公开(公告)号：CN1858002A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510067199.0

申请日：2005-05-01

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 邹建平 ,  郭国聪 ,  陈文通 ,  蔡丽珍 ,  赵振乾

IPC: C01G19/00 ,  C30B29/48 ,  C30B25/02

Abstract: 汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料，涉及新型红外材料。该化合物由HgTe与InSb采用真空中高温固相合成法得到。其晶体结构为闪锌矿结构。其单晶材料生长生长温度为550～650℃，控制坩埚下降速度为10～50mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法生长。汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，性能可与MCT材料相媲美的新型红外材料。

公开(公告)号：CN1705139A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200410044325.6

申请日：2004-05-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈文通 ,  郭国聪 ,  李强 ,  王明盛 ,  徐玲 ,  蔡丽珍

IPC: H01L31/0296 ,  C30B29/10

Abstract: 一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)空间群为Cmm2(No35)，单胞参数为a＝16.7～17.9，b＝8.8～10.0，c＝9.1～10.2，α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积V＝1500～20003。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及光电开关等领域。