公开(公告)号：CN112420109A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010748789.4

申请日：2020-07-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李允宑 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李熙元

IPC分类号： G11C16/26

摘要： 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取存储器单元的快速读取页以及存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

公开(公告)号：CN114490428A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111265668.5

申请日：2021-10-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴玄教 ,  崔相炫 ,  卢羌镐

IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C16/34

摘要： 一种测量包括多个存储块的非易失性存储器件的耐久性的方法，所述方法包括：周期性地接收用于所述多个存储块当中的第一存储块的读取命令；基于所述读取命令，对所述第一存储块周期性地执行读取操作；基于所述读取操作的结果，周期性地输出与所述第一存储块相关联的至少一个单元计数值；响应于与所述第一存储块相关联的耐久性信息的周期性接收，周期性地存储所述耐久性信息，所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。

公开(公告)号：CN113051185A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011377125.8

申请日：2020-11-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金炳喜 ,  徐正旼 ,  卢羌镐 ,  闵贤圭 ,  黄住渶

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G06F12/0882 ,  G06K9/62 ,  G06N3/08 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26

摘要： 公开了一种方法包括：对来自主机的输入/输出请求进行采样，以生成采样的输入/输出请求；使用非监督学习算法将采样的输入/输出请求分类为群集；基于群集的特性来确定热数据范围；以及将确定的热数据范围并入到热数据表中。

公开(公告)号：CN112650443A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011007655.3

申请日：2020-09-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金娟智 ,  徐荣德 ,  金燦河 ,  卢羌镐 ,  吴玄教 ,  李熙元

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F11/10 ,  G06N20/00

摘要： 公开一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。

公开(公告)号：CN112486405A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010945601.5

申请日：2020-09-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李静雨 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李侊祐 ,  李熙元

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G06N20/00

摘要： 一种存储设备，包括：特征信息数据库，被配置为存储关于存储器设备的特征信息；以及机器学习模块，被配置为基于该特征信息从与存储器设备的操作相对应的多个机器学习模型中选择机器学习模型，其中该存储器设备被配置为根据所选择的机器学习模型来进行操作。

公开(公告)号：CN109885507A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201811486172.9

申请日：2018-12-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金鼎勋 ,  李荣息 ,  卢羌镐

IPC分类号： G06F12/02

摘要： 半导体装置包括：存储器装置；和存储控制器。该存储控制器包括对存储器装置执行数据操作的闪存控制器、以及执行用于控制闪存控制器的实时操作系统(RTOS)的处理器，其中该RTOS从主机接收数据的过期时间信息，并且基于过期时间信息使用调度器执行至少一个数据操作。