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公开(公告)号：CN101427310B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200780013790.5
申请日：2007-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00781 , G11B7/0033 , G11B7/24044 , G11B7/24047
Abstract: 一种光记录介质以及用于所述光记录介质的记录/再现方法和设备，在所述光记录介质中，通过信号光与基准光之间的干涉形成的干涉图案被记录为数据。所述光记录介质包括至少一个记录有预定数据的记录层，其中，记录层的一部分的厚度大于记录层的另一部分的厚度，其中，数据被记录在较厚的区中，记录条件和/或再现条件的附加信息被记录在较薄的区中。
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公开(公告)号：CN101779240A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880103156.5
申请日：2008-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0065 , G11B7/24
Abstract: 一种全息信息存储介质，包括：基底；覆盖层，接收具有第一偏振方向的第一圆偏振光束和具有第二偏振方向的第二圆偏振光束，其中，第二偏振方向与第一偏振方向正交；偏振光束分割/反射层，设置在基底与覆盖层之间，用于在保持第一光束的第一偏振方向的同时反射第一光束，并透射第二光束；全息记录层，设置在偏振光束分割/反射层与覆盖层之间，用于通过被偏振光束分割/反射层反射的第一光束和被覆盖层接收的第二光束将信息记录为形成在全息层中的干涉图样。
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公开(公告)号：CN101681634A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019962.4
申请日：2008-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0065
CPC classification number: G03H1/28 , G03H1/0408 , G03H1/265
Abstract: 一种容易地控制参考光束的入射角并对全息记录介质的倾斜较不敏感的全息记录/再现设备，该全息记录/再现设备包括：光源，发射光；光学系统，用于将发射的光分割为参考光束和信号光束，并将参考光束和信号光束提供到全息记录介质，其中，所述光学系统提供信号光束，使得信号光束入射在全息记录介质的上表面上，提供参考光束，使得通过由全息记录介质与全息记录介质的外部之间的折射率差异引起的反射沿着全息记录介质内部引导参考光束。
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公开(公告)号：CN101427310A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780013790.5
申请日：2007-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00781 , G11B7/0033 , G11B7/24044 , G11B7/24047
Abstract: 一种光记录介质以及用于所述光记录介质的记录/再现方法和设备，在所述光记录介质中，通过信号光与基准光之间的干涉形成的干涉图案被记录为数据。所述光记录介质包括至少一个记录有预定数据的记录层，其中，记录层的一部分的厚度大于记录层的另一部分的厚度，其中，数据被记录在较厚的区中，记录条件和/或再现条件的附加信息被记录在较薄的区中。
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公开(公告)号：CN118250996A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311786037.7
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L27/088 , H01L29/10
Abstract: 本发明构思提供了包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置，该存储装置包括：在衬底上的读取字线、沿垂直于衬底的上表面的平面延伸的第一沟道、平行地面对第一沟道的第二沟道、在第一沟道和第二沟道之间与第一沟道相邻的第一栅极绝缘层、在第一沟道和第二沟道之间与第二沟道相邻的第二栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第一栅极绝缘层相邻的栅电极、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第二栅极绝缘层相邻的写入字线、电连接到第一沟道的读取位线、以及电连接到第二沟道的写入位线。
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公开(公告)号：CN109920941B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811515758.3
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M50/122 , H01M50/14 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 公开了电池壳、电池和制造电池的方法，所述电池壳包括配置成容纳电极组件的容器，其中所述容器包括底壁和多个侧壁，所述底壁和多个侧壁一体化以限定用于容纳电极组件的空间并提供顶部开口，所述容器是包括基础聚合物和分散在该基础聚合物中的无机吸湿剂的组合物的制品，并且所述电池壳具有根据ISO 15106或ASTM F1249在38℃和100％的相对湿度下测量的小于约0.05g/m2/天的水蒸气传输速率(WVTR)，所述电池包括容纳在所述电池壳的容器中的电极组件。
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公开(公告)号：CN108700366A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680060949.8
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F25D23/06
CPC classification number: F25D23/062 , B32B3/04 , B32B5/20 , B32B7/12 , B32B2307/304 , B32B2509/10 , F25D23/006 , F25D23/06 , F25D23/063 , F25D23/064 , F25D23/066 , F25D23/067 , F25D2201/10 , F25D2201/12 , F25D2201/126 , F25D2201/128 , F25D2201/14
Abstract: 公开了一种冰箱，其包括超薄壁式隔热壁，其厚度被制成较薄以增加储藏室的容量，同时保持隔热性能。设置在隔热壁内部的真空隔热材料设置成与外室接触，使得外室与内室之间的长度减小。另外，通过在内室与外室之间发泡而形成并且设置在真空隔热材料与内室之间的泡沫材料形成为具有薄的厚度，以便减小隔热壁的总厚度，从而增加了储藏室的容量并使冰箱具有纤薄的设计，从而改善了冰箱的美观性。
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公开(公告)号：CN106883600A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611103009.0
申请日：2016-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08L75/04 , B29B9/10 , B29C45/0001 , B29C47/0009 , B29C47/0011 , B29C47/0014 , B29C47/1081 , B29C2947/92704 , B29C2947/92857 , B29K2083/00 , B29K2101/12 , B29K2995/0056 , B29L2031/34 , C08G67/02 , C08L77/02 , C08L77/06 , C08L2203/206 , C08L2205/03 , G02B27/00 , G06F15/00 , C08L83/08 , C08L61/00 , C08L83/04 , C08L73/00 , B29C47/0004
Abstract: 本公开内容涉及聚合物组合物、电子设备及其制造方法。根据本公开内容的一个方面的聚合物组合物包括：30至70重量份的热塑性树脂；1至50重量份的对生态环境友好的树脂，包括生物树脂；和1至60重量份的有机硅树脂，基于所述聚合物组合物的总重量。
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