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公开(公告)号：CN115236400B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210853979.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种自加热效应建模与参数提取方法，包括如下步骤：设计自加热效应测量结构；对器件栅极电阻进行交流阻抗测试；对器件功率进行动态扫描，同时测量器件的栅极电阻变化情况；绘制温度‑功率曲线，并从中提取器件热阻。本发明通过引入交流阻抗测量，只需额外的两个栅极电阻测量端口，减少了对器件的测量端口需求，同时栅极的偏置不会存在电势分布不均导致器件的自加热效应表征产生偏移。
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公开(公告)号：CN112685983B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011600789.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/33 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供了一种片上电容的建模方法，所述电容为插指电容，包括如下步骤：提取主电容拟合系数，并计算主电容；提取拐角电容拟合系数，并计算拐角电容；提取边缘寄生电容拟合系数，并计算边缘寄生电容；提取版图寄生电容；反馈验证。本发明针对集成电路片上电容器的物理特性结合数学公式建立细致提取流程，提供可靠的器件建模方法和模型。
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公开(公告)号：CN112562756B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202011477953.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C7/24 , G11C5/06 , G11C11/411
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公开(公告)号：CN112562756A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011477953.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C7/24 , G11C5/06 , G11C11/411
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射的静态随机存储器单元，包括电学串联的第一传输晶体管和第二传输晶体管，以及并联在第一和第二传输晶体管之间的两个对置互锁的第一和第二反相器，所述第一和第二反相器的上拉晶体管分别通过第一和第二延时晶体管与反相器的输入端连接，所述延时晶体管为N型晶体管，其栅极电学连接所述静态随机存储器的字线电平。本发明在原有传统6管存储单元的基础上添加两个晶体管来提高单元抗单粒子效应的能力，并通过FDSOI器件的背栅结构连接电位，提高单元的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112765922B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011639121.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型，包括：核心器件，所述核心器件为一晶体管，包括源极、漏极、正栅、以及SOI衬底的背栅；所述核心器件的外围电路包括：栅极电阻、栅极到接触孔的电阻、源极和漏极电阻、栅极到源极的边缘电容、栅极到源极的寄生电容、栅极到漏极的边缘电容、栅极到漏极的寄生电容、埋层氧化物层电容、源端下方的埋层氧化物电容、漏端下面的埋层氧化物电容、埋层氧化物下方的阱区域的分布式电阻、衬底部分的电阻和电容、以及背栅电阻。本发明综合考虑了FDSOI衬底的特点，重新设计了一套更适合射频FDSOI领域的合适的器件模型，对比结果显示其于测试值高度吻合。
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公开(公告)号：CN116413566A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111674038.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种MOS晶体管老化模型的提取方法，包括如下步骤：建立阈值电压与界面陷阱电荷密度和固定陷阱电荷密度的关系；提取阈值电压与界面陷阱电荷密度的关系；提取恢复过程中界面陷阱积累系数；当器件处于首个应力下，近似忽略固定陷阱电荷，以界面陷阱电荷密度对阈值电压表征；器件处于首个恢复阶段，近似忽略固定电荷贡献，提取界面电荷密度随恢复时间的数值关系；后续应力阶段，提取固定电荷对应力老化阶段的贡献；后续恢复阶段，提取固定电荷对恢复阶段的贡献。本发明根据半导体器件的实际特点，在不同的电压偏置条件下针对不同类型的电荷建立相关模型，具有很好的表征能力，在多次老化循环应力下可以被固定电荷贡献度很好的表征。
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公开(公告)号：CN111564167B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010324690.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C7/24 , G11C11/412 , H10B10/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法，其中，该存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的存储单元。本发明公开的存储单元相较于现有技术中的存储单元，在传统六管单元的基础上加入两个晶体管，以牺牲较小单元面积的情况下提升单元抗单粒子能力；该存储单元中的晶体管均采用“工”字型的栅氧层和金属栅结构，可有效抑制总剂量效应引起的上下边角漏电及侧壁漏电和寄生晶体管效应。此外，该存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。
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公开(公告)号：CN112699629A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011600780.5
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种变容二极管漏电电流的建模方法，包括如下步骤：提取拟合电压系数和尺寸拟合系数，建立正向漏电电流模型；提取宽长拟合系数和趋势拟合系数，建立反向漏电电流模型；拟合不同温度下的模型参数，建立温度模型；反馈验证。本发明针对变容二极管的漏电IV特性曲线进行物理特性与数学方法相结合的拟合，因此模型更为准确。
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公开(公告)号：CN112687308A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011595333.5
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C11/411 , G11C11/416
Abstract: 本发明提供了低功耗静态随机存储器单元，包括由第一N型晶体管和第一P型晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二N型晶体管和第二P型晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置；还包括第五N型晶体管，其栅极接第一CMOS反相器的输入端，源/漏极接第六N型晶体管的漏/源极；所述第五N型晶体管为背栅晶体管，其背栅接本体栅极；所述第六N型晶体管为背栅晶体管，其背栅接本体栅极，并连接至读字线。本发明在原有传统6管存储单元的基础上增加了第五和第六N型晶体管，写操作时的阈值电压变小，增强了静态随机存储器的写入能力；在读操作时，增大了读“0”电流。
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