公开(公告)号：CN115566049A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210506337.4

申请日：2022-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  崔道永 ,  河大元 ,  金旻奎

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，在衬底上；多个源/漏图案，在有源图案上沿第一方向布置；第一沟道结构，在源/漏图案中的一对源/漏图案之间；第二沟道结构，在源/漏图案中的另一对源/漏图案之间；第一栅电极，与第一沟道结构相交并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸；以及第二栅电极，与第二沟道结构相交并且在第二方向上延伸。第一栅电极包括在第一沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分，并且第二栅电极包括在第二沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分。第二栅电极的第一部分的厚度大于第一栅电极的第一部分的厚度。

公开(公告)号：CN114388502A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110651929.0

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  姜明吉 ,  金完敦

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底；有源图案，位于基底的上部中并且在第一方向上延伸；栅电极，与有源图案交叉并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一栅极间隔件，覆盖栅电极的侧表面；第一抑制层，位于栅电极与第一栅极间隔件之间；以及栅极绝缘层，位于栅电极与有源图案之间。栅极绝缘层可以包括高k介电层和栅极氧化物层。栅极氧化物层可以位于高k介电层与有源图案之间。高k介电层可以局部地设置在栅极氧化物层与栅电极之间。

公开(公告)号：CN114068718A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110862128.9

申请日：2021-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金文铉 ,  河大元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有彼此分开的第一区域和第二区域；层叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个有源层；第一隔离绝缘层，在第一区域上的层叠结构上；第二隔离绝缘层，在第二区域上的层叠结构上，第二隔离绝缘层具有与第一隔离绝缘层相同的厚度；第一上有源图案，与第一隔离绝缘层间隔开；第一栅电极，围绕第一上有源图案的至少一部分；第二上有源图案，与第二隔离绝缘层间隔开；以及第二栅电极，围绕第二上有源图案的至少一部分，其中第一隔离绝缘层和第二隔离绝缘层的顶表面处于不同的高度。

公开(公告)号：CN111312801A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910949506.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金文铉 ,  朴炳国 ,  赵槿汇 ,  金时铉 ,  李基太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN109994386B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201811561918.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  金文铉 ,  吴汉洙 ,  黄成万 ,  金洞院

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成从衬底突出并在一个方向上延伸的有源图案；在有源图案上形成牺牲栅极结构，该牺牲栅极结构在与有源图案交叉的方向上延伸；在牺牲栅极结构的侧表面上形成第一间隔物，该第一间隔物包括在比有源图案的顶表面低的水平面处的第一部分和在第一部分上的第二部分；以及减小第一间隔物的第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN115020340A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202111651145.4

申请日：2021-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  科恩·瑞姆 ,  河大元

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；有源图案，在基底上沿第一水平方向延伸；栅电极，在有源图案上沿不同于第一水平方向的第二水平方向延伸；源区/漏区，位于栅电极的至少一侧上；源极/漏极接触件，延伸到源区/漏区中，并且包括填充层和沿着填充层的侧壁的阻挡层；以及硅化物层，位于源区/漏区与填充层之间，硅化物层包括与填充层接触的第一侧壁和与源区/漏区接触的第二侧壁，其中，阻挡层不位于填充层与源区/漏区之间。

公开(公告)号：CN114597205A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111376489.9

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  金旻奎 ,  崔道永 ,  河大元

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括在基板上的有源图案、在有源图案上的源极/漏极图案、在每个源极/漏极图案的侧表面上的围栏间隔物、插设在源极/漏极图案之间的沟道图案、与沟道图案交叉并在第一方向上延伸的栅电极、以及在栅电极的侧表面上的栅极间隔物。围栏间隔物的上部的在第一方向上的第一厚度可以大于栅极间隔物的在与第一方向交叉的第二方向上的第二厚度。

公开(公告)号：CN106981485B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201610873691.5

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  卢昶佑 ,  赵槿汇 ,  姜明吉 ,  前田茂伸

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了一种CMOS器件和CMOS反相器。CMOS器件包括：衬底，其具有在第一方向上延伸且由器件隔离层限定的有源线，所述衬底被划分为NMOS区、PMOS区以及介于NMOS区与PMOS区之间且具有器件隔离层而不具有有源线的边界区；栅线，其在第二方向上延伸与有源线交叉，并且具有位于NMOS区中的有源线上的第一栅极结构、位于PMOS区中的有源线上的第二栅极结构以及位于边界区中的器件隔离层上的第三栅极结构。第三栅极结构的电阻和寄生电容小于第一栅极结构和第二栅极结构的电阻和寄生电容。因此，可获得CMOS器件更好的AC性能和DC性能。

公开(公告)号：CN109980012A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811462559.0

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金真范 ,  金文铉 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  李宽钦 ,  卢昶佑 ,  玛丽亚·托莱达诺卢克 ,  朴洪培 ,  李始炯 ,  黄成万

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。