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公开(公告)号：CN108693716A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810292782.9
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
CPC分类号： G03G15/105 , G03F7/3021 , G03G15/108 , H01L21/6715 , G03F7/30
摘要： 本发明提供一种对显影的显影方法、显影装置和存储介质，其进行以下步骤：在停止从在显影液喷嘴(31)的相对面(32)向下方开口的排出口(33)排出显影液的状态下，使显影液喷嘴(31)相对于基片(W)的表面上升，利用该显影液的表面张力，将排出口(33)下方的一部分积液提起的步骤；使显影液喷嘴(31)的上升停止，由提起了的该一部分积液形成上端与相对面接触(32)并且随着向该上端去逐渐变细的显影液柱的步骤；和对显影液柱施加剪切力来将该显影液柱的上端剪断，使显影液柱从相对面(32)分离的分离步骤。由此，能够防止显影液从与形成于该基片的显影液的积液接触的显影液喷嘴落下到基片上而发生异常。
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公开(公告)号：CN107272354A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710213294.X
申请日：2017-04-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
CPC分类号： G03F7/26 , B05D1/002 , B05D1/005 , G03F7/3021 , G03F7/3028 , G03F7/3092 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/6715
摘要： 在形成有抗蚀剂膜并曝光后的半导体装置的制造用的基板的面内进行显影处理以使抗蚀剂图案的尺寸的均匀性变高。实施以下工序：对上述的基板的表面供给显影液进行显影的显影工序；接着，为了从上述基板将上述显影液的一部分甩掉除去，以上述基板在绕中心轴的第一旋转方向上旋转的方式，使该基板的转速上升的第一旋转工序；和接着，为了将残留在上述基板的上述显影液从该基板甩掉除去，使上述基板在与上述第一旋转方向相反的第二旋转方向上旋转的第二旋转工序。由此，能够防止基板的面内的各部中的显影时间的不均，所以能够在基板的各部以均匀性高的尺寸形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN113745098B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202110930665.2
申请日：2016-09-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/30
摘要： 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN109656108B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201811181921.7
申请日：2018-10-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/67 , H01L21/027 , B05B13/04 , B05D1/00
摘要： 本发明提供一种显影处理装置、显影处理方法以及存储介质。显影处理装置具备：旋转保持部，其保持晶圆并且使该晶圆旋转；显影液供给部，其具有喷嘴，所述喷嘴包括与晶圆的表面相向的液体接触面和在该液体接触面开口的喷出口；以及控制器，其中，控制器执行如下的控制：在晶圆旋转时，使喷出口喷出显影液，并且一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的外周侧向旋转中心侧移动的控制；在执行该控制后，一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的旋转中心侧向外周侧移动的控制；以及在执行该控制期间，使晶圆的转速与液体接触面的中心向外周靠近相应地逐渐下降的控制。
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公开(公告)号：CN116422550A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310009218.2
申请日：2023-01-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供涂敷膜形成方法、涂敷膜形成装置和程序，提高基片面内的涂敷膜膜厚的控制性能。包括：涂敷工序，其对基片的正面的中心部供给涂敷液，使上述基片旋转以使上述涂敷液向该基片的周缘部扩展而形成涂敷膜；高温气体供给工序，其对旋转的该基片的背面的露出区域的一部分，供给温度比被供给了上述涂敷液的上述基片高的高温气体；膜厚分布调整工序，其使上述基片以第一转速旋转来调整上述基片的面内的上述涂敷膜的膜厚分布；和干燥工序，其在上述膜厚分布调整工序后，使该基片以与上述第一转速不同的第二转速旋转，来调整上述基片的整个面内的该涂敷膜的膜厚来使之干燥，其中，进行上述干燥工序的期间包含停止向上述基片供给上述高温气体的期间。
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公开(公告)号：CN113745098A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110930665.2
申请日：2016-09-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/30
摘要： 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN112506006A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010914757.7
申请日：2020-09-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本发明提供涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质。涂敷处理方法包括：一边对基片的正面的中心供给成膜液，一边使基片以第一转速旋转，在被供给到基片的正面的成膜液到达基片的外周之前停止供给成膜液的步骤；在停止供给成膜液之后，使基片以第二转速继续旋转的步骤；和在供给期间将气液混合的冷却流体供给到基片的背面的外周部分的步骤，该供给期间包含停止供给成膜液之后直至基片的第二转速的旋转完成为止的期间的至少一部分。本发明对形成在基片的覆膜的膜厚的面内均匀性提高是有效的。
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公开(公告)号：CN111913357A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010348224.7
申请日：2020-04-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本发明提供一种涂敷处理方法，其包括：在基片的表面与喷嘴的间隔被保持为规定的涂敷用间隔的状态下，从喷嘴向基片的表面的中心供给成膜液的步骤；在从喷嘴向基片的表面供给成膜液的期间中，使基片以第1转速绕通过基片的表面中心的轴线旋转，以使得成膜液因离心力而从喷嘴的外周向基片的周缘侧扩展的步骤；和在从喷嘴向基片的表面的成膜液的供给停止之后，使基片以第2转速绕轴线旋转，以使得成膜液因离心力而进一步扩展的步骤，涂敷用间隔被设定成在停止从喷嘴释放成膜液时能够将成膜液保持在喷嘴与基片的表面之间。由此，能够有效提高膜厚均匀性。
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