公开(公告)号：CN117645844A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311120811.0

申请日：2023-09-01

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 梅泽昌弘 ,  安达一政

IPC分类号： C09J7/25 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30 ,  H01L21/683 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09D4/06 ,  C09D4/02 ,  C09D7/62 ,  C09D175/16

摘要： 本发明涉及半导体加工用粘合片以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层含有苯乙烯类树脂，所述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质量％以上。

公开(公告)号：CN113227215B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201980084458.0

申请日：2019-12-18

申请人： 默克专利有限公司

发明人： 藤原嵩士 ,  佐藤敦彦

IPC分类号： C08G77/42 ,  C08G77/452 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/30 ,  H01L21/56

摘要： 提供一种用于形成硅质膜的组合物，其能够填充具有窄的宽度和高纵横比的沟槽并获得较厚的膜。用于形成硅质膜的组合物，包含：(a)嵌段共聚物，其具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B，以及(b)溶剂。

公开(公告)号：CN115831825A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211693792.6

申请日：2022-12-28

申请人： 杭州乾晶半导体有限公司

发明人： 潘胜浆 ,  王明华

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/30

摘要： 本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种剥离晶片的装置及使用方法。本发明将晶体通过激光加工工艺，形成具有改质层的晶体，将晶体连同真空吸盘装置一起放置于一个可以加压的密封腔体内，通过向密封腔体内部加压，进而在真空吸盘上获得远大于1Kg/cm2的压强，通过给真空吸盘施加一定的拉力，即可将晶片从晶体上分离，形成独立的晶片。在晶片分离过程中无需使用到对人体和环境有负面影响的有机材料，也无其他耗材消耗，用于增压的气体或液体又可以重复使用，而且由于密封腔体内的体积较小，对密封腔体的增压和泄压过程的耗时较少，装置结构简单易操作，整个晶片分离的工艺流程也简单，可以显著提高晶片分离的效率，容易实现自动化，提高生产效率。

公开(公告)号：CN108335975B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201810044533.8

申请日：2018-01-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·科勒 ,  F·马里亚尼

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/322 ,  H01L21/268

摘要： 通过激光辐射在半导体衬底中形成圆周嵌入式结构，所述半导体衬底具有半导体材料。所述嵌入式结构包括所述半导体材料的多晶结构并且包围半导体管芯的中心部分。包括所述嵌入式结构的所述半导体管芯与所述半导体衬底分离。

公开(公告)号：CN114695588A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011643595.4

申请日：2020-12-30

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

发明人： 赵保星 ,  张树德 ,  符欣 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/20 ,  H01L21/30

摘要： 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。

公开(公告)号：CN114041205A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080034321.7

申请日：2020-03-19

申请人： 动量光学公司

发明人： 杰里米·戈克里茨

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00

摘要： 控制基底蚀刻过程的方法(300)包括将基底的底表面或顶表面设置(301、302)成邻近一定体积的蚀刻流体，以产生蚀刻剂‑基底界面，以及经由空间受控的电磁辐射来加热(305)蚀刻剂‑基底界面。方法还包括将监测光束传输(303)穿过基底，基底和一定体积的蚀刻流体在监测光束的波长范围处是至少部分地透明的，以及在基底蚀刻过程期间，经由监测光束测量(304)基底表面的性质，以产生对于基底的实时测量性质。本文还公开了相应的蚀刻系统(100A‑100D)和计算机程序产品。

公开(公告)号：CN106920743B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201611185615.1

申请日：2016-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 丸本洋 ,  河野央 ,  清濑浩巳 ,  中森光则 ,  光冈一行

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。

公开(公告)号：CN113287065A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201980088298.7

申请日：2019-11-05

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： T·波耶兹 ,  M·B·I·哈贝茨 ,  A·A·索图特 ,  H·马夸特

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30

摘要： 本发明提供了一种用于估计生产衬底中由于衬底支撑件引起的应力的测试衬底(W)，所述测试衬底具有被分为预定义部分的支撑表面(SS)，其中所述预定义部分包括：至少一个第一部分(1)，具有在所述至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数；以及至少一个第二部分(2)，具有在所述至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数，其中所述第二摩擦系数不同于所述第一摩擦系数。本发明还提供了一种用于估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力的方法以及用于进行这种估计的系统。

公开(公告)号：CN113242890A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980082189.4

申请日：2019-12-12

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： H·O·格文茨 ,  M·劳特尔 ,  魏得育 ,  W·L·仇 ,  R·M·戈扎里安 ,  J·普罗尔斯 ,  L·勒尼森

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/30 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物和化学机械抛光(CMP)方法。本发明特别涉及一种化学机械抛光含有铜和钌的基材，具体为含有铜和钌的半导体基材的组合物和方法。

公开(公告)号：CN113195657A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082018.1

申请日：2019-12-11

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： H·O·格文茨 ,  M·劳特尔 ,  魏得育 ,  W·L·仇 ,  R·M·戈扎里安 ,  J·普罗尔斯 ,  L·勒尼森

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/30 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物和化学机械抛光(CMP)方法。本发明特别涉及一种化学机械抛光含有铜和钌的基材，具体为含有铜和钌的半导体基材的组合物和方法。