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公开(公告)号：CN111081810A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811213988.4
申请日：2018-10-18
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，包括以下步骤，将隧穿氧/多晶硅钝化接触结构直接进行中低温热处理，或者首先在隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的掺杂硅薄层表面沉积一层氧化物膜，然后进行中低温热处理；本发明方法既能够使钝化接触结构达到良好的钝化效果，又能使不同钝化水平的隧穿氧/多晶硅钝化接触结构钝化性能得到提升；处理方法多样化，重复性强，所需设备简单，其工艺完全适用于TOPCon电池的背钝化。
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公开(公告)号：CN109786476A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811607783.4
申请日：2018-12-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068
摘要： 本发明提供一种钝化接触结构，包括钝化接触基体，至少一个表面上集成有硅化物薄膜，且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素，硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层。本发明的优点是硅化物薄膜层的带隙较大，减少短波长光的寄生吸收，提升太阳电池的短路电流，致密型高，热稳定性好，抑制爆膜和抗银浆烧蚀，电导率优良因此有利于保持良好的填充因子。
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公开(公告)号：CN109786476B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201811607783.4
申请日：2018-12-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068
摘要： 本发明提供一种钝化接触结构，包括钝化接触基体，至少一个表面上集成有硅化物薄膜，且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素，硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层。本发明的优点是硅化物薄膜层的带隙较大，减少短波长光的寄生吸收，提升太阳电池的短路电流，致密型高，热稳定性好，抑制爆膜和抗银浆烧蚀，电导率优良因此有利于保持良好的填充因子。
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公开(公告)号：CN112259614A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910594527.4
申请日：2019-07-03
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层本征或掺杂的碳硅薄膜，最后在所述碳硅薄膜表面再沉积至少一层掺杂的非晶硅薄膜层，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明避免了硅薄膜破裂现象，保持了钝化性能，能够确保进行后继丝印烧结；保持了较低的方块电阻，有利于保持金属接触和载流子的横向输运，结构完全兼容现有PECVD技术，无需增加设备，可拓展性强。
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公开(公告)号：CN109755330B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811608148.8
申请日：2018-12-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种用于钝化接触结构的预扩散片，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的部分掺杂物质扩散进入钝化接触基体表面内不同深度，具有掺杂预扩散层的钝化接触结构的方阻>90Ω/sq。经过预扩散，钝化接触基体表面形成了一定的表面掺杂，能带在表面已经产生程度的弯曲，提升了载流子的选择性和传输能力，降低接触电阻，也降低了对隧穿非晶硅、隧穿氧化硅或其他钝化隧穿层的厚度要求，同时也降低了对掺杂非晶硅的掺杂浓度依赖，降低了对新材料的功函数的过渡依赖，提升电池良品率。
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公开(公告)号：CN111509082A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010200434.1
申请日：2020-03-20
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种掺镓多晶硅薄膜制备方法，首先在清洗后的硅片表面制备介质层材料；再进一步沉积本征硅薄膜层；然后利用物理沉积法在本征硅薄膜表面沉积一层含镓的化合物，且可重复交替沉积本征硅层和含镓化合物；最后在保护气氛中，进行800℃以上高温退火。本发明的优点和有益效果：(1)该方法有效提升了p型氧化硅/多晶硅钝化接触技术的钝化质量，可以将J0,s降低到10fA/cm2以下；(2)镓源材料丰富，来源广泛；(3)所需设备简单，且处理方法多样化，重复性强，工艺窗口大；(4)该p型氧化硅/多晶硅钝化接触结构简单、性能可靠、完全适用于氧化硅/多晶硅钝化接触电池的背钝化；(5)该技术成本较低，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN112259614B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910594527.4
申请日：2019-07-03
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层本征或掺杂的碳硅薄膜，最后在所述碳硅薄膜表面再沉积至少一层掺杂的非晶硅薄膜层，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明避免了硅薄膜破裂现象，保持了钝化性能，能够确保进行后继丝印烧结；保持了较低的方块电阻，有利于保持金属接触和载流子的横向输运，结构完全兼容现有PECVD技术，无需增加设备，可拓展性强。
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公开(公告)号：CN112186067B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201910594529.3
申请日：2019-07-03
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明采用掺杂的氮硅化物薄膜取代掺杂多晶硅薄膜，用于TOPCon结构，不仅可以保持TOPCon结构优异的表面钝化性能和接触性能，而且具有若干多晶硅薄膜所不具备的特殊优势。
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公开(公告)号：CN109755330A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811608148.8
申请日：2018-12-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种用于钝化接触结构的预扩散片，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的部分掺杂物质扩散进入钝化接触基体表面内不同深度，具有掺杂预扩散层的钝化接触结构的方阻>90Ω/sq。经过预扩散，钝化接触基体表面形成了一定的表面掺杂，能带在表面已经产生程度的弯曲，提升了载流子的选择性和传输能力，降低接触电阻，也降低了对隧穿非晶硅、隧穿氧化硅或其他钝化隧穿层的厚度要求，同时也降低了对掺杂非晶硅的掺杂浓度依赖，降低了对新材料的功函数的过渡依赖，提升电池良品率。
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公开(公告)号：CN111725350A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910205994.3
申请日：2019-03-19
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，具体讲是一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，本发明公开了一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，包括以下步骤：将多晶硅钝化接触结构在含水蒸气气氛下进行中低温热处理；本发明对不同钝化水平的TOPCon钝化片都有提升作用；处理方法多样化，工艺窗口大，重复性强，所需设备简单，其工艺完全适用于TOPCon电池的背钝化。经过上述方法处理后，基本上能够将n-TOPCon的iVoc显著提升。
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