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公开(公告)号：CN101033558A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610067246.6
申请日：2006-03-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B1/10 , C30B29/10 , H01L31/0296
Abstract: 一类红外窗口材料涉及Cd2Hg5Q4X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)新型红外窗口材料系列。本材料采用固相反应法制备，用HgX2，Q粉，CdS，真空密封后加热反应生成单晶体。该晶体用于红外窗口、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN100508220C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410030570.1
申请日：2004-04-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途，涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了VIA族元素Se，VIIA族元素Br和IIB族的Cd和Hg，用固相反应法，合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物CdHg4Q4X6(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。该材料用于红外探测器和发射器、热电材料和红外激光器等技术领域。
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公开(公告)号：CN100492668C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410044325.6
申请日：2004-05-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L31/0296 , C30B29/10
Abstract: 一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)空间群为Cmm2(No35)，单胞参数为a＝16.7～17.9，b＝8.8～10.0，c＝9.1～10.2，α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积V＝1500～20003。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及光电开关等领域。
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公开(公告)号：CN101210177A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610135387.7
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 系列单发射源白光荧光粉及其制备方法，涉及系列白光荧光粉及其制备。本发明制备的化合物为AnBxOy(n＝1－10，x＝3－20，y＝3－31，A为质子化的脂肪胺)。该系列化合物以B和O为框架构造元素，以脂肪胺为模板剂。所述的质子化的脂肪胺为含碳1～10个的脂肪胺。该系列材料采用溶剂热法合成，应用于发光和显示技术。
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公开(公告)号：CN101077525A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200610082131.4
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 表面活性剂辅助的高能球磨法制备纳米铜铟硒太阳能电池材料，涉及一种制备纳米铜铟硒(CIS)太阳能电池材料的新方法。采用将铜、铟和硒三种单质为原料，采用高能球磨法制备，包括微米级CIS纯相的制备和纳米级CIS材料的制备两个过程，在纳米级CIS材料的制备过程中加入吡啶类表面活性剂。得到结构稳定，组份单一，颗粒均匀的纳米铜铟硒(CIS)太阳能电池材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1684276A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410030570.1
申请日：2004-04-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途，涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了VIA族元素Se，VIIA族元素Br和IIB族的Cd和Hg，用固相反应法，合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物CdHg4Q4X6(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。该材料用于红外探测器和发射器、热电材料和红外激光器等技术领域。
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公开(公告)号：CN1966401B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200510119536.6
申请日：2005-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN1966401A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510119536.6
申请日：2005-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
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公开(公告)号：CN1858307A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510069840.4
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/48
Abstract: 掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料，涉及新型红外材料领域。掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物生长是采用高真空高温固相合成法或熔融法；其单晶生长采用布里奇曼方法；其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本新型红外材料是一种带隙宽度在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，而性能却仍可达到MCT材料的水平的新型碲镉汞改性红外材料。
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公开(公告)号：CN101033558B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610067246.6
申请日：2006-03-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B1/10 , C30B29/10 , H01L31/0296
Abstract: 一类红外窗口材料涉及Cd2Hg5Q4X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)新型红外窗口材料系列。本材料采用固相反应法制备，用HgX2，Q粉，CdS，真空密封后加热反应生成单晶体。该晶体用于红外窗口、太阳能电池以及用于光电开关。
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