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公开(公告)号：CN105980980A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074517.3
申请日：2014-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F9/30145 , G06F9/3016 , G06F9/3822 , G06F9/3853
Abstract: 在一种运行指令的方法中，基于多个指令中的每一个中所包括的信息来获取在预定周期中运行的至少一个指令，并且获取所述至少一个指令中所包括的代码。基于分析结果将指令分配给至少一个槽位，并且选择性地使用运行所述指令所必要的槽位。因此，可以减少使用所述方法的设备的功耗。
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公开(公告)号：CN100479113C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510091335.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , C23C16/44 , C23C16/40
Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。
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公开(公告)号：CN119968639A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380068487.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06F17/15
Abstract: 当获取用于输入数据的卷积计算指令时，电子装置获取与输入数据对应的填充数据，基于缓冲器的大小和填充数据的大小来识别计算处理单元，基于计算处理单元和缓冲器的大小将输入数据和填充数据分类为多个目标区域，将所述多个目标区域中的一个目标区域存储在第一缓冲器、第二缓冲器或第三缓冲器中，基于计算处理单元和所述多个目标区域获取用于卷积计算的目标数据，并且控制卷积计算模块基于目标数据和内核数据执行卷积计算指令。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114730330B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202080081142.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/15 , H04M1/72427
Abstract: 公开了一种包括处理器的电子设备，其中，所述处理器被配置为：基于反卷积计算的输入数据被输入，获得计算信息；基于获得的所述计算信息获得输出数据的大小；使用地址产生模块获得与输出数据的大小对应的多个存储器地址值；使用卷积计算模块基于所述计算信息执行卷积计算以在卷积计算处理中获得中间值；使用地址产生模块获得多个获得的存储器地址中的与获得的中间值对应的存储器地址值；将获得的中间值存储在与所述中间值对应的存储器地址值中；使用累加计算模块基于与所述中间值对应的存储器地址值来累加至少一个中间值；以及基于累加的所述至少一个中间值获得针对输入数据的反卷积计算值。
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公开(公告)号：CN110050259B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201780074579.8
申请日：2017-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种矢量处理器。矢量处理器包括提供给多个单指令多数据(SIMD)通道中的每一个、存储多条数据中的每一个、并且分别输出在多条数据当中的要在当前周期中使用的输入数据的多个寄存器文件；混洗单元，用于接收从多个寄存器文件输出的多条输入数据，并执行混洗使得所接收的多条输入数据分别对应于多个SIMD通道，并输出多条输入数据；以及，命令运行单元，用于通过接收从混洗单元输出的输入数据来执行并行操作。
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公开(公告)号：CN103164285B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201210537202.0
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/50
CPC classification number: G06F15/7867 , G06F9/3001 , G06F9/3867
Abstract: 一种可重构处理器和可重构处理器的微核，所述可重构处理器包括多个微核和所述微核所连接的外部网络。每一个微核包括：第一功能单元、第二功能单元和内部网络，其中，第一功能单元包括第一组运算元件，第二功能单元包括与第一组运算元件不同的第二组运算元件，并且，第一功能单元与第二功能单元被连接到内部网络。
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公开(公告)号：CN101241860A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710170055.7
申请日：2007-11-09
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/31604 , H01L29/66575
Abstract: 一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，通过以下步骤形成晶体管：在衬底上方将栅结构图案化；在栅结构的侧面上形成间隔件；在栅叠层的交替的侧面，在衬底内形成导体区域。栅结构和导体区域形成晶体管。为了减少大功率等离子引入的损伤，本方法最初对晶体管施加第一功率水平的等离子以在晶体管上方形成第一应力层。在施加第一低功率等离子之后，本方法对晶体管施加具有第二功率水平的第二等离子以在第一应力层上方形成第二应力层。第二功率水平比第一功率水平高(例如，至少高5倍)。
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公开(公告)号：CN1734727A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091335.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , C23C16/44 , C23C16/40
Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。
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