表面的薄膜，或者使用至少在薄膜的一个单面上，表面不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子并且该表面所存在的直径0.2μm以上的脱离性粒子个数在薄膜表面1cm2范围为1000个以下的的薄膜，用该表面对高纯度对阴极进行捆包的捆包高纯度对阴极。该高纯度对阴极包括有，高纯度ITO对阴极，高纯度陶瓷系列对阴极，高纯度金属系列对阴极等。
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公开(公告)号：CN101914754B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200910258492.3
申请日：2009-09-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的课题在于提供一种耐环境性优异的氧化锌类靶。所述氧化锌类靶以氧化锌为主要成分，含有钛(Ti)和镓(Ga)两种元素，两元素含量为钛1.1at％以上或镓4.5at％以上的范围。
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