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公开(公告)号：CN115548017A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210637775.4
申请日：2022-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括第一沟道和第二沟道、第一栅极结构和第二栅极结构、第一源/漏层和第二源/漏层、第一鳍间隔物和第二鳍间隔物、以及第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案。第一沟道竖直设置在衬底的第一区域上。第二沟道竖直设置在衬底的第二区域上。第一栅极结构形成在第一区域上并且覆盖第一沟道。第二栅极结构形成在第二区域上并且覆盖第二沟道。第一源/漏层和第二源/漏层分别接触第一沟道和第二沟道。第一鳍间隔物和第二鳍间隔物分别接触第一源/漏层和第二源/漏层的侧壁和上表面。第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案分别形成在第一鳍间隔物和第二鳍间隔物上，并且分别不接触第一源/漏层和第二源/漏层。
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公开(公告)号：CN110634942A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910460498.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度；以及栅电极，所述栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉。
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公开(公告)号：CN109841572A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811416261.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。
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公开(公告)号：CN119789453A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411837087.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，从衬底突出并包括多个堆叠的半导体图案；栅极图案，设置在有源图案上并与有源图案交叉；栅极绝缘图案，在有源图案和栅极图案之间；栅极间隔物，在栅极图案的侧部处并且在有源图案上；以及盖图案，设置在有源图案和栅极间隔物之间并与有源图案物理接触，其中盖图案具有晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637807A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310891065.9
申请日：2023-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：沟道，所述沟道在衬底上沿基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向彼此间隔开；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上并且与每一个所述沟道的至少一部分的下表面和上表面及第一侧壁接界；以及源极/漏极层，所述源极/漏极层位于所述衬底的与所述栅极结构相邻的部分上并且接触所述沟道的第二侧壁。含氮部分形成在最上面的一个所述沟道的上部，并且可以被掺杂有氮。
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公开(公告)号：CN115939181A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211158520.6
申请日：2022-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，该有源图案包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于下图案的上表面的第二方向上与下图案间隔开的片图案，每个片图案包括上表面和下表面；设置在下图案上并包括栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构，栅电极和栅极绝缘膜围绕每个片图案；以及设置在栅极结构的至少一侧上的源极/漏极图案。栅极结构包括设置在下图案和最下面的片图案之间以及两个片图案之间的栅极间结构，并接触源极/漏极图案。栅极绝缘膜包括具有第一厚度的水平部分和具有不同于第一厚度的第二厚度的第一垂直部分。
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公开(公告)号：CN115706048A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210920442.2
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上形成在其间具有不同的间隔的第一初始有源图案至第三初始有源图案；分别在第一初始有源图案与第二初始有源图案之间以及第二初始有源图案与第三初始有源图案之间形成第一场绝缘层和第二场绝缘层；以及分别在基于第一初始有源图案至第三初始有源图案形成的第一有源图案至第三有源图案上形成第一栅电极至第三栅电极，第一栅电极至第三栅电极通过第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构分离。
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公开(公告)号：CN103972290B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410042203.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN103972290A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042203.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L2924/13067
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。
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