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公开(公告)号:CN100535966C
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200510118505.9
申请日:2005-10-27
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: G09F9/00 , G09F9/35 , G02F1/1333 , H05B33/12 , H05B33/26
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/1345 , G02F1/13458
Abstract: 一种平板显示器及其制造方法,所述平板显示器包括具有显示部分的基板和布置在所述基板上并且与所述显示部分电连接的焊盘。所述焊盘包括布置在所述基板上的焊盘电极,布置在所述焊盘电极上并且只具有一个暴露所述焊盘电极的接触孔的钝化层,以及布置在所述钝化层和焊盘电极上的透明电极。或者,所述钝化层可以具有暴露焊盘电极的多个接触孔。在这种情况下,在钝化层和焊盘电极上布置反射层图案,其暴露位于接触孔中的部分焊盘电极。此外,可以在所述反射层图案和焊盘电极的暴露部分上布置透明电极。
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公开(公告)号:CN100481512C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200510079257.1
申请日:2005-05-24
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/52
Abstract: 公开一种半导体器件及制造方法,当形成半导体层及源和漏电极的接触孔、正电极以源和漏电极的通孔、金属互连线间的通孔或通孔接触孔时,使用高腐蚀速率和高选择性干法腐蚀的至少一种进行干法腐蚀且在最终腐蚀处理中进行湿法腐蚀,可形成具不同圆锥角的多种轮廓的接触孔、通孔或通孔接触孔,且湿法干法处理时可完全去除腐蚀产生的残渣,由此可使接触孔、通孔和通孔接触孔具有优良接触特性。半导体器件包括:衬底;在衬底上形成并具有半导体层、栅绝缘层、栅电极和层间电介质的薄膜晶体管;及穿透栅绝缘层和层间电介质并暴露半导体层表面且具有多种轮廓的接触孔,接触孔上部分具有湿法腐蚀轮廓且下部分具有湿法和干法腐蚀轮廓的至少一种。
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