公开(公告)号：CN116110470A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211375167.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴准镛 ,  金珉奭 ,  金志秀 ,  朴一汉 ,  金斗铉

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C5/14

Abstract: 提供了一种用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于对多个存储器单元执行的一个或多个编程操作和验证操作的电压；控制逻辑，被配置为在多个存储器单元上执行控制操作，使得执行第一编程和第二编程循环；第二编程操作基于补偿电压电平来执行，补偿电压电平是基于第一验证操作的结果确定的；以及连接到存储器单元阵列的多条位线，其中第一验证操作包括对偶数编号的位线的第一偶数感测和第二偶数感测，以及对奇数编号的位线的第一奇数感测和第二奇数感测。

公开(公告)号：CN116088748A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210916025.0

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔光浩 ,  金珉奭 ,  朴一汉 ,  朴准镛 ,  张俊锡

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了存储器件、操作其的方法及操作包括其的存储设备的方法，所述存储器件包括历史表并且与存储控制器进行通信。一种操作所述存储器件的方法包括：从所述存储控制器接收指示所述存储器件中的第一存储块的第一核心操作的第一请求；响应于所述第一请求，参考所述历史表来确定所述第一存储块的历史数据具有第一值还是第二值；当确定所述第一存储块的历史数据具有所述第一值时，对所述第一存储块执行对应于第一类型的所述第一核心操作；以及在对所述第一存储块执行了对应于所述第一类型的所述第一核心操作之后，将所述历史表中的所述第一存储块的历史数据从所述第一值更新为所述第二值。

公开(公告)号：CN114078536A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110882993.X

申请日：2021-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  金斗铉 ,  金珉奭 ,  金志秀

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的读取方法。非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路以及包括第一锁存器和第二锁存器的页缓冲器电路。页缓冲器电路将基于存储在邻近的存储器单元中的数据的第一感测值分别锁存在第一锁存器并且将基于存储在选择的存储器单元中的数据的第二感测值分别锁存在第二锁存器至少两次。

公开(公告)号：CN107422982A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710236665.6

申请日：2017-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  李真烨 ,  姜京花 ,  金珉奭 ,  金敏洙 ,  尹盛远

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C29/52 ,  G06F3/0614 ,  G06F3/0629

Abstract: 本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置，所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作，输出读取数据至控制器，并储存读取操作的信息在内部寄存器中。