电致发光显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1708194B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200510078873.5

    申请日:2005-06-06

    Abstract: 提供一种电致发光(EL)显示器件和制造它的方法。该器件包括:一基板;多个置于基板上的像素电极;一置于像素电极上并具有露出每一像素电极预定部分的开口部分的像素限定层;和至少一个包括在像素限定层里和/或上的阻挡层。在该器件里,像素限定层包括至少一个阻挡层以便减少来自像素限定层的脱气量并防止由于脱气导致的发光部分老化。此外,像素限定层形成为具有足够小的厚度以便于使用激光感应热成像(LITI)工艺的后续处理。

    有机发光二极管显示器

    公开(公告)号:CN101673759A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910176310.8

    申请日:2009-09-14

    CPC classification number: H01L27/3276 H01L51/5246

    Abstract: 本发明涉及一种OLED显示器,根据本发明的OLED显示器包括:基板构件;绝缘层,形成在基板构件上;金属布线,形成在绝缘层上并具有多个接合增强孔;密封剂,形成在金属布线上;密封构件,附着在密封剂上。在一些实施例中,接合增强孔有效地抑制密封剂从金属布线剥离,这是因为密封剂和层间绝缘层可以通过接合增强孔一体化结合。这样的特征可以补偿密封剂和金属布线之间的任何弱结合粘结性。在一些实施例中,接合增强孔的区域可以为金属布线的整个区域的大约5%至大约60%的范围内。

    有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100473248C

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:CN200510120358.9

    申请日:2005-11-11

    Inventor: 姜泰旭

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L51/5271 H01L2251/5323

    Abstract: 在一种有机发光装置及其制造方法中,在形成于第一电极之下的反射层中形成孔洞,或者对反射层本身进行构图以形成反射层图案,从而在位于所述第一电极之下的反射层中形成一开口,使得有机层发出的光朝向底面以及顶面发射,可以对所述开口的孔径比进行调整,以控制所透射光和反射光的量。所述有机发光装置包括:基板;第一电极;具有至少一个有机发射层的有机层;以及形成于所述基板上的第二电极。反射层位于所述第一电极之下,并且具有形成于其中的至少一个孔洞或至少一个岛状图案。可以对所述开口的孔径比进行调整,从而容易地形成能够调整反射光量和透射光量的双面有机发光装置。

    激光照射系统
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102035128A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010256107.4

    申请日:2010-08-17

    Abstract: 本发明提供一种激光照射系统,包括:激光器,被配置成照射光;激光器转移单元,被配置成沿着目标照射区域转移激光器,目标照射区域被分成多个部分;激光器转移控制器,被配置成控制激光器在目标照射区域的多个部分中的每一个部分中的速度;激光器输出控制器,被配置成控制激光器在目标照射区域的多个部分中的每一个部分中的输出级别;主控制器,被配置成控制激光器输出控制器和激光器转移控制器。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1794452B

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN200510124965.2

    申请日:2005-10-12

    Inventor: 姜泰旭

    CPC classification number: H01L27/12 H01L29/78621

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。通过形成与电容器电介质膜厚度不同的栅极电极的栅极绝缘膜,可以在不改变电容量的情况下减小电容器的表面积。半导体器件包括:多个形成于包括第一区域和第二区域的衬底上的半导体层图形;形成于包括半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜,该绝缘膜在第一区域的一部分和第二区域上具有第一厚度,该第一厚度比第一区域内的半导体层图形的中心部分上的第二厚度小;及多个形成于绝缘膜上以覆盖第一区域内的半导体层图形的中心部分和第二区域内的半导体层图形的导电层图形。第一区域的半导体层图形作为沟道区域、源极和漏极区域和轻掺杂漏极区域,源极和漏极区域与轻掺杂漏极区域通过不同掺杂工艺形成。

    有机发光显示器
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1761373B

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN200410099757.7

    申请日:2004-12-31

    Inventor: 姜泰旭 金茂显

    CPC classification number: H01L27/3246 H01L51/56 H01L2251/558

    Abstract: 提供一种有机发光显示器。该有机发光显示器的特点在于,在没形成有第一电极的区域内的平面化层上所形成的像素界定层的高度低于或等于在第一电极上形成的像素界定层的高度。在形成有机层图案的工序中,使在基板上层压的供体基板与第一电极之间的距离最小化,从而能够利用低的激光束能量就可执行转印。由此,有可能提高激光束的能量效率。另外,由于转印能量低,因此有可能提高装置的效率并延长其寿命。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101982884A

    公开(公告)日:2011-03-02

    申请号:CN201010286825.6

    申请日:2005-10-12

    Inventor: 姜泰旭

    CPC classification number: H01L27/12 H01L29/78621

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。通过形成与电容器电介质膜厚度不同的栅极电极的栅极绝缘膜,可以在不改变电容量的情况下减小电容器的表面积。半导体器件包括:多个形成于包括第一区域和第二区域的衬底上的半导体层图形;形成于包括半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜,该绝缘膜在第一区域的一部分和第二区域上具有第一厚度,该第一厚度比第一区域内的半导体层图形的中心部分上的第二厚度小;及多个形成于绝缘膜上以覆盖第一区域内的半导体层图形的中心部分和第二区域内的半导体层图形的导电层图形。第一区域的半导体层图形作为沟道区域、源极和漏极区域和轻掺杂漏极区域,源极和漏极区域与轻掺杂漏极区域通过不同掺杂工艺形成。

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