公开(公告)号：CN109656093B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811060653.3

申请日：2018-09-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  朴成训 ,  金钟洙 ,  裵硕钟

IPC分类号： G03F1/36

摘要： 一种设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法，该设计光掩模的布局的方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。

公开(公告)号：CN107845573B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201710811888.0

申请日：2017-09-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  权星元 ,  金熙范 ,  李东根

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66

摘要： 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

公开(公告)号：CN104423179B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201410418906.5

申请日：2014-08-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  李祥熙

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种使用电子束的图案化方法和被配置为执行所述方法的曝光系统。所述图案化方法可采用诸如电子束(E‑束)的粒子束以及曝光系统，所述图案化方法可包括：准备限定E‑束的空间分布的曝光布置；基于曝光布置对掩模层执行E‑束曝光工艺；对掩模层执行显影工艺，以形成包括第一图案的掩模图案。第一图案可以是单个固体图案，曝光布置可包括与针对与第一图案对应的第一区域限定的多个E‑束条件关联的第一数据。

公开(公告)号：CN106406021A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610623699.6

申请日：2016-08-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  全桓徹 ,  金炳局 ,  崔在爀 ,  权星元

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G03F1/64 ,  G03F1/62 ,  G03F1/48 ,  B82Y40/00

摘要： 本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。

公开(公告)号：CN104423179A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410418906.5

申请日：2014-08-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  李祥熙

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种使用电子束的图案化方法和被配置为执行所述方法的曝光系统。所述图案化方法可采用诸如电子束(E-束)的粒子束以及曝光系统，所述图案化方法可包括：准备限定E-束的空间分布的曝光布置；基于曝光布置对掩模层执行E-束曝光工艺；对掩模层执行显影工艺，以形成包括第一图案的掩模图案。第一图案可以是单个固体图案，曝光布置可包括与针对与第一图案对应的第一区域限定的多个E-束条件关联的第一数据。