公开(公告)号：CN111725350B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910205994.3

申请日：2019-03-19

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 曾俞衡 ,  闫宝杰 ,  叶继春 ,  张志 ,  黄玉清 ,  廖明墩 ,  郭雪琪 ,  杨清 ,  王志学

IPC分类号： H01L31/18

公开(公告)号：CN110165017B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910311808.4

申请日：2019-04-18

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 廖明墩 ,  叶继春 ,  曾俞衡 ,  闫宝杰 ,  杨清 ,  张志 ,  郭雪琪 ,  黄玉清 ,  王志学

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明提供一种制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法，步骤包括：(1)预热：将待退火样品在工艺气体下，升温到150‑250℃，保温1‑2min；(2)释氢：然后升温到300‑600℃，保温3‑10min；(3)晶化：再升温到780‑1100℃，并保温1‑15min；(4)冷却：2‑5分钟降温至600℃以下。本发明通过温度控制，使样品有效避免了“爆膜”现象的发生又通过氢钝化提高硅衬底的体寿命，同时薄膜中的掺杂原子也得到充分激活，此外由于退火时间相对较短，掺杂原子向硅衬底扩散程度减弱，有效降低表面俄歇复合，提高隧穿氧钝化接触结构的表面钝化性能，同时具有较低的接触电阻率，另外退火时间缩短有利于提高生产效率，提升产能，节约生产成本。

公开(公告)号：CN112186067A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910594529.3

申请日：2019-07-03

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 曾俞衡 ,  叶继春 ,  廖明墩 ,  闫宝杰 ,  杨清 ,  王志学 ,  郭雪琪 ,  芮哲

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明采用掺杂的氮硅化物薄膜取代掺杂多晶硅薄膜，用于TOPCon结构，不仅可以保持TOPCon结构优异的表面钝化性能和接触性能，而且具有若干多晶硅薄膜所不具备的特殊优势。